2007 год

13 декабря 2007 (на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук)

• МОЛДАВСКАЯ Любовь Давидовна (ИФМ РАН) (утверждена)
  Структура, электронные свойства и ИК фотопроводимость многослойных гетеросистем InGaAs/GaAs с квантовыми точками.
  Специальность 05.27.01 — твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
  Научный руководитель: к. ф.-м. н. В. И. Шашкин (ИФМ РАН)
  Автореферат (460 Kбайт)

1 ноября 2007 (на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук)

• КРАСИЛЬНИКОВА Людмила Владимировна (ИФМ РАН) (утверждена)
  Люминесцентные свойства гетероструктур Si/SiGe, легированных примесью эрбия.
  Специальность 05.27.01 — твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
  Научный руководитель: д. ф.-м. н., профессор З. Ф. Красильник (ИФМ РАН)
  Автореферат (1,3 Мбайт)

• БАРЫШЕВА Мария Михайловна (ИФМ РАН) (утверждена)
  Влияние структуры многослойных рентгенооптических элементов на фазовые и амплитудные характеристики волнового поля.
  Специальность 01.04.07 — физика конденсированного состояния, по физико-математическим наукам.
  Научный руководитель: д. ф.-м. н., доцент А. М. Сатанин (ННГУ)
  Автореферат (1,2 Мбайт)

11 октября 2007 (на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук)

• МАРЕМЬЯНИН Кирилл Владимирович (ИФМ РАН) (утвержден)
  Генерация и детектирование терагерцового излучения в полупроводниковых наноструктурах А3В5
  Специальность 05.27.01 — твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
  Научный руководитель: д. ф.-м. н. В. И. Гавриленко (ИФМ РАН)
  Автореферат (330 Kбайт)