26-я Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике.
Меню
EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

26-я Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике.

26-я Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике.

26-я Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. 04.12.2024

29 ноября 2024 года в Санкт-Петербурге завершила работу 26-я Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. В конференции приняли участие около ста студентов, аспирантов и молодых ученых из 10 городов России (Санкт-Петербург, Москва, Нижний Новгород, Новосибирск, Екатеринбург, Саратов, Пенза, Уфа, Воронеж) и Армении. Они представляли более 20 вузов и научных центров.

Дипломами Программного комитета были отмечены молодые ученые ИФМ РАН:

Захаров Всеволод Евгеньевич, доклад: «Исследование pin светоизлучающих диодов с Ge(Si) наноостровками в двумерных фотонных кристаллах»

Мажукина Ксения Александровна, доклад: «Лазерное излучение среднего ИК диапазона в мезаструктурах на основе HgCdTe при оптической накачке»

Янцер Арина Андреевна, доклад: «Длинноволновый VCSEL на основе гетероструктуры с квантовыми ямами HgTe/HgCdTe с сильнолегированным полупроводником и металлом в качестве зеркал».

Возврат к списку