Предсказаны, обнаружены и детально исследованы новые физические явления, возникающие при динамическом разогреве носителей заряда в полупроводниках в сильных электрических и магнитных полях, приводящем с значительной деформации функции распределения, локализации и накоплению носителей в выделенных оюластях импульсного програнства. Впервые получено стимулированное излучение в инвертированных системах горячих дырок в Ge и созданы первые в мире лабораторные образцы полупроводниковых мазеров и лазеров коротковолновой части миллиметрового, субмиллиметрового и дальнего ИК (терагерцового) диапазонов
Премия была присуждена следующим ученым:
- А.А.Андронов,
- А.М.Белянцев,
- Л.Е. Воробьев (ЛПТИ),
- В.И. Гавриленко,
- Ю.Л.Иванов (ФТИ им. Иоффе),
- З.Ф. Красильник,
- В.А. Козлов,
- И.Б. Левинсон (ИПТМ АН СССР),
- В.Н. Мурзин (ФИАН),
- Е.В. Стариков (ИФП АН Лит. ССР),
- В.Н. Шастин,
- П.Н. Шикторов (ИФП АН Лит. ССР).
В.Н. Шастин, З. Ф. Красильник, В. И. Гавриленко, А. А. Андронов, А. М. Белянцев, В. А. Козлов