Институт физики микроструктур РАН
- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)
|
Публикация о З.Ф. Красильнике в журнале «Физика и техника полупроводников»
21.12.2022
В 11 номере журнала «Физика и техника полупроводников» в разделе Персоналии вышла статья посвященная 75-летию Красильника Захария Фишелевича, члена-корреспондента РАН, руководителя научного направления «Физика микро- и наноструктур», заведующего лабораторией спектроскопии твердого тела Института физики микроструктур РАН (ИФМ РАН) — филиала ИПФ РАН, профессора, доктора физико-математических наук.
Коллеги, друзья и редколлегия журнала сердечно поздравляют и рассказывают о важных этапах жизни Захария Фишелевича, его научной деятельности, открытиях и службе на благо Отечества.
Со статьей можно ознакомиться по адресу https://journals.ioffe.ru/issues/2215