Список публикаций оппонента Хохлов Д.Р.
Меню
EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

Список публикаций оппонента Хохлов Д.Р.

1. Galeeva A. V., Chernichkin V. I., Dolzhenko D. E., Nicorici A. V., Ryabova L. I., Khokhlov D. R. Optimization of the Operating Regime of Pb1-xSnxTe (In) Terahertz Photodetectors //IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology. — 2017. — Т. 7. — №. 2. — С. 172−176.

DOI: 10.1109/TTHZ.2017.2655880
WOS:000396388900007

2. Galeeva A. V., Artamkin A. I., Mikhailov N. N., Dvoretskii S. A., Danilov S. N., Ryabova L. I., Khokhlov D. R. Terahertz Photoconductivity in Hg1-x CdxTe near the transition from the direct to inverted spectrum //JETP letters. — 2017. — Т. 106. — №. 3. — С. 162−166.

DOI: 10.1134/S0021364017150061
WOS:000413066200006


3. Galeeva A. V., Gomanko M. A., Tamm M. E., Yashina L. V., Danilov S. N., Ryabova L. I., Khokhlov D. R. Photoelectromagnetic Effect Induced by Terahertz Radiation in (Bi1-xSbx)2Te3 Topological Insulators // Semiconductors- 2019. — V. 53. — P. 37−41.

DOI: 10.1134/S1063782619010068
WOS:000465524600006

4. Kazakov, A. S., Galeeva, A. V., Dolzhenko, D. E., Ryabova, L. I., Bannikov, M. A., Mikhailov, N. N., Dvoretsky S. A., Khokhlov, D. R. Radiofrequency Photoconductivity in Hg 1? x Cd x Te Based Heterostructures //JETP Letters. — 2020. — Т. 112. — №. 4. — С. 246−249.

DOI: 10.1134/S0021364020160067
WOS: 000583553500008

5. Galeeva A. V., Kazakov A. S., Artamkin A. I., Ryabova L. I., Dvoretsky S. A., Mikhailov N. N., Bannikov M. I., Danilov S. N., Khokhlov D. R. Apparent PT-symmetric terahertz photoconductivity in the topological phase of Hg1? xCdxTe-based structures // Scientific Reports. — 2020. — V. 10. - P. 2377.

DOI: 10.1038/s41598−020−59280−0
WOS:000538418300001

6. Галеева А. В., Казаков А. С., Артамкин А. И., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Банников М. И., Данилов С. Н., Рябова Л. И., Хохлов Д. Р. Особенности транспорта в топологической фазе Hg0.87Cd0.13Te в условиях терагерцового фотовозбуждения // Физика и техника полупроводников- 2020. — V. 54. — №. 9 — P. 1064−1068.

DOI: 10.1134/S1063782620090109
WOS:000567018500012

7. Galeeva, A. V., Kazakov, A. S., Artamkin, A. I., Dvoretsky, S. A., Mikhailov, N. N., Bannikov, M. I., Danilov S. N., Ryabova L. I., Khokhlov D. R. Transport Features in the Topological Phase Hg 0.87 Cd 0.13 Te under Terahertz Photoexcitation //Semiconductors. — 2020. — Т. 54. — №. 9. — С. 1064−1068.

DOI: 10.1134/S1063782620090109
WOS:000567018500012

8. Kazakov A. S., Galeeva A. V., Artamkin A. I., Ikonnikov A. V., Ryabova L. I., Dvoretsky S. A., Mikhailov N. N., Bannikov M. I., Danilov S. N., Khokhlov D. R. Non-local terahertz photoconductivity in the topological phase of Hg1? xCdxTe. // Scientific Reports — 2021. — V. 11. — P. 1587.

DOI: 10.1038/s41598−021−81099−6
WOS:000609782400108

9. Kazakov A. S., Galeeva A. V., Ikonnikov A. V., Dolzhenko D. E., Ryabova L. I., Mikhailov N. N., Dvoretskiy S. A., Bannikov M. I., Danilov S. N., Khokhlov D. R. Roles of Elements of a Heterostructure Based on the Topological Phase of Hg1-xCdxTe in the Effect of PT-Symmetric Terahertz Photoconductivity // JETP Letters. — 2021. — Т. 113. - №. 8. — С. 542−546.

DOI: 10.1134/S002136402108004X
WOS:000669212500010