Отдел технологии наноструктур и приборов, 140
Меню
EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

Отдел технологии наноструктур и приборов (140)

Отдел технологии наноструктур и приборов, 140

В отделе проводятся поиск и исследование новых физических явлений в полупроводниковых гетероструктурах и высокотемпературных сверхпроводниках в интересах микро- и оптоэлектроники. Основные направления включают эпитаксиию полупроводниковых гетероструктур на основе In, Ga, Al — As, N и ВТСП YBaCuO; детальное комплексное исследование их свойств и изготовление тестовых структур. Приоритетными для отдела являются прикладные исследования. Итогом любых, даже фундаментальных, исследований видится создание оригинального прибора, устройства, датчика, технологии или методики. В отделе есть группы эпитаксии полупроводников, фотолитографии, микроэлектромеханических систем, высокотемпературных сверхпроводников, прецизионных оптических методов исследований, фотоэлектрических свойств органических материалов.

Направления исследований

В отделе проводятся поиск и исследование новых физических явлений в полупроводниковых гетероструктурах и высокотемпературных сверхпроводниках в интересах микро- и оптоэлектроники. Основные направления включают эпитаксиию полупроводниковых гетероструктур на основе In, Ga, Al — As, N и ВТСП YBaCuO; детальное комплексное исследование их свойств и изготовление тестовых структур.




Структура

Заведующий отделом

Волков Петр Витальевич
И.о. заведующего отделом, с.н.с, зав. лаб., к. ф.-м. н.
Тел.: (831) 417−94−91, +208

Сотрудники

Бузынин Юрий Николаевич
нс, к. т. н.
Тел.: (831) 417-94-91 +113
Востоков Николай Владимирович
снс, к. ф.-м. н.
Тел.: (831) 417−94−92
Данильцев Вячеслав Михайлович
нс, к. ф.-м. н.
Тел.: (831) 432-39-80 +341
Дроздов Михаил Николаевич
с.н.с., к. ф.-м. н.
Тел.: (831) 417−94−92
e-mail: drm@ipmras.ru
Дроздов Юрий Николаевич
д. ф.-м. н.
Тел.: (831) 417−94−91
Краев Станислав Алексеевич
Тел.: (831) 417−94−96 (202, 249)
e-mail: kraev@ipmras.ru
Королев Сергей Александрович
Старший научный сотрудник, Кандидат физико-математических наук
Тел.: 417−94−92, +255
e-mail: pesh@ipmras.ru
Лукьянов Андрей Юрьевич
к. ф.-м. н.
Тел.: (831) 417−94−96
e-mail: luk@ipmras.ru
Маслякова Нина Гаврииловна
техник 1 к.,
Тел.: (831) 417−94−91 +201
e-mail: nina@ipmras.ru
Мастеров Дмитрий Вячеславович
нс, к. ф.-м. н.
Тел.: (831) 417-94-91 +101
Охапкин Андрей Игоревич
к.х.н.
Тел.: (831) 417−94−50 (+342)
e-mail: poa89@ipmras.ru
Парафин Алексей Евгеньевич
к. ф.-м. н.
Тел.: (831) 417-94-93 (+205)
Пахомов Георгий Львович
с.н.с., к. х. н.
Тел.: (831) 417−94−73 (+203)
Семиков Даниил Александрович
м.н.с.,
Тел.: +7 (831) 417−94−96 доб.+203
Тертышник Анатолий Данилович
вед. электроник,
Тел.: (831) 438-55-35 +209
Травкин Владислав Владимирович
c.н.с., Кандидат химических наук
Тел.: (831) 417−94−73 +211
e-mail: trav@ipmras.ru
Хрыкин Олег Игоревич
нс,
Тел.: (831) 417-94-50 +342
Юнин Павел Андреевич
Заведующий лабораторией, к.ф.-м.н.
Тел.: (831) 417−94−91 (+238)
e-mail: yunin@ipmras.ru

Лаборатория прецизионной оптической диагностики (141)

Волков Петр Витальевич
И.о. заведующего отделом, с.н.с, зав. лаб., к. ф.-м. н.
Тел.: (831) 417−94−91, +208
Лукьянов Андрей Юрьевич
к. ф.-м. н.
Тел.: (831) 417−94−96
e-mail: luk@ipmras.ru
Тертышник Анатолий Данилович
вед. электроник,
Тел.: (831) 438-55-35 +209

Лаборатория диагностики радиационных дефектов в твердотельных наноструктурах

Юнин Павел Андреевич
Заведующий лабораторией, к.ф.-м.н.
Тел.: (831) 417−94−91 (+238)
e-mail: yunin@ipmras.ru
Востоков Николай Владимирович
снс, к. ф.-м. н.
Тел.: (831) 417−94−92
Дроздов Михаил Николаевич
с.н.с., к. ф.-м. н.
Тел.: (831) 417−94−92
e-mail: drm@ipmras.ru
Королев Сергей Александрович
Старший научный сотрудник, Кандидат физико-математических наук
Тел.: 417−94−92, +255
e-mail: pesh@ipmras.ru
Охапкин Андрей Игоревич
к.х.н.
Тел.: (831) 417−94−50 (+342)
e-mail: poa89@ipmras.ru
Семиков Даниил Александрович
м.н.с.,
Тел.: +7 (831) 417−94−96 доб.+203
Травкин Владислав Владимирович
c.н.с., Кандидат химических наук
Тел.: (831) 417−94−73 +211
e-mail: trav@ipmras.ru


Проекты, результаты


Оборудование

Эпитаксия полупроводниковых гетероструктур на основе In, Ga, Al — As, N

  • установка МОГФЭ Epiquip VP 502-RT.

Диагностика и исследование гетероструктур

Рентгеноструктурный анализ

  • дифрактометр рентгеновский общего назначения ДРОН - 4, модифицированный;
  • дифрактометр рентгеновский Bruker D8 Discover.

Аналитический анализ

  • масс-спектрометр вторичных ионов TOF. SIMS 5;
  • фурье-спектрометр Infralum FT-801.

Зондовая микроскопия

  • микроскоп сканирующий зондовый Solver P4;
  • микроскоп сканирующий зондовый «СММ-2000".

Электрофизические исследования микроструктур

  • автоматизированный комплекс для измерения I-V и C-V характеристик;
  • характериограф 4832;
  • СВЧ зондовая установка PM-5.

Фотоэлектрические исследования

  • фурье-спектрометр Infralum FT-801;
  • монохроматор МДР-41.

Исследование поверхности

  • оптическая измерительная система Talysurf CCI 2000;
  • профилометр модели 130.

Микро- и наноэлектроника

  • установки для напыления (металлов, диэлектриков, сверхпроводников, органических полупроводников);
  • установка для быстрого отжига полупроводниковых структур AcuThermo AW 410 System;
  • установка экспонирования контактной фотолитографии SUSS MJB4;
  • установка плазмохимического травления PlasmaLab 80Plus с источником ICP;
  • установка плазмохимического травления Secon XPL-26.

Публикации

В. И. Шашкин. Наше дело — новые приборы и технологии
Скачать pdf, 391.8 KB