|
Фамилия, Имя, Отчество | Забавичев Илья Юрьевич |
Диссертация |
Кандидатская диссертация: Отклик носителей заряда в Si и GaAs наноразмерных структурах на нейтронное воздействие с учетом динамики вторичных процессов дефектообразования и ионизации |
Диссертационный совет | 24.1.238.02 |
Научная специальность |
2.2.2. - Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств место работы |
Дата защиты |
|
Статус | 25.09.25 - Принята к защите |
Заключение диссертационного совета |
|
Автореферат |
|
Отзыв руководителя |
|
Объявление на сайте ВАК |
|
Ведущая организация |
|
Организации, где выполнялась диссертация |
|
Место работы | Филиал Федерального государственного унитарного предприятия «Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики» «Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова» |
Оппоненты |
|
Отзывы на автореферат |
|