Калинников Михаил Анатольевич

Технолог 1 кат. лаборатории молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых гетероструктур

Персональные данные

Родился 1 декабря 1993 г.

Научные интересы

Физика полупроводников и полупроводниковых приборов; Молекулярно-пучковая эпитаксия;

Образование

• 2011 — закончил школу № 187 г. Нижний Новгород
• 2011−2016 — студент физического факультета Нижегородского госуниверситета им. Н. И. Лобачевского (ННГУ)
• 2020−н.в. — Аспирантура ИФМ РАН

Профессиональная карьера

• 2016−2018— старший лаборант-исследователь ИПФ РАН
• 2018−н.в. — технолог 1 кат. ИФМ РАН

Избранные публикации

1. D. N. Lobanov, K. E. Kudryavtsev, M. I. Kalinnikov, L. V. Krasilnikova, P. A. Yunin, E. V. Skorokhodov, M. V. Shaleev, A. V. Novikov,  B. A. Andreev, and Z. F. Krasilnik / Near-infrared stimulated emission from indium-rich InGaN layers grown by plasma-assisted MBE// Appl. Phys. Lett. 118, 151902 (2021) Volume 118, Issue 15, 12 April 2021, 7 стр.             
2. K. E. Kudryavtsev,z D. N. Lobanov, L.V. Krasilnikova, A. N. Yablonskiy, P. A. Yunin, E.V. Skorokhodov, M. A. Kalinnikov, A.V. Novikov, B. A. Andreev, and Z. F. Krasilnik/ «Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy of In-Rich InGaN: Growth Optimization for Near-IR Lasing»/ ECS Journal of Solid State Science and Technology//2022 Volume 11, Number 1, 20 p. 
3. М.А. Калинников, Д.Н. Лобанов, К.Е. Кудрявцев, Б.А. Андреев, П.А. Юнин, Л.В. Красильникова , А.В. Новиков , Е.В. Скороходов , З.Ф. Красильник  "Формирование методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота гетероструктур с множественными квантовыми ямами InN/InGaN на сапфире", Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, вып. 9, 7 стр 
   

Контактная информация