|
Научный сотрудник отдела физики полупроводников.
Родился 6 апреля 1981 в Арзамасе.
Физика полупроводников, лазеры.
Средняя школа № 2 им.
Радиофизический факультет ННГУ.
D- centers in intracenter Si: P lasers / R. Kh. Zhukavin, S. G. Pavlov, K. A. Kovalevsky, H.-W. Huebers, H. Riemann, V. N. Shastin, J. Appl. Phys. 97, 113708 (2005).
Terahertz Luminescence of GaAs-Based Heterostructures with Quantum Wells under the Optical Excitation of Donors / N. A. Bekin, R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevski, S. G. Pavlov, B. N. Zvonkov, E. A. Uskova, and V. N. Shastin, Semicoductors 39 (1), 67−72 (2005).
Low-threshold terahertz Si: As laser / S. G. Pavlov, U. Boettger, H.-W. Huebers, R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, N. V. Abrosimov, H. Riemann, Appl. Phys. Lett. 90, 141109 (2007).
Influence of uniaxial stress on stimulated terahertz phosphor and antimony donors in silicon / R. Kh. Zhukavin, V. V. Tsyplenkov, K. A. Kovalevsky, V. N. Shastin, S. G. Pavlov, U. Bottger, H.-W. Hubers, H. Riemann, N. V. Abrosimov, and N. Notzel, Appl. Phys. Lett. 90, 051101 (2007).
Релаксация возбужденных состояний доноров в кремнии с излучением междолинных фононов /
Влияние одноосной деформации на релаксацию возбужденных состояний мелких доноров в кремнии при взаимодействии с междолинными фононами,
Optimizing the Operation of Terahertz Silicon Lasers / Sergey G. Pavlov, Heinz-Wilhelm Hubers, Ute Bottger, Roman Kh. Zhukavin, Veniamin V. Tsyplenkov, Konstantin A. Kovalevsky and Valery N. Shastin, Selected Topics in Quantum Electronics, IEEE Journal 15 (3), 925 (2009).
Advanced THz laser performance of shallow donors in axially stressed silicon crystal / V. N. Shastin, R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, V. V. Tsyplenkov, S. G. Pavlov and H.-W. Hubers, J. of Physics: Conference Series 193 (012086), 1 (2009).
Spin-orbit coupling effect on bismuth donor lasing in stressed silicon / R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, S. G. Pavlov, H.-W. Hubers, H. Riemann, N. V. Abrosimov and A. K. Ramdas, Appl. Phys. Lett. 99, 171108 (2011).