Из истории института

Институт физики микроструктур РАН — филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" образован в результате реорганизации ФГБУН Институт физики микроструктур РАН (ИФМ РАН) путем присоединения к ИПФ РАН, в соответствии с приказом ФАНО России от 30.06.2015 № 334. Директором института явлется д.ф.-м.н. Новиков Алексей Витальевич

ИФМ РАН образован Постановлением Президиума РАН № 173 от 28 сентября 1993 года на базе Отделения физики твердого тела Института прикладной физики АН СССР. ИФМ РАН числился в составе Отделения физических наук Российской академии наук (1993−2013), Нижегородского научного центра РАН (2009−2013). В соответствии с Федеральным законом от 27 сентября 2013 г. № 253-ФЗ «О Российской академии наук, реорганизации государственных академий наук и внесении изменений в отдельные законодательные акты Российской Федерации» и распоряжением Правительства Российской Федерации от 30 декабря 2013 г. № 2591-р ИФМ РАН был передан в ведение Федерального агентства научных организаций (ФАНО России). С 1 марта 2016 года Институт физики микроструктур вошел в состав образованного Федерального государственного бюджетного научного учреждения «Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук» на правах обособленного подразделения (филиала). Указом Президента Р. Ф. от 15 мая 2018 «О структуре федеральных органов исполнительной власти» ФАНО было ликвидировано, а подведомственные ему институты переданы вновь образованному Министерству науки и высшего образования РФ.

Директором-основателем института, возглавлявшим его в 1993—2009 гг. г., является академик С. В. Гапонов. С июня 2009 г. по июль 2020 г. директором института был чл.-корр. З. Ф. Красильник. В настоящее время З.Ф.Красильник занимает должность руководителя научного направления «Физика микро- и наноструктур». С 30 июля 2020 г. исполняющим обязанности директора ИФМ РАН был д.ф.-м.н., проф. В.И.Гавриленко. 15 октября 2021 г. должность директора стал занимать д.ф.-м.н. А.В. Новиков

В институте проводятся фундаментальные научные исследования по направлениям: физика, технология и диагностика твердотельных микро- и наноструктур; многослойная оптика рентгеновского и ультрафиолетового диапазонов; кремниевая оптоэлектроника; спектроскопия, спектрометрия и электроника терагерцового и субтерагерцового диапазонов; физика магнитных наноструктур и спинтроника; физика сверхпроводников и сверхпроводниковая электроника.

Эффективное использование уникального оборудования обеспечивают общепризнанные «Центр коллективного пользования «Физика и технология микро- и наноструктур» и уникальный стенд «Фемтоспектр».

В ИФМ 275 сотрудников, из них более 180 исследователей (25 докторов и 80 кандидатов наук, 1 академик, 3 чл.-корр. РАН).

ИФМ РАН имеет тесные связи с Нижегородским государственным университетом в области научных исследований и подготовки кадров. В ИФМ РАН работает межфакультетская базовая кафедра Университета Лобачевского «Физика наноструктур и наноэлектроника».

Госпремии

Работа представляет собой цикл исследований, проведенных в 1975–1988 годах и направленных на создание светосильной радиационно-стойкой оптики мягкого и ультрамягкого рентгеновского диапазона длин волн. В цикл входят работы начиная с исследований, в которых сформулированы основные принципы построения многослойной рентгеновской оптики и физические основы технологии многослойных структур из сверхтонких пленок до изготовления рентгенооптических устройств и применения их в физических экспериментах.

• λ = 0.01-30 нм;
• R_⊥ = 10^-6 ÷ 10^-2;
• Im ε_1,2 ≠ 0 → R < 1;
• |1 — ε| << 1 → N >> 1 (N ~ 50 ÷ 300);
• d = h₁ + h_2;
• d ≈ 0,7 ÷ 30 нм;
• h_min = 0.4 ÷ 0.6 нм;
• |1 — ε| ≈ 10^-6 ÷ 10^-1.

Премия была присуждена следующим ученым:

• А.Д. Ахсахалян,
• А.В. Виноградов (ФИ АН),
• С.В. Гапонов,
• В.М. Генкин,
• Б.М. Лускин,
• Ю.Я. Платонов,
• Н.Н. Салащенко,
• А.И. Федоренко (ХПТИ)

Д. Г. Павельев, Г. М. Генкин, В. А. Тюрина, И. Г. Забродин, С. В. Гапонов, Ю. Я. Платонов, Е. Б. Клюенков, Н. Н. Салащенко

Возврат к списку