Институт физики микроструктур РАН
- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)
|
Забавичев Илья Юрьевич
| Фамилия, Имя, Отчество | Забавичев Илья Юрьевич |
| Диссертация |
Кандидатская диссертация: Отклик носителей заряда в Si и GaAs наноразмерных структурах на нейтронное воздействие с учетом динамики вторичных процессов дефектообразования и ионизации |
| Диссертационный совет | 24.1.238.02 |
| Научная специальность |
2.2.2. - Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств место работы |
| Дата защиты |
|
| Статус | 25.09.25 - Принята к защите |
|
Заключение диссертационного совета |
|
| Автореферат |
|
| Отзыв руководителя |
|
| Объявление на сайте ВАК |
|
| Ведущая организация |
|
| Организации, где выполнялась диссертация |
|
| Место работы | Филиал Федерального государственного унитарного предприятия «Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики» «Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова» |
| Оппоненты |
|
|
Отзывы на автореферат |
|
25.09.2025 - Принята к защите
09.09.2025 - Текст диссертации размещён в сети Интернет