Список публикаций ведущей организации
Меню
EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

Список публикаций ведущей организации

Список публикаций ведущей организации

  • Ion Synthesis: Si-Ge Quantum Dots / N.N. Gerasimenko, N.S. Balakleyskiy, A.D. Volokhovskiy, D.I. Smirnov, O.A. Zaporozhan // Физика и техника полупроводников. — 2018. — Т. 52. — С. 516.
  • Видимое излучение плотного биэкситонного газа в SiGe/Si квантовых ямах в условиях внешней анизотропной деформации / С. Н. Николаев, В. С. Кривобок, В. С. Багаев, Е. Е. Онищенко, А. В. Новиков, М. В. Шалев // Письма в ЖЭТФ. — 2018. — Т. 107. — С. 371.
  • Тонкая структура излучения двумерной электронно-дырочной жидкости в SiGe/Si квантовых ямах / С. Н. Николаев, В. С. Кривобок, В. С. Багаев, Е. Е. Онищенко, А. В. Новиков, М. В. Шалев // Письма в ЖЭТФ. — 2016. — Т. 104. — С. 161.
  • Плазмонное усиление интенсивности четырехчастичной излучательной рекомбинации в кремний-германиевых квантовых ямах / В. С. Кривобок, С. Н. Николаев, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, В. С. Багаев, Е. Е. Онищенко, В. С. Лебедев, М. Л. Скориков, Е. В. Уцина, М. В. Кочиев // Письма в ЖЭТФ. — 2016. — Т. 104. — С. 229.
  • Многочастичные состояния и факторы, осложняющие экспериментальное наблюдение квантовой когерентности в экситоном газе квантовых ям SiGe/Si / В.С. Багаев, Э.Т. Давлетов, В. С. Кривобок, С.Н. Николаев, А.В. Новиков, Е.Е. Онищенко, А.А. Пручкина, М.Л. Скориков // ЖЭТФ. — 2015. — Т. 148. — С. 1198.
  • Электронно-дырочная жидкость в низкоразмерных кремний-германиевых гетероструктурах / Н. Н. Сибельдин // ЖЭТФ. — 2015. — Т. 149. — С. 678.
  • Structural and optical studies of strain relaxation in Ge1 − xSnx layers grown on Ge/Si (001) by molecular beam epitaxy / A.S. Nikolenko, V.V. Strelchuk, N.V. Safriuk, S.B. Kryvyi, V.P. Kladko, O.S. Oberemok, L.V. Borkovska, Yu.G. Sadofyev // Thin Solid Films. — 2016. — V. 613. — P. 68.