2010 год
Меню
EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

2010 год

23 декабря 2010 (на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук)

  • ЦЫПЛЕНКОВ Вениамин Владимирович (ИФМ РАН)
    Релаксация рабочих состояний в лазере на внутрицентровых переходах доноров V группы в кремнии при излучении фононов
    05.27.01
    Документ pdfАвтореферат (300 Kбайт)

28 октября 2010 (на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук)

  • ОРЛОВ Михаил Львович (ИФМ РАН)
    Электронный транспорт, детектирование и эмиссия терагерцового излучения в полупроводниковых гетероструктурах.
    05.27.01
    Документ pdfАвтореферат (590 Kбайт)

1 июля 2010 (на соискание ученой степени доктора физ.-мат. наук)

  • ПАВЛОВ Сергей Геннадьевич (ИФМ РАН)
    Лазеры терагерцового диапазона частот на примесных центрах в кремнии и германии
    01.04.07 — физика конденсированного состояния.
    01.04.10 — физика полупроводников.
    Документ pdfАвтореферат (910 Kбайт)

Возврат к списку