Румянцев Владимир Владимирович
Меню
EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

Румянцев Владимир Владимирович

Румянцев Владимир Владимирович

Румянцев Владимир Владимирович

Старший научный сотрудник отдела физики полупроводников, к.ф.-м.н.

Персональные данные

Родился 9 августа 1988 года.

Научные интересы

Физика полупроводников, наноструктуры, фотопроводимость, фотолюминесценция, дальний инфракрасный диапазон, узкозонные полупроводники, мелкие примеси.

Образование

  • 2005 — закончил МОУ СОШ № 111, Нижний Новгород;
  • 2005 — 2011 — студент факультета Высшая школа общей и прикладной физики Нижегородского госуниверситета им. Н. И. Лобачевского (ВШОПФ ННГУ);
  • 2011 — 2014 — аспирант Института физики микроструктур РАН.
  • 2014 — защитил кандидатскую диссертацию по теме: «Фотопроводимость и фотолюминесценция эпитаксиальных пленок и структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в среднем и дальнем инфракрасном диапазоне», рук. Гавриленко В. И..

Профессиональная карьера

  • 2009 — 2011 — инженер-исследователь Института физики микроструктур (ИФМ) РАН, Нижний Новгород, студент межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника»
  • 2011 — 2014 — младший научный сотрудник ИФМ РАН, Нижний Новгород
  • 2015 — 2019 — научный сотрудник ИФМ РАН, Нижний Новгород.
  • 2019 — н/вр — старший научный сотрудник ИФМ РАН, Нижний Новгород.

Избранные публикации

  • Rumyantsev, V.V.; Dubinov, A.A.; Utochkin, V.V.; Fadeev, M.A.; Aleshkin, V.Y.; Razova, A.A.; Mikhailov, N.N.; Dvoretsky, S.A.; Gavrilenko, V.I.; Morozov, S.V. Stimulated emission in 24–31 μm range and «Reststrahlen» waveguide in HgCdTe structures grown on GaAs. Applied Physics Letters 2022, 121, 182103, doi:10.1063/5.0128783.

  • Rumyantsev, V.V.; Razova, A.A.; Bovkun, L.S.; Tatarskiy, D.A.; Mikhailovskii, V.Y.; Zholudev, M.S.; Ikonnikov, A.V.; Uaman Svetikova, T.A.; Maremyanin, K.V.; Utochkin, V.V.; et al. Optical Studies and Transmission Electron Microscopy of HgCdTe Quantum Well Heterostructures for Very Long Wavelength Lasers. Nanomaterials 2021, 11, 1855, doi:10.3390/nano110718551.      

  • Morozov, S.V.; Rumyantsev, V.V.; Zholudev, M.S.; Dubinov, A.A.; Aleshkin, V.Y.; Utochkin, V.V.; Fadeev, M.A.; Kudryavtsev, K.E.; Mikhailov, N.N.; Dvoretskii, S.A.; et al. Coherent Emission in the Vicinity of 10 THz due to Auger-Suppressed Recombination of Dirac Fermions in HgCdTe Quantum Wells. ACS Photonics 2021, 8, 3526-3535, doi:10.1021/acsphotonics.1c01111.

  • Rumyantsev, V., A. Razova, M. Fadeev, V. Utochkin, N. Mikhailov, S. Dvoretsky, V. Gavrilenko and S. Morozov. "Urbach tail and nonuniformity probe of HgCdTe thin films and quantum well heterostructures grown by molecular beam epitaxy." Optical Engineering 60(8): 082007. (2020)

  • S. S. Krishtopenko, S. Ruffenach, F. Gonzalez-Posada, G. Boissier, M. Marcinkiewicz, M. A. Fadeev, A. M. Kadykov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, C. Consejo, W. Desrat, B. Jouault, W. Knap, E. Tournié, and F. Teppe, "Temperature-dependent terahertz spectroscopy of inverted-band three-layer InAs/GaSb/InAs quantum well," Physical Review B 97, 245419 (2018).

  • HgCdTe-based heterostructures for terahertz photonics / S. Ruffenach, A. Kadykov, V. V. Rumyantsev, J. Torres, D. Coquillat, D. But, S. S. Krishtopenko, C. Consejo, W. Knap, S. Winnerl, M. Helm, M. A. Fadeev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, and F. Teppe APL Materials, V. 5, I. 3, p. 035503 (2017)

  • Long wavelength stimulated emission up to 9.5 μm from HgCdTe quantum well heterostructures / S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.M. Kadykov, A.A. Dubinov, K.E. Kudryavtsev, A.V. Antonov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, and V.I. Gavrilenko // Appl. Phys. Lett. — Vol. 108. — P. 092104 (2016)

  • Terahertz photoconductivity of double acceptors in narrow gap HgCdTe epitaxial films grown by molecular beam epitaxy on GaAs (013) and Si (013) substrates / Rumyantsev, V. V., D. V. Kozlov, S. V. Morozov, M. A. Fadeev, A. M. Kadykov, F. Teppe, V. S. Varavin, M. V. Yakushev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii and V. I. Gavrilenko. // Semiconductor Science and Technology 32 (9): 095007 (2017)

  • Stimulated emission from HgCdTe quantum well heterostructures at wavelengths up to 19.5 μm / Morozov, S.V., V.V. Rumyantsev, M.A. Fadeev, M.S. Zholudev, K.E. Kudryavtsev, A.V. Antonov, A.M. Kadykov, A.A. Dubinov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, and V.I. Gavrilenko // Applied Physics Letters. 111 (19): p. 192101 (2017)

  • А.В.Иконников, А.А.Ластовкин, К.Е.Спирин, М.С.Жолудев, В.В.Румянцев, К.В.Маремьянин, А.В.Антонов, В.Я.Алёшкин, В.И.Гавриленко, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, Ю.Г.Садофьев, N.Samal. «Терагерцовая спектроскопия узкозонных гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe», Письма в ЖЭТФ, том 92, вып.11, с. 837-841 (2010).

Контактная информация

Тел.: (831) 417−94−82 (+262)

Возврат к списку