Институт физики микроструктур РАН
- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)
|
Создан стенд лазерно-плазменного источника литографа на длину волны 11,2 нм
12.03.2026
Группой ученых ИФМ РАН и ИПФ РАН под руководством зав. отделом многослойной рентгеновской оптики члена-корреспондента РАН Чхало Н.И. создан уникальный стенд, который является прототипом лазерно-плазменного источника рентгеновского литографа нового поколения с рабочей длиной волны 11,2 нм.Экспериментальный стенд предназначен для тестирования ключевых элементов и определения параметров будущего лазерно-плазменного источника и включает в себя основные узлы демо-источника будущего литографа.