Красильник Захарий Фишелевич

Доктор физико-математических наук, профессор

Руководитель научного направления «Физика микро- и наноструктур» ФИЦ "Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук". 

Главный научный сотрудник, Лаборатория технологии и физики полупроводниковых структур для фотоники (111), Отдел физики полупроводников (110). 

zfk@ipmras.ru

Звание

Академик РАН, профессор

Область научных интересов

Спектроскопия твердого тела, горячие носители заряда в полупроводниках, физика твердотельных наноструктур, молекулярно-лучевая эпитаксия наноструктур на основе кремния, кремниевая оптоэлектроника.

Образование

• 1965-1970 – Горьковский госуниверситет, специальность «радиофизик-исследователь»
• 1967 – кандидатская диссертация, тема «Взаимодействие волн в полупроводниках с дрейфом носителей заряда», научный руководитель — член-корр. РАН, профессор М.И. Рабинович
• 1988 – докторская диссертация, тема «Инвертированные распределения и индуцированное циклотронное излучение дырок с отрицательными массами в полупроводниках»

Педагогическая деятельность

• 1989–2003 гг. – ст. преподаватель, профессор кафедры электроники радиофизического факультета ННГУ им. Н. И. Лобачевского, заведующий филиалом кафедры электроники в ИФМ РАН, руководитель специализации «Физика твердого тела» на  ВШОПФ ННГУ им. Н. И. Лобачевского
• 2004-2026 гг. – заведующий межфакультетской базовой кафедрой «Физика наноструктур и наноэлектроника» ННГУ им. Н. И. Лобачевского в ИФМ РАН, заслуженный профессор ННГУ

Профессиональная карьера

• 1965–1977 гг. – м.н.с., старший инженер, с.н.с. НИРФИ
• 1977–1993 гг. – м.н.с., с.н.с., зав. лабораторией, зав. отделом, зам. директора отделения Института прикладной физики АН СССР (РАН)
• 1993–2009 гг. – замдиректора ИФМ РАН, заведующий отделом физики полупроводников ИФМ РАН
• 2009–2020 гг. – директор ИФМ РАН
• 2020 г. – руководитель научного направления "Физика микро- и наноструктур" ФИЦ ИПФ РАН

Членство в профессиональных организациях

• академик РАН
• член бюро Научного совета при Президиуме РАН по проблеме "Квантовые технологии", член Научного совета РАН по проблеме «Физика полупроводников» 
• член редколлегий журналов «Успехи физических наук», «Физика и техника полупроводников», «Журнал технической физики».

Награды, премии, гранты, почетные звания

• 1987 г. – Государственная премия СССР в области науки и техники
• 1994 г. – Соросовский профессор
• 1994–2000 гг. – грант Правительства РФ для выдающихся ученых
• 1997–2006 гг. – гранты Правительства РФ по программе поддержки ведущих научных школ
• 2024 г. – медаль ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени, 2024 г. – медаль РАН к 300-летию со дня основания Российской академии наук
• 2021 г. - почётный член ФТИ им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
• 2022 г. - почётный член ИФТТ им. Ю.А. Осипяна Российской академии наук
• 2025 г. - почётный доктор Академического университета им. Ж.И. Алферова

Научные достижения

Основные направления научных исследований связаны с физикой полупроводников и полупроводниковых гетероструктур, физикой наноструктур и кремниевой оптоэлектроникой. Теоретически предсказаны взрывная неустойчивость акустоэлектронных волн, в том числе в условиях генерации гиперзвука светом при вынужденном рассеянии Мандельштама-Бриллюэна (1973 г.), комбинационное усиление звука в пьезополупроводниках в условиях черенковского резонанса при скоростях дрейфа меньших скорости звука (1976 г.). Одним из важнейших результатов научной деятельности явилось первое наблюдение индуцированной циклотронной неустойчивости тяжелых дырок германия. Создан полупроводниковый мазер с плавной перестройкой магнитным полем частоты генерации в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн. За цикл работ в этом направлении  в 1987 году З.Ф. Красильнику с соавторами была присуждена Государственная премия СССР в области науки и техники. 

По инициативе З. Ф. Красильника в ИФМ РАН были начаты работы по молекулярно-лучевой эпитаксии и исследованию оптических свойств кремний-германиевых структур и кремниевых структур, легированных эрбием. Была развита технология роста структур с самоорганизующимися кремний-германиевыми квантовыми точками. Под руководством З.Ф. Красильника коллективом исследователей ИФМ РАН и НИРФИ ННГУ им. Н.И. Лобачевского были получены излучающие эпитаксиальные кремниевые структуры, легированные эрбием, с уникальными свойствами излучающих центров. В кремний-германиевых структурах с квантовыми точками и в многослойных наноразмерных структурах кремний-эрбий продемонстрирована эффективная электролюминесценция в важном для телекоммуникаций диапазоне длин волн вблизи 1,5 мкм. Созданы гибридные А3В5 лазеры на искусственных Ge/Si подложках.

Контактная информация