Институт физики микроструктур РАН
- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)
|
Итоги XXV Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике.
04.12.2023
27 ноября – 1 декабря в Санкт-Петербурге прошла XXV Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. В работе конференции приняли участие аспиранты, студенты и молодые ученые из Санкт-Петербурга, Москвы, Нижнего Новгорода, Новосибирска, Екатеринбурга, Саратова, Ульяновска, Владивостока и Еревана.
В число награжденных Программным комитетом аспирантов и студентов вошли сотрудники ИФМ РАН.
Премию им. Е.Ф. Гросса за лучшую работу в области оптики полупроводников за доклад "Беспороговая оже-рекомбинация в квантовых ямах на основе гетероструктур HgCdTe в диапазоне 3 – 5 мкм" получила Янцер Арина Андреевна (2 курс магистратуры ННГУ, научный руководитель Фадеев М.А.).
Дипломами отмечены доклады:
Мажукиной Ксении Александровны (2 курс магистратуры ННГУ, научный руководитель Румянцев В.В.) "Генерация длинноволнового стимулированного излучения в квантовых ямах HgCdTe с увеличенным энергетическим порогом оже-рекомбинации",
Захарова Всеволода Евгеньевича (аспирант ННГУ, научный руководитель Яблонский А.Н.) "Спектро-кинетические исследования ФЛ SiGe наноструктур с Ge(Si) наноостровками встроеннными в двумерные фотонные кристаллы",
Рудакова Артура Олеговича (аспирант ИФМ РАН, научный руководитель Алешкин В.Я.) "Усиление плазмонов в многоямных гетероструктурах HgTe/CdHgTe".