Юнин Павел Андреевич
Меню
EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

Юнин Павел Андреевич

Юнин Павел Андреевич

Научный сотрудник отдела технологии наноструктур и приборов (8140), к.ф.-м.н.

Персональные данные

Родился 16 мая 1989 г.

Научные интересы

Рентгеновская дифрактометрия полупроводниковых гетероструктур; рентгеновский фазовый анализ поликристаллов; малоугловая рентгеновская рефлектометрия; послойный ВИМС анализ; методы анализа и обработки данных рентгеновской дифрактометрии и масс-спектрометрии вторичных ионов; кристаллофизика; методы диагностики структуры и состава твердых тел, дефекты в кристаллах.

Образование

  • 1996 — 2006 — Гимназия № 2 г. Нижнего Новгорода
  • 2006 — 2012 — Физический факультет ННГУ им. Н.И. Лобачевского
  • 2012 — 2016 — аспирантура ИФМ РАН
  • 2016 г. — защитил диссертацию кандидата физико-математических наук по теме «Развитие методов вторично-ионной масс-спектрометрии и рентгеновской дифрактометрии для исследования многослойных полупроводниковых гетероструктур» под руководством Ю.Н. Дроздова

Профессиональная карьера

  • 2010 — 2012 — инженер-исследователь ИФМ РАН, студент межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника»
  • 2012 — 2016 — младший научный сотрудник ИФМ РАН
  • 2016 — 2021 — научный сотрудник ИФМ РАН, старший преподаватель межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», читает курс лекций «Основы дифракционного структурного анализа»
  • 2021 — н.вр. — старший научный сотрудник ИФМ РАН, доцент межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», читает курс лекций «Основы дифракционного структурного анализа», заведующий лабораторией 8142 Диагностики радиационных дефектов в твердотельных наноструктурах

Избранные публикации

  1. D.A. Mikhaylov, E.A. Potanina, A.V. Nokhrin, A.I. Orlova, P.A. Yunin, N.V. Sakharov, M.S. Boldin, O.A. Belkin, V.A. Skuratov, A.T. Issatov, V.N. Chuvil’deev, N.Y. Tabachkova, Investigation of the Microstructure of Fine-Grained YPO4:Gd Ceramics with Xenotime Structure after Xe Irradiation, Ceramics, 5 (2022) 237-252.
  2. I.L. Kalentyeva, O.V. Vikhrova, Y.A. Danilov, M.V. Dorokhin, B.N. Zvonkov, Y.M. Kuznetsov, A.V. Kudrin, D.V. Khomitsky, A.E. Parafin, P.A. Yunin, D.V. Danilov, Effect of pulsed laser annealing on the properties of (Ga,Mn)As layers, J. Magn. Magn. Mater., 556 (2022) 169360.
  3. A.V. Vorotyntsev, A.N. Markov, A.A. Kapinos, A.N. Petukhov, A.A. Atlaskin, A.A. Golovacheva, I.V. Vilkov, P.A. Yunin, V.M. Vorotyntsev, I.V. Vorotyntsev, Direct synthesis of nanostructural and nanospherical silica using induction jet levitation: synthesis, design and catalytic application, Materials Today Chemistry, 26 (2022) 101004
  4. P.A. Yunin, Y.I. Sachkov, V.V. Travkin, G.L. Pakhomov, Stability of Manganese(II) Phthalocyanine Films in Ambient Air, Macroheterocycles, 15 (2022) 74-84.
  5. P. Quach, A. Jollivet, A. Babichev, N. Isac, M. Morassi, A. Lemaitre, P.A. Yunin, E. Frayssinet, P. de Mierry, M. Jeannin, A. Bousseksou, R. Colombelli, M. Tchernycheva, Y. Cordier, F.H. Julien, A 5.7 THz GaN/AlGaN quantum cascade detector based on polar step quantum wells, Appl. Phys. Lett., 120 (2022) 171103. 
  6. N.V. Vostokov, M.N. Drozdov, S.A. Kraev, D.N. Lobanov, A.V. Novikov, P.A. Yunin, All-epitaxial Al/AlGaN/GaN low-barrier Schottky diodes, Appl. Phys. Lett., 121 (2022) 233507.
  7. D.N. Lobanov, K.E. Kudryavtsev, M.I. Kalinnikov, L.V. Krasilnikova, P.A. Yunin, E.V. Skorokhodov, M.V. Shaleev, A.V. Novikov, B.A. Andreev, Z.F. Krasilnik, Near-infrared stimulated emission from indium-rich InGaN layers grown by plasma-assisted MBE, Appl. Phys. Lett., 118 (2021) 151902.
  8. P.A. Yunin, Y.I. Sachkov, V.V. Travkin, E.V. Skorokhodov, G.L. Pakhomov, Nanostructuring of Mn(II)Pc thin films by vacuum deposition in a weak magnetic field, Vacuum, 194 (2021) 110584.
  9. L. Mochalov, A. Logunov, M. Kudryashov, I. Prokhorov, T. Sazanova, P. Yunin, V. Pryakhina, I. Vorotuntsev, V. Malyshev, A. Polyakov, S.J. Pearton, Heteroepitaxial Growth of Ga2O3 Thin Films of Various Phase Composition by Oxidation of Ga in Hydrogen-Oxygen Plasmas, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 10 (2021) 073002.
  10. V.V. Travkin, P.A. Yunin, A.N. Fedoseev, A.I. Okhapkin, Yu.I. Sachkov, G.L. Pakhomov, Wavelength-selective Performance of Perovskite-based Solar Cells, Solid State Sciences, 99 (2020) 106051.
  11. N.V. Vostokov, M.N. Drozdov, O.I. Khrykin, P.A. Yunin, V.I. Shashkin, Low-barrier Mott diodes with near-surface polarization-induced δ-doping, Appl. Phys. Lett., 116 (2020) 013505.
  12. D.F. Grossi, S. Koelling, P.A. Yunin, P.M. Koenraad, G.V. Klimko, S.V. Sorokin, M.N. Drozdov, S.V. Ivanov, A.A. Toropov, A.Y. Silov, Design and Characterization of a Sharp GaAs/Zn(Mn)Se Heterovalent Interface: A Sub-Nanometer Scale View, Nanomaterials, 10 (2020) 1315.
  13. Yunin P.A., Drozdov Y.N. How to distinguish between opposite faces of an a-plane sapphire wafer, Journal of Applied Crystallography, 2018, V. 51, part 2, P. 549-551.
  14. P.A. Yunin, Y.N. Drozdov, M.N. Drozdov, O.I. Khrykin, V.I. Shashkin, Quantitative SIMS depth profiling of Al in AlGaN/AlN/GaN HEMT structures with nanometer-thin layers, Surf. Interface Anal., 49 (2017) 117-121.
  15. P.A. Yunin, Yu.N. Drozdov, M.N. Drozdov A new approach to express ToF SIMS depth profiling, Surf. Interface Anal., 2015, V. 47, P. 771-776.
  16. P.A. Yunin. Yu.N. Drozdov, M.N. Drozdov, D.V. Yurasov Recovery of SIMS depth profiles with account for nonstationary effects, Appl. Surf. Sci., 2014, V. 307, p. 33-41.
  17. P.A.Yunin, Yu.N. Drozdov, M.N. Drozdov Experimental shift allowance in the deconvolution of SIMS depth profiles, Surf. Interface Anal., 2013, V. 45, p. 1228-1232.

Контактная информация

Тел.: (831) 417−94−91 (+238)

Возврат к списку