Забавичев Илья Юрьевич
Меню
EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

Забавичев Илья Юрьевич

Фамилия, Имя, Отчество Забавичев Илья Юрьевич
Диссертация Кандидатская диссертация: Отклик носителей заряда в Si и GaAs наноразмерных структурах на нейтронное воздействие с учетом динамики вторичных процессов дефектообразования и ионизации
Диссертационный совет 24.1.238.02
Научная специальность 2.2.2. - Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств место работы
Дата защиты
Статус 25.09.25 - Принята к защите


Заключение диссертационного
совета

Автореферат

Отзыв руководителя
Объявление на сайте ВАК
Ведущая организация
Организации, где выполнялась диссертация
Место работы Филиал Федерального государственного унитарного предприятия «Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики» «Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова» 
Оппоненты
Отзывы на
автореферат


25.09.2025 - Принята к защите

09.09.2025 - Текст диссертации размещён в сети Интернет