Гавриленко Владимир Изяславович

Заместитель директора по научной работе, зав. отделом физики полупроводников, профессор ВШОПФ ННГУ (по совместительству), д. ф.-м. н., профессор.

Лауреат Государственной премии СССР в области науки и техники 1987 г.

Заслуженный профессор ННГУ (2016 г.)

Персональные данные

Родился 15 декабря 1951 года.

Научные интересы

Терагерцовый отклик двумерных полупроводниковых систем, циклотронный резонанс, мелкие примеси, квантовые каскадные лазеры, приемники терагерцового излучения, горячие носители, коллективные и спин-зависимые явления в квантовых ямах на основе узкозонных и бесщелевых полупроводников.

Образование

Факультет общей и прикладной физики Московского физико-технического института.

Профессиональная карьера

• 1969 — 1975 — учеба в МФТИ;
• 1975 — 1978 — аспирантура в МФТИ;
• 1978 — кандидат физико-математических наук (диссертация — «Исследование магнетоплазменного резонанса в электронно-дырочных каплях в германии»);
• 1978 — 1983 — младший научный сотрудник ИПФ АН СССР;
• 1983 — 1992 — старший научный сотрудник ИПФ АН СССР;
• 1987 — учёное звание старшего научного сотрудника по специальности «физика полупроводников и диэлектриков»;
• 1992 — доктор физико-математических наук (диссертация — «Поглощение и испускание электромагнитного излучения дальнего ИК диапазона длин волн горячими дырками в германии»);
• 1992 — 1993 — зав. лабораторией ИПФ РАН;
• 1994 — 2008 — учёный секретарь, зав. лабораторией ИФМ РАН;
• 2007 — учёное звание профессора по специальности «физика полупроводников»;
• 2008 — 2009 — зав. лабораторией ИФМ РАН;
• 2009 — 2015 — зам. директора, зав. отделом, зав. лабораторией ИФМ РАН;
• 2015 — 2016 — ВРИО директора, зав. отделом ИФМ РАН;
• 2016 — 2020 — зам. директора, зав. отделом ИФМ РАН;
• 2020 — 2021 — ВРИО директора, зав. отделом ИФМ РАН; 
• 2021 — н/вр. — зам. директора, зав. отделом ИФМ РАН;

Педагогическая деятельность и научное руководство диссертационными работами

Педагогическая деятельность

• 1986 — 1991 г. — доцент базовой кафедры электрофизики физико-технического факультета Горьковского политехнического института в ИПФ АН СССР;
• 1990 — 1992 г. — доцент, заведующий филиалом кафедр электроники твердого тела и теоретической физики факультета прикладной физики и микроэлектроники ННГУ им. Н. И. Лобачевского в ИПФ АН СССР;
• 1992 — н/вр — профессор Высшей школы общей и прикладной физики ННГУ им. Н. И. Лобачевского.

Диссертации

• 1990 — Никоноров Вячеслав Васильевич «Исследование механизмов индуцированного излучения горячими дырками в Ge по их поглощению и излучению в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волнах» (к.ф.-м.н.)
• 1995 — Коротков Андрей Леноктович «Детектирование инфракрасного и миллиметрового излучения болометрами на основе YbaCuO» (к.ф.-м.н.).
• 2000 — Молдавская Мария Давидовна «Субмиллиметровая спектроскопия носителей заряда в напряженных гетероструктурах Ge/GeSi» (к.ф.-м.н.).
• 2003 — Козлов Дмитрий Владимирович «Локализованные и резонансные состояния мелких акцепторов в напряженных полупроводниковых гетероструктурах и одноосно деформированном германии» (к.ф.-м.н.).
• 2006 — Ерофеева Ирина Викторовна «Субмиллиметровая фотопроводимость в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах» (к.ф.-м.н.).
• 2006 — Иконников Антон Владимирович «Циклотронный резонанс и примесное магнитопоглощение в гетероструктурах с квантовыми ямами» (к.ф.-м.н.).
• 2007 — Маремьянин Кирилл Владимирович «Генерация и детектирование терагерцового излучения в полупроводниковых наноструктурах А₃В₅» (к.ф.-м.н.).
• 2008 — Спирин Кирилл Евгеньевич «Магнитотранспорт и терагерцовый отклик в двумерных полупроводниковых наноструктурах» (к.ф.-м.н.).
• 2011 — Криштопенко Сергей Сергеевич «Спиновые и и коллективные эффекты в гетероструктурах InAs/AlSb с квантовыми ямами» (к.ф.-м.н.).
• 2011 — Krishtopenko Sergey «Spin splitting and collective effects in InAs/AlSb quantum well heterostructures» (доктор физики Университета Тулузы, Франция).
• 2014 — Ластовкин Артём Анатольевич «Исследование спектров излучения импульсных квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона и их применение для спектроскопии гетероструктур на основе HgTe/CdTe с квантовыми ямами» (к.ф.-м.н.).
• 2014 — Румянцев Владимир Владимирович «Фотопроводимость и фотолюминесценция эпитаксиальных пленок и структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в среднем и дальнем инфракрасном диапазоне» (к.ф.-м.н.).
• 2018 — Bovkun Leonid «Etude de la structure de bande de puits quantiques a base de semi-conducteurs de faible bande interdite HgTe et InAs» (доктор физики Университета Гренобля, Франция).
• 2022  — Морозов Сергей Вячеславович «Стимулированное излучение в среднем и дальнем инфракрасном диапазонах в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe» (д.ф.-м.н., научный консультант).

Избранные публикации

2023

• Intraband carrier relaxation in mid-infrared (3–4 μm) HgCdTe based structures: Effect of the carrier heating on the operating temperatures of bulk and quantum-well lasers / K.E. Kudryavtsev, V.V. Rumyantsev, V.V. Utochkin, A.A. Dubinov, V.Ya. Aleshkin, M.S. Zholudev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.G. Remesnik, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov // J. Appl. Phys. 133, 074301 (2023).
  

2022

• Stimulated Emission up to 2.75 µm from HgCdTe/CdHgTe QW Structure at Room Temperature / V.V. Utochkin, K.E. Kudryavtsev, A.A. Dubinov, M.A. Fadeev, V.V. Rumyantsev, A.A. Razova, E.V. Andronov, V.Ya. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, F. Teppe, S.V. Morozov // Nanomaterals 12, 2599 (2022).
  
• Лазерная генерация в гетероструктуре с квантовыми ямами Hg_1-xCd_xTe/Cd_yHg_1-yTe с микродисковыми резонаторами в диапазоне длин волн 4.1-5.1 мкм / А.А. Разова, В.В. Уточкин, М.А. Фадеев, В.В. Румянцев, А.А. Дубинов, К.Е. Кудрявцев, Д.В. Шенгуров, Е.Е. Морозова, Е.В. Скороходов, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, В.И. Гавриленко, С.В. Морозов. Журнал прикладной спектроскопии 89, 632 (2022).
  
• Non-Radiative Transitions of Holes on Mercury Vacancies in Narrow-Gap HgCdTe / D.V. Kozlov, V.V. Rumyantsev, A.V. Ikonnikov, V.V. Utochkin, A.A. Razova, K.A. Mazhukina, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, S.V. Morozov, V.I. Gavrilenko // Photonics 9, 887 (2022).
  
• Balancing the Number of Quantum Wells in HgCdTe/CdHgTe Heterostructures for Mid-Infrared lasing / M.A. Fadeev, A.A. Dubinov, A.A. Razova, A.A. Yantser, V.V. Utochkin, V.V. Rumyantsev, V.Ya. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, S.V. Morozov // Nanomaterials 12, 4398 (2022).
  
• Природа структурной асимметрии в двойных квантовых ямах HgTe / А.В. Иконнников, С.С. Криштопенко, Л.С. Бовкун, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, Б.А. Пио, М. Потемски, М. Орлита, Ф. Тепп, В.И. Гавриленко // Письма в ЖЭТФ 116, 535 (2022). 

2021

• Mid-infrared stimulated emission in HgCdTe/CdHgTe quantum well heterostructures at room temperature / M.A.Fadeev, A.O.Troshkin, A.A.Dubinov, V.V.Utochkin, A.A.Razova, V.V.Rumyantsev, V.Ya.Aleshkin, V.I.Gavrilenko, N.N.Mikhailov, S.A.Dvoretsky, S.V.Morozov // Optical Engineering 60, 082006 (2021).
  
• Urbach tail and nonuniformity probe of HgCdTe thin films and quantum well heterostructures grown by molecular beam epitaxy / V.V.Rumyantsev, A.A.Razova, M.A.Fadeev, V.V.Utochkin, N.N.Mikhailov, S.A.Dvoretsky, V.I.Gavrilenko, S.V.Morozov // Optical Engineering 60, 082007 (2021).
  
• Optical Studies and Transmission Electron Microscopy of HgCdTe Quantum Well Heterostructures for Very Long Wavelength Lasers / V.V. Rumyantsev, A.A. Razova, L.S. Bovkun, D.A. Tatarskiy, V.Y. Mikhailovskii, M.S. Zholudev, A.V. Ikonnikov, T.A. Uaman Svetikova, K.V. Maremyanin, V.V. Utochkin, M.A. Fadeev, V.G. Remesnik, V.Y. Aleshkin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, M. Potemski, M. Orlita, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov // Nanomaterials 11, 1855 (2021).
  
• Auger recombination in narrow gap HgCdTe/CdHgTe quantum well heterostructures / V. Ya. Aleshkin, V. V. Rumyantsev, K. E. Kudryavtsev, A. A. Dubinov, V. V. Utochkin, M. A. Fadeev, G. Alymov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, F. Teppe, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov // J. Appl. Phys. 129, 133106 (2021).
  
• Фототермическая ионизационная спектроскопия вакансий ртути в эпитаксиальных пленках HgCdTe / Д.В.Козлов, Т.А.Уаман Светикова, А.В.Иконников, В.В.Румянцев, А.А.Разова, М.С.Жолудев, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий, В.И. Гавриленко, С.В.Морозов // Письма в ЖЭТФ 113, 399 (2021).
  
• Coherent emission in the vicinity of 10 THz due to Auger-suppressed recombination of Dirac fermions in HgCdTe quantum wells / S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, M.S. Zholudev, A.A. Dubinov, V.Ya. Aleshkin, V.V. Utochkin, M.A. Fadeev, K.E. Kudryavtsev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko, F.Teppe // ACS Photonics 8, 3526 (2021).
  
• Towards Peltier-cooled mid-infrared HgCdTe lasers: analyzing the temperature quenching of stimulated emission at ~ 6 μm wavelength from HgCdTe quantum wells / K.E. Kudryavtsev, V.V. Rumyantsev, V.V. Utochkin, M.A. Fadeev, V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov, M.S. Zholudev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.G. Remesnik, F.Teppe, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov // J. Appl. Phys. 130, 214302 (2021).
  

2020

• Terahertz Emission from HgCdTe QWs under Long-Wavelength Optical Pumping / V.V. Rumyantsev, M.A. Fadeev, V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov, V.V. Utochkin, A.V. Antonov, D.A. Ryzhov, D.I. Kuritsin, V.I. Gavrilenko, Z.F. Krasilnik, C. Sirtori, F. Teppe, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, S.V. Morozov // J. of Infrared, Millimeter and Terahertz Waves, 41, 750 (2020).
  
• Sub-terahertz FET detector with self-assembled Sn-nanothreads / D.S. Ponomarev, D.V. Lavrukhin, A.E. Yachmenev, R.A. Khabibullin, I.E. Semenikhin, V.V. Vyurkov, K.V. Marem’yanin, V.I. Gavrilenko, M. Ryzhii, M. Shur, T. Otsuji, V. Ryzhii // J. Phys. D: Appl. Phys. 53, 075102 (2020).
  
• Зондирование состояний двухзарядного акцептора в гетероструктурах на основе CdHgTe с помощью оптического затвора / И.Д. Николаев, Т.А. Уаман Светикова, В.В. Румянцев, М.С. Жолудев, Д.В. Козлов, С.В. Морозов, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, В.И. Гавриленко, А.В. Иконников // Письма в ЖЭТФ 111, 682 (2020).
  
• Temperature limitations for stimulated emission in 3–4 μm range due to threshold and non-threshold Auger recombination in HgTe/CdHgTe quantum wells / K.E. Kudryavtsev, V.V. Rumyantsev, V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov, V.V. Utochkin, M.A. Fadeev, N.N. Mikhailov, G. Alymov, D. Svintsov, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov // Appl. Phys. Lett. 117, 083103 (2020).
  
• Эффекты электрон-электронного взаимодействия в спектрах магнитопоглощения квантовых ям HgTe/CdHgTe с инвертированной зонной структурой / Л.С. Бовкун, А.В. Иконников, С.С. Криштопенко, В.Я. Алешкин, М.С. Жолудев, С. Руффенах, К. Консежо, Ф. Тепп, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М. Потемски, М. Орлита, В.И. Гавриленко. Письма в ЖЭТФ 112, 541 (2020).

2019

• Терагерцовая спектроскопия “двумерного полуметалла” в трехслойных квантовых ямах InAs/GaSb/InAs / С.С. Криштопенко, С. Руффенах, Ф. Гонзалез-Посада, К. Консежо, В. Десра, Б. Жуо, В. Кнап, М.А. Фадеев, А.М. Кадыков, В.В. Румянцев, С.В. Морозов, Г. Буаcье, Э. Турнье, В.И. Гавриленко, Ф. Тепп // Письма в ЖЭТФ 109, 91 (2019).
• Магнитопоглощение в квантовых ямах HgCdTe/CdHgTe в наклонных магнитных полях / Л.С. Бовкун, А.В. Иконников, В.Я. Алешкин, М. Орлита, М. Потемски, Б.А. Пио, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, В.И. Гавриленко // Письма в ЖЭТФ 109, 184 (2019).
  
• Landau level spectroscopy of valence bands in HgTe quantum wells: Effects of symmetry lowering / L. S. Bovkun, A. V. Ikonnikov, V. Ya. Aleshkin, K. E. Spirin, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, F. Teppe, B. A. Piot, M. Potemski, M. Orlita, J. Phys.: Cond. Matter 31, 145501 (2019).
  
• Massless Dirac fermions in III-V semiconductor quantum wells / S. S. Krishtopenko, W. Desrat, K. E. Spirin, C. Consejo, S. Ruffenach, F. Gonzalez-Posada, B. Jouault, W. Knap, K. V. Maremyanin, V. I. Gavrilenko, G. Boissier, J. Torres, M. Zaknoune, E. Tournié, F. Teppe // Phys. Rev. B 99, 121405(R) (2019).
  
• Carrier Recombination, Long‐Wavelength Photoluminescence, and Stimulated Emission in HgCdTe Quantum Well Heterostructures / V. Rumyantsev, M. Fadeev, V. Aleshkin,  N. Kulikov, V. Utochkin, N, Mikhailov, S. Dvoretskii, S. Pavlov, H.‐W. Hübers, V. Gavrilenko, C. Sirtori, Z. F. Krasilnik, S. Morozov / Phys. Status Solidi B 256, 800546 (2019).
  
• Magneto-transport in inverted HgTe quantum wells / I.Yahniuk, S.S. Krishtopenko, G.Grabecki, B.Jouault, C.Consejo, W.Desrat, M.Majewicz, A.M. Kadykov, K.E. Spirin, V.I. Gavrilenko, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, D.B. But, F.Teppe, J.Wróbel, G.Cywiński, S. Kret, T.Dietl, W.Knap // npj Quantum Materials 4, 13 (2019).
  
• Magnetospectroscopy of double HgTe/CdHgTe QWs with inverted band structure in high magnetic fields up to 30 T // L.S. Bovkun, A.V. Ikonnikov, V.Ya. Aleshkin, K.V. Maremyanin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, S.S. Krishtopenko,, F. Teppe, B.A. Piot, M. Potemski, M. Orlita,, V.I. Gavrilenko // Opto-Electronics Rev. 27, 213 (2019).
  
• Особенности фотолюминесценции двойных акцепторов в гетероструктурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами в терагерцовом диапазоне // Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, Н. С. Куликов, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, Х.-В. Хюберс, Ф. Теппе, С. В. Морозов // Письма в ЖЭТФ 109, 679 (2019). 

2018

• Temperature-dependent terahertz spectroscopy of inverted-band three-layer InAs/GaSb/InAs quantum well / S.S. Krishtopenko, S. Ruffenach, F. Gonzalez-Posada, G. Boissier, M. Marcinkiewicz, M.A. Fadeev, A.M. Kadykov, V.V. Rumyantsev, S.V. Morozov, V.I. Gavrilenko, C. Consejo, W. Desrat, B. Jouault, W. Knap, E. Tournié, F. Teppe // Phys. Rev. B 97, 245419 (2018).
  
• Stimulated emission in the 2.8–3.5 μm wavelength range from Peltier cooled HgTe/CdHgTe quantum well heterostructures / M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, A. M. Kadykov, A. A. Dubinov, A. V. Antonov, K. E. Kudryavtsev, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov // Optics Express 26, 12755 (2018).
• Поляризационно-чувствительная фурье-спектроскопия квантовых ям HgTe/CdHgTe в дальнем ИК диапазоне в магнитном поле / Л. С. Бовкун, А. В. Иконников, В. Я. Алешкин, С. С. Криштопенко, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, М. Потемски, Б. Пио, М. Орлита, В. И. Гавриленко // Письма в ЖЭТФ 108, 352 (2018).
  
• Терагерцовая фотолюминесценция двойных акцепторов в объемных эпитаксиальных слоях HgСdTe и гетерострукрурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами / Д.В.Козлов, В.В.Румянцев, С.В.Морозов, А.М.Кадыков, М.А.Фадеев, М.С.Жолудев, В.С.Варавин, Н.Н. Михайлов, С.А.Дворецкий, В.И.Гавриленко, F.Teppe // ЖЭТФ 154, 1226 (2018).
  
• Radiative recombination in narrow gap HgTe/CdHgTe quantum well heterostructures for laser applications / V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov, V.V. Rumyantsev, M.A. Fadeev, O.L. Domnina, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, F. Teppe, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov // Journal of Physics: Condensed Matter 30, 495301 (2018).
  
• Magnetoconductivity and Terahertz Response of a HgCdTe Epitaxial Layer / D. Yavorskiy, K. Karpierz, Michał Baj, M. Bąk, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, V.I.Gavrilenko, W.Knap, F. Teppe, J. Łusakowski // Sensors 18, 4341 (2018).
  

2017

• HgCdTe-based heterostructures for terahertz photonics / S. Ruffenach, A. Kadykov, V.V. Rumyantsev, J. Torres, D. Coquillat, D. But, S.S. Krishtopenko, C. Consejo, W. Knap, S. Winnerl, M. Helm, M.A. Fadeev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, F. Teppe // APL Materials 5, 035503 (2017).
  
• Генерация терагерцового излучения в многослойных квантово-каскадных гетероструктурах / А.В. Иконников, К.В. Маремьянин, С.В. Морозов, В.И. Гавриленко, А.Ю. Павлов, Н.В. Щаврук, Р.А. Хабибуллин, Р.Р. Резник, Г.Э. Цырлин, Ф.И. Зубов, А.Е. Жуков, Ж.И. Алфёров // Письма ЖТФ 43(7), 86 (2017).
  
• Temperature-driven single-valley Dirac fermions in HgTe quantum wells / M. Marcinkiewicz, S. Ruffenach, S. S. Krishtopenko, A. M. Kadykov, C. Consejo, D. B. But, W. Desrat, W. Knap, J. Torres, A. V. Ikonnikov, K. E. Spirin, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, F. Teppe // Phys. Rev. B 96, 035405 (2017).
  
• Terahertz photoconductivity of double acceptors in narrow gap HgCdTe epitaxial films grown by molecular beam epitaxy on GaAs(013) and Si(013) substrates / V.V. Rumyantsev, D.V. Kozlov, S.V. Morozov, M.A. Fadeev, A.M. Kadykov, F. Teppe, V.S. Varavin, M.V. Yakushev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko // Semicond. Sci. Technol. 32, 095007 (2017).
  
• Stimulated emission from HgCdTe quantum well heterostructures at wavelengths up to 19.5 µm / S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, M.A. Fadeev, M.S. Zholudev, K.E. Kudryavtsev, A.V. Antonov, A.M. Kadykov, A.A. Dubinov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, V. I. Gavrilenko // Appl. Phys. Lett. 111, 192101 (2017).
• Магнитопоглощение дираковских фермионов в бесщелевых «трёхслойных» квантовых ямах InAs/GaSb/InAs / С. Руффенах, С.С. Криштопенко, Л.С. Бовкун, А.В. Иконников, М. Марцинкевич, К. Консежо, М. Потемски, Б. Пио, М. Орлита, Б.Р. Семягин, М.А. Путято, Е.А. Емельянов, В.В. Преображенский, В. Кнап, Ф. Гонзалез-Посада, Г. Буаcье, Э. Турнье, Ф. Тепп, В.И. Гавриленко // Письма в ЖЭТФ 106, 696 (2017).

2016

• Temperature-driven massless Kane fermions in HgCdTe crystals / F. Teppe, M. Marcinkiewicz, S. S. Krishtopenko, S. Ruffenach, C. Consejo, A. M. Kadykov, W. Desrat, D. But, W. Knap, J. Ludwig, S. Moon, D. Smirnov, M. Orlita, Z. Jiang, S. V. Morozov, V.I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii // Nature Communications v.7, 12576 (2016).
  
• Temperature-dependent magnetospectroscopy of HgTe quantum wells / A. V. Ikonnikov, S. S. Krishtopenko, O. Drachenko, M. Goiran, M. S. Zholudev, V. V. Platonov, Yu. B. Kudasov, A. S. Korshunov, D. A. Maslov, I. V. Makarov, O. M. Surdin, A. V. Philippov, M. Marcinkiewicz, S. Ruffenach, F. Teppe, W. Knap, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, V. I. Gavrilenko // Phys. Rev. B 94, 155421 (2016).
  
• Terahertz Response of Tightly Concatenated Two Dimensional InGaAs Field-Effect Transistors Integrated on a Single Chip // D. M. Yermolayev, E. A. Polushkin, A. V. Koval’сhuk, S. Yu. Shapoval, K. V. Maremyanin, V.I. Gavrilenko, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, V. E. Zemlyakov, V. I. Yegorkin, V. A. Bespalov, V. V. Popov, I. Khmyrova. Intern. J. of High Speed Electronics and Systems 25, 1640012 (2016).
  
• Long wavelength stimulated emission up to 9.5 µm from HgCdTe quantum well heterostructures / S.V. Morozov, V.V.Rumyantsev, A.M. Kadykov, A.A. Dubinov, K.E. Kudryavtsev, A.V. Antonov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko // Appl. Phys. Lett. 108, 092104 (2016).
  
• Перестройка частоты излучения терагерцового квантового каскадного лазера / А.А. Ластовкин, А.В. Иконников, А.В. Антонов, В.Я. Алёшкин, В.И. Гавриленко, Ю.Г. Садофьев // Письма в ЖТФ 42, 15 (2016).    

2015

• Effect of electron-electron interaction on cyclotron resonance in high-mobility InAs/AlSb quantum wells / S. S. Krishtopenko, A. V. Ikonnikov, M. Orlita, Yu. G. Sadofyev, M. Goiran, F. Teppe, W. Knap, V. I. Gavrilenko. // J. Appl. Phys. 117, 112813 (2015).
• Long wavelength superluminescence from narrow gap HgCdTe epilayer at 100K / S.V.Morozov, V.V.Rumyantsev, A.A.Dubinov, A.V.Antonov, A.M.Kadykov, K.E.Kudryavtsev, D.I.Kuritsin, N.N.Mikhailov, S.A.Dvoretskii, V.I.Gavrilenko // Appl. Phys. Lett. 107, 042105 (2015).
• Detection of Terahertz Radiation by Dense Arrays of InGaAs Transistors / D.M.Yermolayev, E.A.Polushkin, S.Yu.Shapoval, V.V.Popov, K.V.Marem'yanin, V.I.Gavrilenko, N.A.Maleev, V.M.Ustinov, V.E.Zemlyakov, V.I.Yegorkin, V.A.Bespalov, A.V.Muravjov, S.L.Rumyantsev, M.S.Shur. // Int. J. High Speed Electronics and Systems, 24, Nos.1&2 1550002 (2015).
• Infrared magneto-spectroscopy of two-dimensional and three-dimensional massless fermions: A comparison / M. Orlita, C. Faugeras, A.-L. Barra, G. Martinez, M. Potemski, D. M. Basko, M. S. Zholudev, F. Teppe, W. Knap, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, P. Neugebauer, C. Berger, W. A. de Heer // J. Appl. Phys. 117, 112803 (2015).
  

2014

• Observation of three-dimensional massless Kane fermions in a zinc-blende crystal / M. Orlita, D. M. Basko, M. S. Zholudev, F. Teppe, W. Knap, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, P. Neugebauer, C. Faugeras, A-L. Barra, G. Martinez M. Potemski. // Nature Physics v.10, 233−238 (2014)
• Efficient long wavelength interband photoluminescence from HgCdTe epitaxial films at wavelengths up to 26 μm / S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.V. Antonov, K.V. Maremyanin, K.E. Kudryavtsev, L.V. Krasilnikova, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko. // Appl. Phys. Lett. 104, 072102 (2014);
• Detection of terahertz radiation by tightly concatenated InGaAs field-effect transistors integrated on a single chip / V. V. Popov, D. M. Yermolaev, K. V. Maremyanin, V. E. Zemlyakov, N. A. Maleev, V. I. Gavrilenko, V. A. Bespalov, V. I. Yegorkin, V. M. Ustinov, S. Yu. Shapoval. // Appl. Phys. Lett. v.104, 163508 (2014);
• Time resolved photoluminescence spectroscopy of narrow gap Hg1-xCdxTe/CdyHg1-yTe quantum well heterostructures / S. V. Morozov, V. V. Rumyantsev, A. V. Antonov, A. M. Kadykov, K. V. Maremyanin, K. E. Kudryavtsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko. // Appl. Phys. Lett. v.105, 022102 (2014);
• Антипересечение уровней Ландау в квантовых ямах HgTe/CdHgTe (013) с инвертированной зонной структурой / М. С. Жолудев, F. Teppe, С. В. Морозов, M. Orlita, C. Consejo, S. Ruffenach, W. Knap, В. И. Гавриленко, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий. // Письма в ЖЭТФ, т.100, вып.12, с. 895−899 (2014).

2013

• Terahertz detection in a slit-grating-gate field-effect-transistor structure / D. M. Yermolaev, K. M. Marem’yanin, D. V. Fateev, S. V. Morozov, N. A. Maleev, V. E. Zemlyakov, V. I. Gavrilenko, S. Yu. Shapoval, F. F. Sizov, and V. V. Popov // Solid State Electronics, 86C (2013), pp. 64−67.
• Long spin relaxation time of holes in InGaAs/GaAs quantum wells probed by cyclotron resonance spectroscopy / O. Drachenko, D. Kozlov, A. V. Ikonnikov, K. E. Spirin, V. Gavrilenko, H. Schneider, M. Helm, and J. Wosnitza // Phys.Rev.B, Vol. 87 p. 075315 (2013). http://prb.aps.org/abstract/PRB/v87/i7/e075315
• Type II-type I conversion of GaAs/GaAsSb heterostructure energy spectrum under optical pumping / S. V. Morozov, D. I. Kryzhkov, A. N. Yablonsky, A. V. Antonov, D. I. Kuritsin, D. M. Gaponova, Yu. G. Sadofyev, N. Samal, V. I. Gavrilenko, and Z. F. Krasilnik //J. Appl. Phys. 113, 163107 (2013)
• Spectra and kinetics of THz photoconductivity in narrow-gap Hg1-xCdxTe (x<0.2) epitaxial films / V.V.Rumyantsev, S.V.Morozov, A.V.Antonov, M.S.Zholudev, K.E.Kudryavtsev, V.I.Gavrilenko, S.A.Dvoretskii, N.N.Mikhailov // Semicond. Sci. Technol., 28 125007 (2013).

2012

• Спиновое расщепление Рашбы и обменное усиление g-фактора в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом /С.С. Криштопенко, К. П. Калинин, В. И. Гавриленко, Ю. Г. Садофьев, M. Goiran // ФТП, т.46, с. 1186 (2012).
• Циклотронный резонанс в узкозонных гетероструктурах на основе HgTe/CdTe (013) в квантующих магнитных полях / А. В. Иконников, М. С. Жолудев, К. В. Маремьянин, К. Е. Спирин, A. A. Ластовкин, В. И. Гавриленко, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов // Письма в ЖЭТФ. — 2012. — Т. 95. вып. 8. — С. 452−456.
• Cyclotron resonance study in InAs/AlSb quantum well heterostructures with two occupied electronic subbands / S. S. Krishtopenko, A. V. Ikonnikov, A. V. Maremyanin, K. E. Spirin, V. I. Gavrilenko, Yu. G. Sadofyev, M. Goiran, M. Sadowsky, Yu. B. Vasilyev // J. Appl. Phys. — 2012. — V. 111. — P. 093711.
• Cyclotron resonance in HgTe/CdTe based heterostructures in high magnetic fields / M.S.Zholudev, A.V.Ikonnikov, F. Teppe, M. Orlita, K.V.Maremyanin, K.E.Spirin, V.I.Gavrilenko, W. Knap, S.A.Dvoretskiy, N.N.Mihailov // Nanoscale Research Lett. v.7, 534 (2012).
• Magnetospectroscopy of two-dimensional HgTe-based topological insulators around the critical thickness // M. Zholudev, F. Teppe, M. Orlita, C. Consejo, J. Torres, N. Dyakonova, M. Czapkiewicz, J. Wróbel, G. Grabecki, N. Mikhailov, S. Dvoretskii, A. Ikonnikov, K. Spirin, V. Aleshkin, V. Gavrilenko, W. Knap.// Phys. Rev. B v.86, 205420 (2012)

2011

• Cyclotron resonance and interband optical transitions in HgTe/CdTe (013) quantum well heterostructures / A. V. Ikonnikov, M. S. Zholudev, K. E. Spirin, A. A. Lastovkin, K. V. Maremyanin, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, O. Drachenko, M. Helm, J. Wosnitza, M. Goiran, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, F. Teppe, N. Diakonova, C. Consejo, B. Chenaud, W. Knap // Semiconductor Science and Technology. — 2011. — V. 26. N. 12. — P. 125011.
• High-responsivity terahertz detection by on-chip InGaAs/GaAs field-effect-transistor array / V. V. Popov, D. M. Ermolaev, K. V. Maremyanin, N. A. Maleev, V. E. Zemlyakov, V. I. Gavrilenko, S. Yu. Shapoval // Appl. Phys. Lett. v.98, 153504 (2011).
• Relaxation of the impurity photoconductivity in p-Ge/Ge_1-xSi_x quantum well heterostructures / S. V. Morozov, L. V. Gavrilenko, I. V. Erofeeva, A. V. Antonov, K. V. Maremyanin, A. N. Yablonskiy, D. I. Kuritsin, E. E. Orlova V. I. Gavrilenko // Semicond. Sci. Technol. v.26, 085009 (2011).
• Исследование перестройки частоты импульсных квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона / А. А. Ластовкин, А. В. Иконников, В. И. Гавриленко, А. В. Антонов, Ю. Г. Садофьев // Известия ВУЗов. Радиофизика, т. LIV, № 8−9, стр.676−683 (2011).
• Modification to the central-cell correction of germanium acceptors / O. Drachenko, H. Schneider, M. Helm, D. Kozlov, V. Gavrilenko, J. Wosnitza, J. Leotin // Phys. Rev. B v.84, 245207 (2011).

2010

• Splitting of Cyclotron Resonance Line in InAs/AlSb QW Heterostructures in High Magnetic Fields: Effects of Electron-Electron and Electron-Phonon Interaction / A. Ikonnikov, S. Krishtopenko, V. Gavrilenko, Y. Sadofyev, Y. Vasilyev, M. Orlita & W. Knap // Journal of Low Temperature Physics. — 2010. — Vol. 159. N. 1−2. — P. 197−202.
• Спиновое расщепление в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с квантовыми ямами / К. Е. Спирин, А. В. Иконников, A. A. Ластовкин, В. И. Гавриленко, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов // Письма в ЖЭТФ. — 2010. — Т. 92. N. 1−2. — P. 65−68.
• Исследование спектров излучения импульсных квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона с высоким спектральным разрешением / А. В. Иконников, А. В. Антонов, А. А. Ластовкин, В. И. Гавриленко, Ю. Г. Садофьев, N. Samal // ФТП. — 2010. — Т. 44, вып. 11. — С. 1514−1518.
• Терагерцовая спектроскопия узкозонных гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe / А. В. Иконников, A. A. Ластовкин, К. Е. Спирин, М. С. Жолудев, В. В. Румянцев, К. В. Маремьянин, А. В. Антонов, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Садофьев, N. Samal // Письма в ЖЭТФ. — 2010. — Т. 92. вып. 11−12. — С. 837−841.
• Напряженные структуры GaAsSb/GaAs с квантовыми ямами для лазеров диапазона 1.3 мкм / Ю. Г. Садофьев, N. Samal, Б. А. Андреев, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, А. Г. Спиваков, А. Н. Яблонский // ФТП. Т.44, вып.3. стр.422−429 (2010).
• Кинетика терагерцовой фотопроводимости в p-Ge в условиях примесного пробоя / С. В. Морозов, К. В. Маремьянин, И. В. Ерофеева, А. Н. Яблонский, А. В. Антонов, Л. В. Гавриленко, В. В. Румянцев, В. И. Гавриленко // ФТП т.44, вып.11, стр.1523−1526 (2010).

2009

• High-field splitting of the cyclotron resonance absorption in strained p-InGaAs/GaAs quantum wells / O. Drachenko, D. V. Kozlov, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, K. V. Maremyanin, A. V. Ikonnikov, B. N. Zvonkov, M. Goiran, J. Leotin, G. Fasching, S. Winner, H. Schneider, J. Wosnitza and M. Helm // Phys. Rev B. — 2009. — Vol. 79 .- P. 073301
• Спектры излучения квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона / А. В. Антонов, В. И. Гавриленко, А. В. Иконников, К. В. Маремьянин, А. А. Ластовкин, С. В. Морозов, Д. В. Ушаков, Ю. Г. Садофьев, Н. Самал // Известия вузов. Радиофизика. — 2009. — Т. LII, № 7. — P. 550−556.
• Резонансы Фано в спектре примесного фототока в соединении GaAs и в гетероструктуре InGaAs/GaAsP с квантовыми ямами, легированных мелкими акцепторами / В. Я. Алёшкин, А. В. Антонов, В. И. Гавриленко, Л. В. Гавриленко, Б. Н. Звонков // ЖЭТФ т.136, вып.3 (9), стр.543−549 (2009).

2008

• Обменное усиление g-фактора в гетероструктурах InAs/AlSb / В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, А. В. Иконников, С. С. Криштопенко, Ю. Г. Садофьев, К. Е. Спирин // ФТП. — 2008. —  Т. 42. — С. 846−851.
• Room-temperature intracavity difference-frequency generation in butt-joint diode lasers / B. N. Zvonkov, A. A. Biryukov, A. V. Ershov, S. M. Nekorkin, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, A. A. Dubinov, K. V. Maremyanin, S. V. Morozov A. A. Belyanin, V. V. Kocharovsky, Vl. V. Kocharovsky /Appl. Phys. Lett. v.92, 021122 (2008).
• Magnetic field dependence of the photoresponse time of GaAs/AlGaAs quantum Hall effect device / K. E. Spirin, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, Y. Kawaguchi, S. Komiyama // Semicond. Sci. Technol. v.23095014 (2008).

2007 и ранее

• Plasma wave resonant detection of terahertz radiations by nanometric transistors / W. Knap, A. Fatimy, J. Torres, F. Teppe, М. Orlov, V. Gavrilenko //Fizika Nizkikh Temperaturv.33, Nos. 2/3, pp.388−391 (2007).
• Fano resonance study in impurity photocurrent spectra of bulk GaAs and GaAs quantum wells doped with shallow donors / V. Ya. Aleshkin, A. V. Antonov, L. V. Gavrilenko, V. I. Gavrilenko // Phys. Rev. B v.75, 125201 (2007).
• Room temperature tuneable detection of sub-terahertz radiation by plasma waves in nanometer InGaAs transistors / F. Teppe, M. Orlov, A. El Fatimy, A. Tiberj, W. Knap, J. Torres, V. Gavrilenko, A. Shchepetov, S. Bollaert // Appl. Phys. Lett. V.89, 222109 (2006).
• Characteristics of a Si dual-band detector responding in both near- and very-long-wavelength-infrared regions / G. Ariyawansa, M. B. M. Rinzan, S. G. Matsik, G. Hastings, A. G. U. Perera, H. C. Liu, M. Buchanan, G. I. Sproule, V. I. Gavrilenko, V. P. Kuznetsov // Appl. Phys. Lett. v.89, 061112 (2006).
• Мелкие акцепторы в гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами в магнитном поле / В. Я. Алешкин, А. В. Антонов, Д. Б. Векслер, В. И. Гавриленко, И. В. Ерофеева, А. В. Иконников, Д. В. Козлов, О. А. Кузнецов, К. Е. Спирин // ФТТ. — 2005. — Т. 47, вып. 1. — С. 74−79.
• Циклотронный резонанс в легированных и нелегированных гетероструктурах InAs/AlSb с квантовыми ямами / В. Я. Алёшкин, В. И. Гавриленко, А. В. Иконников, Ю. Г. Садофьев, J. P. Bird, S. R. Johnson, Y.-H. Zhang // ФТП. — 2005. — Т. 39, вып. 1. — С. 71−75.
• THz spectroscopy of extremely shallow acceptors states in Ge/GeSi multiple-quantum-well heterostructures / V. Ya. Aleshkin, I. V. Erofeeva, V. I. Gavrilenko, A. V. Ikonnikov, D. V. Kozlov, O. A. Kuznetsov, D. B. Veksler // Acta Physica Polonica A. — 2005. — Vol. 107. — P. 137−141.
• Near- and far-infrared p-GaAs dual-band detector / G. Ariyawansa, M. B. M. Rinzan, D. G. Esaev, S. G. Matsik, G. Hastings, A. G. U. PereraH. C. Liu, B. N. Zvonkov, V. I. Gavrilenko // Appl. Phys. Lett. v.86, 143510 (2005).
• Резонансы Фано в полупроводниках, легированных мелкими донорами / В. Я. Алешкин, А. В. Антонов, Л. В. Гавриленко, В. И. Гавриленко // ЖЭТФ т.128, № 4, с.822−830 (2005)
• Переходы с участием мелких примесей в спектрах субмиллиметрового магнитопоглощения в напряженных квантоворазмерных гетероструктурах Ge/GeSi (111) / В. Я. Алешкин, Д. Б. Векслер, В. И. Гавриленко, И. В. Ерофеева, А. В. Иконников, Д. В. Козлов, О. А. Кузнецов // ФТТ. — 2004. — Т. 46, вып. 1. — С. 126−130.
• Межподзонный циклотронный резонанс дырок в напряженных гетероструктурах Ge/GeSi (111) с широкими квантовыми ямами Ge и циклотронный резонанс 1L-электронов в слоях GeSi / В. Я. Алешкин, Д. Б. Векслер, В. И. Гавриленко, И. В. Ерофеева, А. В. Иконников, Д. В. Козлов, О. А. Кузнецов // ФТТ. — 2004. — Т. 46, вып. 1. — С. 131−137.
• High performance single emitter homojunction interfacial workfunction far infrared detectors / D. G. Esaev, M. B. M. Rinzan, S. G. Matsik, A. G. U. Perera, H. C. Liu, B. N. Zvonkov, V. I. Gavrilenko, A. A. Belyanin // J. Appl. Phys., 2004, v.95, No2, pp.512−519.
• Far IR magnetoabsorption in Ge/GeSi multiple-quantum-well heterostructures / V. Ya. Aleshkin, I. V. Erofeeva, V. I. Gavrilenko, A. V. Ikonnikov, D. V. Kozlov, O. A. Kuznetsov, D. B. Veksler // Physica B. — 2003. — Vol. 340−342. — P. 840−843.
• The effects of light-heavy hole transitions on the cutoff wavelengths of far infrared detectors / A. G. U. Perera, S. G. Matsik, M. B. M. Rinzan, A. Weerasekara, M. Alevli, H. C. Liu, M. Buchanan, B. Zvonkov, V. Gavrilenko // Infrared Physics & Technology, 2003, v.44, No 5−6, pp.347−353.
• Localised and resonant states of shallow acceptors in Ge/Ge_1-xSi_xmultiple-quantum well heterostructures / V. Ya. Aleshkin, B. A. Andreev, V. I. Gavrilenko, I. V. Erofeeva, D. V. Kozlov, O. A. Kuznetsov // Physica E, 2002, v.13, ## 2−4, pp.317−320.
• Effect of magnetic field quantization on the shallow acceptor spectrum in strained Ge/GeSi heterostructures / V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, D. B. Veksler, L. Reggiani // Phys. Rev. B, v.66, p.155336 (2002).
• Cyclotron resonance quantum Hall effect detector / B. A. Andreev, I. V. Erofeeva, V. I. Gavrilenko, A. L. Korotkov, A. N. Yablonskiy O. Astafiev, Y. Kawano, S. Komiyama // Semicond. Sci. Technol., 2001, v.16, pp.300−303.
• Time constant of the far IR response of a quantum Hall device / I. V. Erofeeva, V. I. Gavrilenko, S. Komiyama //Nanotechnology, 2001, v.12, pp. 453−456.
• Shallow acceptors in Ge/GeSi multi-quantum well heterostructures / V. Ya. Aleshkin, B. A. Andreev, V. I. Gavrilenko, I. V. Erofeeva, D. V. Kozlov, O. A. Kuznetsov, M. D. Moldavskaya, A. V. Novikov // Physica E 2000, v.7, 608−611.
• Resonant acceptor states in Ge/Ge_1-xSi_x MQW heterostructures / V. Ya. Aleshkin, B. A. Andreev, V. I. Gavrilenko, I. V. Erofeeva, D. V. Kozlov, O. A. Kuznetsov // Nanotechnology, 2000, v.11, N 4, pp. 348−350.
• Far infrared spectroscopy of shallow acceptors in strained Ge/GeSi quantum well heterostructures / V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, I. V. Erofeeva, A. L. Korotkov, D. V. Kozlov, O. A. Kuznetsov, M. D. Moldavskaya // phys. stat. sol.(b), 1998, v.210, p.649.
• Мелкие акцепторы в напряженных многослойных гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами / В. И. Гавриленко, И. В. Ерофеева, А. Л. Коротков, З. Ф. Красильник, О. А. Кузнецов, М. Д. Молдавская, В. В. Никоноров, Л. В. Парамонов // Письма в ЖЭТФ, 1997, т.65 (2), с. 194.
• ИК излучение горячих дырок при пространственном переносе в селективно легированных гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами / В. Я. Алешкин, А. А. Андронов, А. В. Антонов, Н. А. Бекин, В. И. Гавриленко, Д. Г. Ревин, Б. Н. Звонков, Е. Р. Линькова, И. Г. Малкина, Е. А. Ускова // Письма в ЖЭТФ, 1996, т.64, вып.8, с. 478.
• Циклотронный резонанс носителей заряда в напряженных гетероструктурах Ge/Ge_1-xSi_x / В. И. Гавриленко, И. Н. Козлов, О. А. Кузнецов, М. Д. Молдавская, В. В. Никоноpов, Л. К. Орлов, А. Л. Чернов // Письма в ЖЭТФ, 1994, т.59, вып.5, с. 327.
• Межподзонное излучение горячих дырок в Ge и неравновесные фононы / Р. Х. Амиров, В. И. Гавриленко // ФТП, 1993, т.27, вып.8, с. 1297.
• On the nature of the «stimulated» FIR emission of hot carriers in uniaxially stressed p-Ge in the absence of the magnetic field / V. I. Gavrilenko, V. V. Nikonorov, A. V. Galyagin, P. N. Tsereteli // Lith. J. Phys., 1992, v.32, N.5, suppl., p.161.
• Inverted distribution of hot holes in uniaxially stressed germanium / V. I. Gavrilenko, N. G. Kalugin, Z. F. Krasil’nik, V. V. Nikonorov // Semicond. Sci. Technol. 1992, v.7, No 3B, p. B649.
• Far IR cyclotron resonance and luminescence of hot holes in p-Ge / V. I. Gavrilenko, A. L. Korotkov, Z. F. Krasil’nik, V. V. Nikonorov // Opt. Quantum Electronics, 1991, v.23, N2, p. S163.
• Remarkable effects of uniaxial stress on stimulated far IR emission from hot holes in germanium in crossed electric and magnetic fields / V. I. Gavrilenko, V. V. Nikonorov // Opt. Quantum Electronics, 1991, v.23, N2, p. S217.
• Negative mass cyclotron resonance maser / V. I. Gavrilenko, Z. F. Krasil’nik // Opt. Quantum Electronics, 1991, v.23, N2, p. S323.
• Вольт-амперная характеристика и тепловая неустойчивость резистивного состояния сверхпроводящих пленок YBa₂Cu₃O_y // В. И. Гавриленко, А. Л. Коротков, В. Я. Косыев, А. В. Кочемасов, И. Л. Максимов, М. Д. Стриковский // Письма ЖТФ, 1989, т.15, вып.13, с. 83.
• Far IR luminescence of hot holes in Ge: diagnostics of intersubband population inversion and effects of uniaxial stress / V. I. Gavrilenko, A. L. Korotkov, Z. F. Krasil’nik, V. V. Nikonorov, S. A. Pavlov // Sol. St. Electronics, 1988, v.31, N ¾, p.758.
• Мазер на циклотронном резонансе горячих дырок германия с отрицательными эффективными массами / А. А. Андронов, А. М. Белянцев, В. И. Гавриленко, Е. П. Додин, З. Ф. Красильник, В. В. Никоноров, С. А. Павлов, М. М. Шварц // ЖЭТФ, 1986, т.90, вып.1, с. 367.
• Индуцированное миллиметровое излучение горячих дырок германия в Е//Н полях (NEMAG на ЦР) / А. А. Андронов, А. М. Белянцев, В. И. Гавриленко, Е. П. Додин, З. Ф. Красильник, В. В. Никоноров, С. А. Павлов // Письма в ЖЭТФ, 1984, т.40, вып.6, с. 221.
• Циклотронный резонанс горячих дырок германия в постоянных электрическом и магнитном полях Е^Н / В.И.Гавриленко, Е. П. Додин, З. Ф. Красильник, Ю. Н. Ноздрин, М. Д. Чернобровцева // Письма в ЖЭТФ, 1982, т.53, вып.10, с. 432.
• Наблюдение эффекта накопления легких дырок в p-Ge в скрещенных электрическом и магнитном полях по оптическим измерениям в далекой ИК области / В. И. Гавриленко, В. Н. Мурзин, С. А. Стоклицкий, А. П. Чеботарев // Письма в ЖЭТФ, 1982, т.35, вып.2, с. 81.
• Экспериментальное обнаружение магнетодипольных резонансов в электронно-дырочных каплях в германии / В. И. Гавриленко, В. Л. Кононенко, Т. С. Мандельштам, В. Н. Мурзин, С. А. Саунин // Письма в ЖЭТФ, 1977, т.26, вып.2, с. 102.
• Магнетоплазменный резонанс в электронно-дырочных каплях в германии на субмиллиметровых волнах / В. И. Гавриленко, В. Л. Кононенко, Т. С. Мандельштам, В. Н. Мурзин // Письма в ЖЭТФ, 1976, т.23, вып.12, с. 701.
• Спектры фотовозбуждения непрямых экситонов в германии в области 2,0−2,6 мэВ / В. И. Гавриленко, В. Л. Кононенко, Т. С. Мандельштам, В. Н. Мурзин // Краткие сообщения по физике, ФИАН СССР, 1975, N12, с. 9.

Контактная информация