Путилов Алексей Владимирович
Меню
EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

Путилов Алексей Владимирович

Путилов Алексей Владимирович

Путилов Алексей Владимирович Научный сотрудник отдела физики сверхпроводников.

Образование:
ННГУ им. Лобачевского, факультет ВШОПФ: бакалавр (2010), магистр (2012).
Аспирантура ИФМ РАН.
стажировка в Temple university (г. Филадельфия, США), группа проф. Марии Иавароне (2015-2016).
Кандидатская диссертация "Исследование пространственно-неоднородных электронных состояний методами низкотемпературной сканирующей зондовой микроскопии и спектроскопии", (2020).

Научные интересы:
Сверхпроводимость в гетероструктурах сверхпроводник / ферромагнетик.

Список публикаций:

 1. R. Werner, A. Yu. Aladyshkin, I. M. Nefedov, A. V. Putilov et al. Edge superconductivity in Nb thin film microbridges revealed by electric transport measurements and visualized by scanning laser microscopy. Supercond. Sci. and Technol. 26, 095011 (2013).

2. А. В. Путилов, Д. А. Музыченко, А. Ю. Аладышкин. Особенности начальной стадии роста ниобийсодержащих наноструктур на поверхности Si(111)-7х7. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 3, 1-10 (2016).

3. C. di Giorgio, A. V. Putilov, D. J. Trainer, O. S. Volkova, A. N. Vasiliev, D. Chareev, G. Karapetrov, J. F. Zasadzinski, M. Iavarone. Anisotropic Superconducting Gaps and Boson Mode in FeSe1−xSx Single Crystals. J. of Supercond. and Nov. Magn 30, 763 (2017).

4. Д. А. Музыченко, А. И. Орешкин, С. И. Орешкин, С. С. Уставщиков, А. В. Путилов, А. Ю. Аладышкин. Особенности роста поверхностных структур, вызванных адсорбцией Ge на поверхности Au(111). Письма в ЖЭТФ 106, 201 (2017).

5. D. J. Trainer, A. V. Putilov, C. di Giorgio, T. Saari et al. Inter-Layer Coupling Induced Valence Band Edge Shift in Mono- to Few-Layer MoS2. Sci. Rep. 7, 40559 (2017).

6. С. С. Уставщиков, А. В. Путилов, А. Ю. Аладышкин. Туннельная интерферометрия и измерение толщины ультратонких металлических пленок Pb(111). Письма в ЖЭТФ 106, 476 (2017).

7. M. Precner, T. Polakovic, Q. Qiao, D. J. Trainer, A. V. Putilov et al. Evolution of Metastable Defects and Its Effect on the Electronic Properties of MoS2 Films. Sci. Rep. 8, 6724 (2018).

8. D. Yu. Vodolazov, A. Yu Aladyshkin, E. E. Pestov, S. N. Vdovichev, S. S. Ustavshikov, M. Yu. Levichev, A. V. Putilov, P. A. Yunin, A. I. El’kina, N. N. Bukharov and A. M. Klushin. Peculiar superconducting properties of a thin film superconductor–normal metal bilayer with large ratio of resistivities. Supercond. Sci. and Technol. 31, 115004 (2018).

9. D. J. Trainer, A. V. Putilov, B. Wang et al. Moire superlattices and 2D electronic properties of graphite/MoS2 heterostructures. J. of Phys. and Chem. of Sol. 128, 325 (2019).

10. A. V. Putilov, C. Di Giorgio, V. L. Vadimov, D. J. Trainer et al. Vortex-core properties and vortex-lattice transformation in FeSe. Phys. Rev. B 99, 144514 (2019).

11. А. В. Путилов, С. С. Уставщиков, С. И. Божко, А. Ю. Аладышкин. Пространственно-неоднородные квантово-размерные состояния и визуализация скрытых дефектов в пленках Pb(111). Письма в ЖЭТФ 109, 789 (2019).

12. Zh. Devizorova, A. V. Putilov, I. Chaykin, S. Mironov, and A. I. Buzdin. Phase transitions in superconductor/ferromagnet bilayer driven by spontaneous supercurrents. Phys. Rev. B 103, 064504 (2021).

13. A. V. Putilov, S. V. Mironov, A. S. Mel’nikov, and A. I. Buzdin. Giant electromagnetic proximity effect in superconductor/ferromagnet superlattices. Phys. Rev. B 105, 064510 (2022).

14. А. В. Путилов, С. В. Миронов, А. С. Мельников, А. А. Беспалов. Обратный эффект Фарадея в сверхпроводниках с конечной щелью в спектре возбуждений. Письма в ЖЭТФ 117, 832 (2023).




Контактная информация

Тел.: +7 (831) 417−94−85 (+227)

Возврат к списку