Бузынин Юрий Николаевич

Научный сотрудник отдела технологии наноструктур и приборов, к.т.н.

Персональные данные:

  Родился 18 декабря 1947 года  в г. Горьком. Женат.

Научные интересы:

Физика и технология полупроводниковых гетероструктур для приборных применений

Образование:

Школа №7  г. Горького

Физический факультет ННГУ

Аспирантура Московского института электронной техники

Профессиональная карьера:

1971 —1975 — м.н.с. ГИФТИ при ННГУ
1976 —1979 — аспирант МИЭТ (г. Москва)
1979 —1982 — ст. инженер НИИМВ (г. Москва)
1986 —1989 — ст. инженер, научный сотрудник ГИФТИ при ННГУ
1989 —1994 — научный сотрудник ИПФ РАН
с 1994г. по н.в. — научный сотрудник ИФМ РАН
Опубликовано более 100 научных работ, получено 10 авторских свидетельств  на изобретения
Руководство  7 проектами РФФИ (№ 96-02-18843, №00-02-16147, №03-02-17337, №06-02-17356, №09-02-01311, №15- 02- 99664, №15-42-02694  и двумя проектами Программы фундаментальных исследований Отделения физических наук РАН «Физика новых материалов и структур»: «Гетероэпитаксиальные структуры InN и GaN, полученные методом МОГФЭ на подложках Al₂O₃, YSZ и Si» (2012- 2014) и «Рост пленок A₃N  методом МОГФЭ с пульсирующими ростовыми потоками» (2015-2017).

Избранные публикации:

• Buzynin Alexander N., Buzynin Yury N.,  Belyaev Alexander V.,  Lukyanov Albert E., Rau Eduard I. Growth and defects of GaAs and InGaAs films on porous GaAs substrates. Thin Solid Films.. 2007, v.515, №10,DOI: 10.1016/j.tsf. 2006.07.175.Q1.  
• Ю. Н. Бузынин, М. Е. Викторов, А. В. Водопьянов, С. В. Голубев, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, А. Ю. Лукьянов, Д. А. Мансфельд, Е. В. Скороходов, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин. Рост пленок InN методом металлоорганической газофазной эпитаксии на подложках Al2O3 и иттрием стабилизированного циркония при активации азота в плазме, создаваемой излучением гиротрона в условиях электронно-циклотронного резонанса. Письма в ЖТФ, 2012, Т. 38, В. 24, С. 86-94.
•  Yu. N. Buzynin, V. G. Shengurov, B. N. Zvonkov, A. N. Buzynin, O. I. Khrykin, M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, and S. A. Denisov. Growth and Properties of GaAs and GaN Films and Low_Dimensional GaAs/QWsInGaAs Structures on Si Substrates with a Ge Buffer Layer. Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics, 2012, Vol. 76, No. 9, pp. 1036–1040. DOI: 10.3103/S1062873812090043.
•  Buzynin  A. N., Buzynin Y. N., Panov V. A.  Applications of Fianite in Electronics. Advances in Optoelectronics.  2012.  V. 2012. Article ID 907560, 23 p.  DOI: 10.1155/2012/907560.
•  Ю. Н. Бузынин, А. В. Водопьянов, С. В. Голубев, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, А. Ю. Лукьянов, Д. А. Мансфельд, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин, П. А. Юнин. Рост с высокими скоростями пленок InN на подложках фианита и сапфира методом металлоорганической газофазной эпитаксии с плазменной активацией азота. Письма в ЖТФ, 2015, Т. 41, Вып. 6, С. 17-25.
•  Y. Buzynin, V. Shengurov, B. Zvonkov, A. Buzynin, S. Denisov, N. Baidus, M. Drozdov, D. Pavlov, P.Yunin. GaAs/Ge/Si epitaxial substrates: development and characteristics. AIP Advances.  2017 7(1):  015304. DOI:10.1063/1.4974498,Q2.
•  Yu. N. Buzynin, O. I. Khrykin, P. A.Yunin, M. N.Drozdov, A.Yu. Luk’yanov. InN layers grown by MOCVD on a-plane Al₂O₃. Physica Status Solidi A: Applications and Materials Science. 2018, 215(11): 1700919, DOI: 10.1002/pssa.201700919,Q1.
•  V. Shengurov, S. Denisov, V. Chalkov, V. Trushin, A. Zaitsev, D. Prokhorov, D. Filatov, A. Zdoroveishchev, M. Ved, A. Kudrin, M. Dorokhin, Yu. Buzynin. Ultra-high phosphorus-doped epitaxial Ge layers grown by HWCVD method on Si substrates. Materials Science in Semiconductor Processing, 2019, V.100,  P.175, DOI: 10.1016/j.mssp.2019, 05.005,Q1.
•  Yu. N. Buzynin, V. G.Shengurov, S. A. Denisov, P. A.Yunin, V. Yu.Chalkov, M. N.Drozdov, S. A.Korolyov, A. V.Nezhdanov. High Hole Mobility of Polycrystalline GeSn Layers Grown by Hot-Wire Chemical Vapor Deposition on Diamond Substrates. Phys. Status Solidi – Rapid Res. Lett., 2022, 16(1), DOI: 10.1002/pssr.202100421, Q1.
•  V. G. Shengurov, Yu. N. Buzynin, V. Yu. Chalkov, A. V. Nezhdanov, A. V. Kudrin, P. A. Yunin. Polycrystalline GeSn Films Grown by Hot Wire Chemical Vapor Deposition on SiO₂/Si(001) Substrates. Phys. Status Solidi – Rapid Res. Lett.,  2024,  18(5), DOI: 10.1002/pssr.202300484), Q2.
•  E. A. Arkhipova, Yu. N. Buzynin, S. A. Kraev, V. Yu. Chalkov, V. G. Shengurov. Development of low temperature conditions for in situ doping, deposition of YSZ high k gate dielectric and creation of Ti ohmic contacts on polycrystalline GeSn/SiO₂/Si(100) films.  Phys. Status Solidi – Rapid Res. Lett., 2025, 19(8), DOI: 10.1002/pssr.202500092, Q2.

Контактная информация

Тел.: (831) 417−94−96

E-mail: buzynin@ipmras.ru

Контактная информация