Байдакова Наталия Алексеевна

На заседании присутствовали 18 членов диссертационного совета (Гапонов С. В., Водолазов Д. Ю., Алешкин В. Я., Андреев Б. А., Андронов А. А., Воротынцев В. М., Гавриленко В. И., Жаров А. А., Кочаровский В. В., Курин В. В., Миронов В. Л., Павлов Д. А., Салащенко Н. Н., Фраерман А. А., Чупрунов Е. В., Чхало Н. И., Шастин В. Н., Шашкин В. И..)

Загрузить >>> (1,2 Мбайт)

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук.

Отзыв >>> (970 Kбайт)

1. Ion Synthesis: Si-Ge Quantum Dots / N.N. Gerasimenko, N.S. Balakleyskiy, A.D. Volokhovskiy, D.I. Smirnov, O.A. Zaporozhan // Физика и техника полупроводников. — 2018. — Т. 52. — С. 516.
2. Видимое излучение плотного биэкситонного газа в SiGe/Si квантовых ямах в условиях внешней анизотропной деформации / С. Н. Николаев, В. С. Кривобок, В. С. Багаев, Е. Е. Онищенко, А. В. Новиков, М. В. Шалев // Письма в ЖЭТФ. — 2018. — Т. 107. — С. 371.
3. Тонкая структура излучения двумерной электронно-дырочной жидкости в SiGe/Si квантовых ямах / С. Н. Николаев, В. С. Кривобок, В. С. Багаев, Е. Е. Онищенко, А. В. Новиков, М. В. Шалев // Письма в ЖЭТФ. — 2016. — Т. 104. — С. 161.
4. Плазмонное усиление интенсивности четырехчастичной излучательной рекомбинации в кремний-германиевых квантовых ямах / В. С. Кривобок, С. Н. Николаев, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, В. С. Багаев, Е. Е. Онищенко, В. С. Лебедев, М. Л. Скориков, Е. В. Уцина, М. В. Кочиев // Письма в ЖЭТФ. — 2016. — Т. 104. — С. 229.
5. Многочастичные состояния и факторы, осложняющие экспериментальное наблюдение квантовой когерентности в экситоном газе квантовых ям SiGe/Si / В.С. Багаев, Э.Т. Давлетов, В. С. Кривобок, С.Н. Николаев, А.В. Новиков, Е.Е. Онищенко, А.А. Пручкина, М.Л. Скориков // ЖЭТФ. — 2015. — Т. 148. — С. 1198.
6. Электронно-дырочная жидкость в низкоразмерных кремний-германиевых гетероструктурах / Н. Н. Сибельдин // ЖЭТФ. — 2015. — Т. 149. — С. 678.

7. Structural and optical studies of strain relaxation in Ge1 − xSnx layers grown on Ge/Si (001) by molecular beam epitaxy / A.S. Nikolenko, V.V. Strelchuk, N.V. Safriuk, S.B. Kryvyi, V.P. Kladko, O.S. Oberemok, L.V. Borkovska, Yu.G. Sadofyev // Thin Solid Films. — 2016. — V. 613. — P. 68.

д.ф.-м.н., в.н.с, заведующий кафедрой теоритической физики ННГУ им. Н. И. Лобачевского.

Отзыв >>> (300 Kбайт)

1. Radiative decay rates in Si crystallites with a donor ion / N.V. Derbenyova, V.A. Burdov // Journal of Applied Physics. — 2018. — V. 123. — P. 161598.
2. Effect of Doping with Shallow Donors on Radiative and Nonradiative Relaxation in Silicon Nanocrystals: Ab Initio Study / N.V. Derbenyova, V.A. Burdov // Journal of Physical Chemistry C. — 2018. — V. 122. — P. 850.
3. Electronic states and optical gap of phosphorus-doped silicon nanocrystals embedded in a silica host matrix / A.A. Konakov, V.A. Belyakov, V.A. Burdov // Solid State Phenomena. — 2014. — V. 205−206. — P. 486.
4. Quenching the photoluminescence from Si nanocrystals of smaller sizes in dense ensembles due to migration processes / V.A. Belyakov, K.V. Sidorenko, A.A. Konakov, A.V. Ershov, I.A. Chugrov, D.A. Grachev, D.A. Pavlov, A.I. Bobrov, V.A. Burdov // Journal of Luminescence. — 2014. — V. 175. — P. 1.
5. Resonant tunneling of carriers in silicon nanocrystals / N.V. Derbenyova, A.A. Konakov, V.A. Burdov // Journal of Applied Physics. — 2016. — V. 120. — P. 134302.
6. On the temperature dependence of silicon quantum dot photoluminescence / S.N. Nagornykh, V.I. Pavlenkov, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, V.A. Burdov, L.V. Krasilnikova, D.I. Kryzhkov, D.I. Tetelbaum // Russian Microelectronics. — 2014. — V. 43. — P. 575.

д.ф.-м.н., в.н.с., ФГБУН Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук.

Отзыв >>> (260 Kбайт)

1. Гетероструктуры с GaAs/GaP-квантовыми ямами, выращенные на Si-подложках / Д. С. Абрамкин Д.С., М. О. Петрушков, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Е. А. Емельянов, В. В. Преображенский, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев // ФТП. — 2019. — Т. 53. — С. 1167.
2. Optical orientation and alignment of excitons in direct and indirect band gap (In, Al) As/AlAs quantum dots with type-I band alignment / J. Rautert, T.S. Shamirzaev, S.V. Nekrasov, D.R. Yakovlev, P. Klenovský, Y.G. Kusrayev, M. Bayer // Physical Review B. — 2019. — V. 99. — P. 195411.
3. On the structure and photoluminescence of dislocations in silicon / L.I. Fedina, A.K. Gutakovskii, T.S. Shamirzaev // JournalofAppliedPhysics. — 2019. — V. 124. — P. 053106.
4. Квантовые точки, сформированные в гетеросистемах InSb/AlAs и AlSb/AlAs/ Д. С. Абрамкин, К. М. Румынин, А. К. Бакаров, Д. А. Колотовкина, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев // Письма в ЖЭТФ. — 2016. — Т. 103. — С. 785.
5. Coexistence of type-I and type-II band alignment in Ga (Sb, P)/GaP heterostructures with pseudomorphic self-assembled quantum dots / D. S. Abramkin, V.T. Shamirzaev, M. A. Putyato, A.K. Gutakovskii, T.S. Shamirzaev // JETF Letters. — 2014. — V. 99. — P. 81.
6. Полупроводниковые гетероструктуры первого рода с непрямой запрещенной зоной на подложках с ориентацией (110) / Д. С. Абрамкин, Т. С. Шамирзаев // ФТП. — 2019. — Т. 53. — С. 710.

кандидат физико-математических наук,
старший научный сотрудник Лаборатории интенсивных радиационных
воздействий, Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского

Отзыв >>>

доктор физико-математических наук, заведующий
отделом, профессор, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова,
Сибирского отделения РАН

Отзыв >>> (820 Kбайт)

доктор физико-математических наук, ведущий научный сотрудник Лаборатории нанодиагностики и нанолитографии Федерального государственного бюджетного учреждения науки Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН)

Отзыв >>>