|
Институт физики микроструктур РАН — филиал Федерального государственного бюджетного
научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" образован в результате реорганизации ФГБУН Институт физики микроструктур РАН (ИФМ РАН) путем присоединения к ИПФ РАН, в соответствии с приказом ФАНО России от 30.06.2015 № 334. Директором института явлется д.ф.-м.н. Новиков Алексей Витальевич
ИФМ РАН образован Постановлением Президиума РАН № 173 от 28 сентября 1993 года на базе Отделения физики твердого тела Института прикладной физики АН СССР. ИФМ РАН числился в составе
Отделения физических наук
Российской академии наук (1993−2013),
Нижегородского научного центра РАН (2009−2013). В соответствии с Федеральным законом от 27 сентября 2013 г. № 253-ФЗ «О Российской академии наук, реорганизации государственных академий наук и внесении изменений в отдельные законодательные акты Российской Федерации» и распоряжением Правительства Российской Федерации от 30 декабря 2013 г. № 2591-р ИФМ РАН был передан в ведение Федерального агентства научных организаций (ФАНО России). С 1 марта 2016 года Институт физики микроструктур вошел в состав образованного Федерального государственного бюджетного научного учреждения «Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук» на правах обособленного подразделения (филиала). Указом Президента Р. Ф. от 15 мая 2018 «О структуре федеральных органов исполнительной власти» ФАНО было ликвидировано, а подведомственные ему институты переданы вновь образованному Министерству науки и высшего образования РФ.
Директором-основателем института, возглавлявшим его в 1993—2009 гг. г., является академик С. В. Гапонов. С июня 2009 г. по июль 2020 г. директором института был чл.-корр. З. Ф. Красильник. В настоящее время З.Ф.Красильник занимает должность руководителя научного направления «Физика микро- и наноструктур». С 30 июля 2020 г. исполняющим обязанности директора ИФМ РАН был д.ф.-м.н., проф. В.И.Гавриленко. 15 октября 2021 г. должность директора стал занимать д.ф.-м.н. А.В. Новиков
В институте проводятся фундаментальные научные исследования по направлениям: физика, технология и диагностика твердотельных микро- и наноструктур; многослойная оптика рентгеновского и ультрафиолетового диапазонов; кремниевая оптоэлектроника; спектроскопия, спектрометрия и электроника терагерцового и субтерагерцового диапазонов; физика магнитных наноструктур и спинтроника; физика сверхпроводников и сверхпроводниковая электроника.
Эффективное использование уникального оборудования обеспечивают общепризнанные «Центр коллективного пользования «Физика и технология микро- и наноструктур» и уникальный стенд «Фемтоспектр».
В ИФМ 275 сотрудников, из них более 180 исследователей (25 докторов и 80 кандидатов наук, 1 академик, 3 чл.-корр. РАН).
ИФМ РАН имеет тесные связи с Нижегородским государственным университетом в области научных исследований и подготовки кадров. В ИФМ РАН работает
межфакультетская базовая кафедра Университета Лобачевского «Физика наноструктур и наноэлектроника».
Полупроводниковую тематику в институте было поручено возглавить Авениру Михайловичу Белянцеву, ставшему в 1966 году заведующим отделом №4 НИРФИ. Формируется исследовательская группа в составе Владимира Анатольевича Козлова, Владимира Ивановича Пискарева (до этого занимался лазерной тематикой, впоследствии занялся умножением частоты излучения МЦР в InSb), Владимира Алексеевича Валова (применение приемников П5-10 и П5-16 для регистрации нелинейных преобразований частот миллиметрового диапазона в InSb). В 1969 г. А. М. Белянцев и В. Н. Генкин публикуют работу «О линейном приемнике субмиллиметрового диапазона» в журнале Изв. ВУЗов Радиофизика.
В 1970 году А. М. Белянцев возглавил вновь образованный отдел №2, а в «твердотельную» группу вливаются выпускники радиофака ГГУ того года Захарий Фишелевич Красильник (включается в исследования в области акустоэлектроники под руководством Михаила Израилевича Рабиновича), Борис Александрович Трифонов (нелинейные эффекты в антимониде индия и арсениде галлия в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах, рук. — А. М. Белянцев), Владимир Владимирович Соколов (размерные эффекты в тонких пленках, рук. — В. Н. Генкин). В 1971 году в отдел поступает после окончания ГГУ Валерий Николаевич Шастин (мазер на циклотронном резонансе электронов в антимониде индия, рук. — Александр Александрович Андронов), а в 1973 году — Анатолий Александрович Игнатов (полупроводниковые сверхрешетки, рук. — А. М. Белянцев). В этот период с отделом активно сотрудничают, а затем и переходят в него работать из других подразделений НИРФИ А. А. Андронов (горячие носители заряда в полупроводниках), В. Н. Генкин и В. М. Генкин (механизмы нелинейности полупроводников), Г. М. Генкин и Ю. Н. Ноздрин (магнитооптика).
С 1973 г. для расчета высокочастотной проводимости полупроводников с реально достижимыми в то время параметрами В. А. Козловым развивается метод математического моделирования Монте-Карло. В 1978 году, после окончания аспирантуры Московского физико-технического института, Владимир Изяславович Гавриленко начинает исследования циклотронного резонанса и, вскоре, спонтанного излучения в дальнем ИК диапазоне горячих дырок Ge. В 1980 г. в отдел поступает Владимир Иванович Шашкин (параметрические эффекты в сверхрешетках, рук. — А. М. Белянцев).
В 1979 году В. Н. Шастиным и А. А. Андроновым высказывается идея о создании лазера на межподзонных переходах горячих дырок в германии. Исследования в области физики горячих носителей заряда и открытие полупроводниковых лазера (1984 г.) и мазера на горячих дырках в германии c отрицательными эффективными массами (1984 г.) получили широкую известность и были отмечены Государственной премией СССР в области науки и техники 1987 г. (лауреаты от ИПФ АН СССР - А. А. Андронов, А. М. Белянцев, В. И. Гавриленко, В. А. Козлов, З. Ф. Красильник, В. Н. Шастин).
В 1977 году на базе ряда подразделений НИРФИ образуется Институт прикладной физики АН СССР (ИПФ АН СССР), его директором назначен академик А. В. Гапонов-Грехов. ИПФ АН СССР был задуман и создан как институт широкого профиля, сочетающий фундаментальные и прикладные исследования в области физики плазмы, электроники больших мощностей, физики атмосферы, гидрофизики и квантовой электроники. Сюда в числе других переводится отдел № 2 (отдел № 320), а в 1978 году в ИПФ АН СССР из НИИ «Салют» во главе с Сергеем Викторовичем Гапоновым переходит большая группа сотрудников, в их числе Николай Николаевич Салащенко, Арам Давидович Ахсахалян, Евгений Борисович Клюенков, Валерий Иванович Лучин, и образуется отдел № 560, основная тематика которого связана с лазерным, а затем и магнетронным напылением тонких пленок полупроводников, металлов и диэлектриков. Формируется направление исследований многослойной оптики рентгеновского диапазона. Впоследствии, за создание многослойной оптики мягкого и ультрамягкого рентгеновского диапазона длин волн была присуждена Государственная премия СССР в области науки и техники 1991 г. А. Д. Ахсахаляну, С. В. Гапонову, В. М. Генкину, Б. М. Лускину, Ю. Я. Платонову и Н. Н. Салащенко.
Нобелевские премии по физике 1986 года «За изобретение сканирующего туннельного микроскопа» и 1987 года «За важный прорыв в физике, выразившийся в открытии
сверхпроводимости в
керамических
материалах» послужили мощными стимулами для постановки соответствующих исследований в институте. Уже в 1988 году методом лазерного напыления были получены пленки высокотемпературных сверхпроводников с параметрами, соответствующими рекордным. Изготовлены первые зондовые туннельные микроскопы.
Работы в области высокотемпературной проводимости со временем стали одним из важнейших направлений исследований института, а зондовые микроскопы — эффективным инструментарием.
В 1988 г. в ИПФ АН СССР образуется Отделение физики твердого тела и оптики (директор — С. В. Гапонов) в составе отделов 410 — физика полупроводников (рук. А. М. Белянцев); 420 — физика сверхпроводников (А.А. Андронов); 430 — физика поверхности (Н.Н. Салащенко), лаб. 440 (1989 г.) — спектроскопия твердого тела (З.Ф. Красильник). Тогда же формируется и Специальное конструкторско-технологическое бюро в составе отделов С-10 (Ф.В. Гарин), С-20 (Е.Б .Клюенков), С-30 (В.И. Шашкин), С-40 (Д.Г. Павельев), С-50 (В.И. Островский).
В сентябре 1993 года Постановлением Президиума РАН на базе Отделения физики твердого тела и оптики Института прикладной физики РАН был образован Институт физики микроструктур РАН, куда переведены упомянутые выше научные подразделения.
З.Ф. Красильник, В. А. Козлов