Цыпленков Вениамин Владимирович

Научный сотрудник отдела физики полупроводников, к. ф.-м. н.

Персональные данные

Родился 22 сентября 1981 г. в с. Сицкое Нижегородской области.

Научные интересы

Физика полупроводников, кремний, мелкие доноры.

Образование

Школа

Сицкая средняя школа.

ВУЗ

Радиофизический факультет ННГУ.

Профессиональная карьера

• 2004-н. в. — младший научный сотрудник ИФМ РАН.

Избранные публикации

• Релаксация возбужденных состояний доноров в кремнии с излучением междолинных фононов / В. В. Цыпленков, К. А. Ковалевский, В. Н. Шастин, ФТП 42 (9), 1032 (2008).
• Влияние одноосной деформации на релаксацию возбужденных состояний мелких доноров в кремнии при взаимодействии с междолинными фононами / В. В. Цыпленков, К. А. Ковалевский, В. Н. Шастин, ФТП 43 (11), 1450 (2009).

Контактная информация