Красильник Захарий Фишелевич

Руководитель научного направления «Физика микро- и наноструктур» ФИЦ "Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук", академик РАН (2025).

Профессор, доктор физ.-мат. наук, Член специализированных советов по защите диссертаций, Научного совета РАН по проблеме «Физика полупроводников», Научного совета при Президиуме РАН по проблеме "Квантовые технологии".

Член редколлегии журналов «Успехи физических наук», «Физика и техника полупроводников», «Журнал технической физики».

Председатель Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», член программных и организационных комитетов ряда международных и всероссийских научных конференций.

Заведующий межфакультетской базовой кафедрой ННГУ им. Н. И. Лобачевского в ИФМ РАН «Физика наноструктур и наноэлектроника».

Руководитель Ведущей научной школы России «Физические основы развития кремниевой оптоэлектроники ближнего ИК диапазона и освоение терагерцового диапазона с использованием полупроводниковых наноструктур».

Почетный сотрудник ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (2021), ИФТТ им. Ю.А. Осипяна РАН (2022), Почетный доктор Академического университета им. Ж.И. Алферова (2025).

Научные интересы

Спектроскопия твердого тела, горячие носители заряда в полупроводниках, физика твердотельных наноструктур, молекулярно-лучевая эпитаксия наноструктур на основе кремния, кремниевая оптоэлектроника. Более 400 научных работ.

Научные достижения

Основные направления научных исследований З. Ф. Красильника связаны с физикой полупроводников и полупроводниковых гетероструктур, физикой наноструктур и кремниевой оптоэлектроникой. З. Ф. Красильником теоретически предсказаны взрывная неустойчивость акустоэлектронных волн, в том числе в условиях генерации гиперзвука светом при вынужденном рассеянии Мандельштама — Бриллюэна (1973 г.), комбинационное усиление звука в пьезополупроводниках в условиях черенковского резонанса при скоростях дрейфа меньших скорости звука (1976 г.). Одним из важнейших результатов научной деятельности З. Ф. Красильника явилось первое наблюдение индуцированной циклотронной неустойчивости тяжелых дырок германия. В результате, под руководством З. Ф. Красильника были созданы полупроводниковые мазеры с плавной перестройкой магнитным полем частоты генерации в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн. За цикл работ в этом направлении З. Ф. Красильнику с соавторами в 1987 году была присуждена Государственная премия СССР в области науки и техники. .

По инициативе З. Ф. Красильника в ИФМ РАН были начаты работы по молекулярно-лучевой эпитаксии и исследованию оптических свойств кремний-германиевых структур и кремниевых структур, легированных эрбием. Была развита технология роста структур с самоорганизующимися кремний-германиевыми квантовыми точками. Под руководством З. Ф. Красильника коллективом исследователей ИФМ РАН и Научно-исследовательского физико-технического института ННГУ им. Н. И. Лобачевского были получены излучающие эпитаксиальные кремниевые структуры, легированные эрбием, с уникальными свойствами излучающих центров. В кремний-германиевых структурах с квантовыми точками и в многослойных наноразмерных структурах кремний-эрбий продемонстрирована эффективная электролюминесценция в важном для телекоммуникаций диапазоне длин волн вблизи 1,5 мкм. Созданы гибридные А3В5 лазеры на искусственных Ge/Si подложках.

Награды, премии и стипендии

• 1987 г. — Государственная премия СССР в области науки и техники.
• 1997—2002 гг. — Государственная стипендия для выдающихся ученых России.
• 2024 г. — Медаль ордена "За заслуги перед отечеством" II степени — за большой вклад в развитие отечественной науки, многолетнюю плодотворную деятельность и в связи с 300-летием со дня основания Российской академии наук.

Образование

• 1965 — 1970 — учеба на радиофизическом факультете Горьковского государственного университета им. Н. И. Лобачевского;
• 1977 — кандидатская диссертация «Взаимодействие волн в полупроводниках с дрейфом носителей заряда», научный руководитель — профессор М. И. Рабинович;
• 1988 — докторская диссертация «Инвертированные распределения и индуцированное циклотронное излучение дырок с отрицательными массами в полупроводниках».

Профессиональная карьера

• 1970 — 1977 — младший научный сотрудник НИРФИ;
• 1977 — 1993 — младший / старший научный сотрудник, зав. лабораторией, зав. отделом, зам. директора отделения Института прикладной физики АН СССР (РАН);
• 1993 — 2009 — зам. директора ИФМ РАН, заведующий отделом физики полупроводников ИФМ РАН;
• 2009 — 2020 - директор ИФМ РАН
• 2020 — руководитель научного направления "Физика микро- и наноструктур" ФИЦ ИПФ РАН.

Педагогическая деятельность 

• 1989 — 2003 г. — ст. преподаватель, профессор кафедры электроники (1996) радиофизического факультета ННГУ им. Н. И. Лобачевского, заведующий филиалом кафедры электроники в ИФМ РАН; руководитель специализации «Физика твердого тела» на ВШОПФ ННГУ им. Н. И. Лобачевского.
• 2004 — н/вр — заведующий межфакультетской базовой кафедрой «Физика наноструктур и наноэлектроника» ННГУ им. Н. И. Лобачевского в ИФМ РАН, заслуженный профессор ННГУ

Контактная информация