Дроздов Михаил Николаевич
Меню
EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

Дроздов Михаил Николаевич

Дроздов Михаил Николаевич

Старший научный сотрудник отела технологии наноструктур и приборов, к. ф.-м. н.

Научные интересы

Физика полупроводников и аналитические методы исследования поверхности твердого тела: электронная Оже — спектроскопия и вторично-ионная масс-спектрометрия. В последнее время основное направление — постановка и проведение исследований твердотельных структур методом время-пролетной вторично-ионной масс-спектрометрии на установке TOF. SIMS-5.

Образование

  • 1972 — 1977 — учеба в ННГУ;
  • 1979 — 1983 — заочная аспирантура при ИПФ РАН;
  • 1987 — кандидат физико-математических наук (рук. — А. М. Белянцев).

Профессиональная карьера

  • 1977 — 1993 — стажер-исследователь, инженер, младший научный сотрудник, научный сотрудник ИПФ РАН;
  • 1994 — н/вр — научный сотрудник, старший научный сотрудник отдела ИФМ РАН;

Избранные публикации

  • S.S.Andreev, A. D. Akhsakhalyan, M. N. Drozdov, N. I. Polushkin, N. N. Salashchenko. High — resolution Auger depth profiling of multilayer structures Mo/Si, Mo/B4C, Ni/C. Thin Solid Films, 1995, v.263, p.169−174.
  • М.Н.Дpоздов, В. М. Данильцев, Н. Н. Салащенко, Н. И. Полушкин, О. И. Хpыкин, В. И. Шашкин. Послойный оже-анализ сверхвысокого разрешения: проблема минимизации аппаратурных погрешностей. Письма в ЖТФ. 1995, т.21, в.18, с.1−7.
  • М.Н.Дpоздов, В. М. Данильцев, Ю. Н. Дpоздов, Д. В. Мастеpов, О. И. Хpыкин, В. И. Шашкин. Сверхвысокое разрешение при послойном оже-анализе гетероструктур InGaAs/GaAs с глубоко залегающими квантовыми ямами. Письма в ЖТФ. 1996, т.22, в.18, с. 61.
  • N.I.Polushkin, S. A. Gusev, M. N. Drozdov, Yu. K. Verevkin, V. N. Petryakov. Arrays of magnetic wires created in phase-separating Fe-containing alloys by interference laser irradiation. J. Appl. Phys., 1997, v.81, N8, p.5478.
  • В.А.Курнаев, Н. Н. Трифонов, М. Н. Дроздов, Н. Н. Салащенко. О возможности неразрушающего послойного анализа многослойных структур из сверхтонких пленок с помощью ионов водорода низких энергий. Письма в ЖТФ. 1999, т.25, в.11, с.52−56.
  • M.N.Drozdov, S. V. Gaponov, S. A. Gusev, E. B. Kluenkov, V. I. Luchin, D. V. Masterov, S. K. Saykov, A. K. Vorobiev. Y-Ba-Cu-O thin film composition formation during magnetron sputtering. IEEE Trans. on Appl. Supercond. 1999, v.9, № 2, p.2371−2374.
  • А.К.Воробьев, С. В. Гапонов, М. Н. Дроздов, Е. Б. Клюенков, Д. В. Мастеров. Исследование изменений состава мишени высокотемпературного сверхпроводника Y-Ba-Cu-O при ионном распылении. ФТТ. 2000, т.42, в.4, с.589−594.
  • V.A.Kurnaev, N. N. Trifonov, M. N. Drozdov, N. N. Salashchenko. «On the possibility of the in situ growth control and nondestructive depth profiling of ultrathin multilayer structures using keV hydrogen ions». Vacuum. 2000, Vol. 56, № 4, pp. 253−255 (2000).
  • Н.Н.Востоков, М. Н. Дроздов, Д. В. Мастеров, Н. Н. Салащенко, К. А. Прохоров. Послойный элементный анализ многослойных структур Mo/Si методом электронной оже-спектроскопии. Поверхность. 2001, № 1, с.43−47.
  • М.Н.Дpоздов, В. М. Данильцев, Ю. Н. Дpоздов, О. И. Хpыкин, В. И. Шашкин. Субнанометровое разрешение по глубине при послойном анализе с использованием скользящих Оже-электронов. Письма в ЖТФ. 2001, т.27, в.3, с.59−66.
  • М.Н.Дpоздов, В. М. Данильцев, Ю. Н. Дpоздов, О. И. Хpыкин, В. И. Шашкин. Новый метод определения резкости гетеропереходов InGaAs/GaAs при послойном Оже — анализе. Письма в ЖТФ. 2001, т.27, в.20, с.51−56.
  • Pakhomov G. L., Drozdov M. N., Vostokov N. V. Plasma irradiation effects in phthalocyanine films. Applied Surface Science, 2004, Volume/Issue 230/1−4, pp. 241−248.
  • М.Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, М. М. Барышева, В. Н. Полковников, Н. И. Чхало. Использование кластерных вторичных ионов для минимизации матричных эффектов при послойном анализе многослойных наноструктур La/B4C методом ВИМС. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2010, № 10, с.14−18.
  • М.Н.Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов. Использование кластерных вторичных ионов Ge<2>, Ge<3> для повышения разрешения по глубине при послойном элементном анализе полупроводниковых гетероструктур GeSi/Si методом ВИМС. ФТП. 2010, т.44, вып.3, с.418−421.
  • М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Е. Б. Клюенков, А. Я. Лопатин, В. И. Лучин, Н. Н. Салащенко, Н. Н. Цыбин, Л. А. Шмаенок. Эволюция распределения элементов в свободно висящих структурах Zr/ZrSi2 с защитными слоями MoSi2 и ZrSi2 при отжиге. «Известия Российской Академии наук. Серия физическая», 2011, том 75, № 1, с. 80−83.
  • G. L. Pakhomov, M. N. Drozdov, V. V. Travkin. SIMS study of gold/phthalocyanine interface. Applied Surface Science, 2010, v.256, pp.1946−1950.
  • М.Н.Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Д. А. Пряхин, В. И. Шашкин, П. Г. Сенников, Х.-Й.Поль. Количественный безэталонный анализ концентрации изотопов <28,29,30>Si в кремнии методом ВИМС на установке TOF. SIMS-5. «Известия Российской Академии наук. Серия физическая». 2010. Т.74, № 1, С.82−84.
  • E. Bulska, M. N. Drozdov, G. Mana, A. Pramann, O. Rienitz, P. Sennikov and S. Valkiers. The isotopic composition of enriched Si: a data analysis. Metrologia 48 (2011) S32-S36.
  • М.Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, В. Н. Полковников, С. Д. Стариков, П. А. Юнин. Новая альтернатива вторичным ионам CsM<+> для послойного анализа многослойных металличеcких структур методом вторично-ионной масс-спектрометрии. Письма в ЖТФ, 2012, том 38, вып. 24, с.75−85.
  • P.G. Sennikov, A. V. Vodopyanov, S. V. Golubev, D. A. Mansfeld, M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, B. A. Andreev, L. V. Gavrilenko, D. A. Pryakhin, V. I. Shashkin, O. N. Godisov, A. I. Glasunov, A. Ju. Safonov, H.-J. Pohl, M. L. W. Thewalt, P. Becker, H. Riemannh, N. V. Abrosimov, S. Valkiers. Towards 0.99999 <28>Si. SolidStateCommunications. 2012, v.152, p.455−457.
  • М.Н. Дроздов, Н. В. Востоков, В. М. Данильцев, Е. В. Демидов, Ю. Н. Дроздов, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин. Количественный анализ элементного состава и концентрации электронов в гетероструктурах AlGaN/GaN с двумерным электронным каналом методами ВИМС и C-V профилирования. Известия Российской Академии наук. Серия физическая. 2012, том 76, с. 250−254.
  • П.А. Юнин, Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, С. А. Королев, Д. Н. Лобанов. Исследование многослойных полупроводниковых SiGe-структур методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и масс-спектрометрии вторичных ионов. Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, вып. 12, с.1580−1585.
  • М.Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Г. Л. Пахомов, В. В. Травкин, П. А. Юнин. Послойный молекулярный анализ фуллерен-содержащих структур методом время-пролетной вторично-ионной масс-спектрометрии. ПисьмавЖТФ, 2013, т.39, в.24, с.45−54.
  • B. Ber, P. Bábor, P. N. Brunkov, P. Chapon, M. N. Drozdov, R. Duda, D. Kazantsev, V. N. Polkovnikov, P. Yunin, A. Tolstogouzov. Sputter depth profiling of Mo/B4C/Si and Mo/Si multilayer nanostructures: A round-robin characterization by different techniques. Thin Solid Films. 2013, V.540, P.96−105.
  • А.Б. Толстогузов, М. Н. Дроздов, И. А. Зельцер, К. А. Арушанов, ОрландуМ. Н. ДуартеТеодору. Ионно-плазменнаяобработкаповерхности контактов герконов: исследования методом масс-спектрометрии вторичных ионов. Масс-спектрометрия. 2013, т.10, № 3, с.167−174.
  • K.A. Arushanov, M. N. Drozdov, S. M. Karabanov, I. A. Zeltser, A. Tolstogouzov. TOF-SIMS study on surface modification of reed switch blades by pulsing nitrogen plasma. Applied Surface Science 2013, V.265, P.642- 647.
  • E. V. Salomatina, N. M. Bityurin, M. V. Gulenova, T. A. Gracheva, M. N. Drozdov, A. V. Knyazev, K. V. Kir’yanov, A. V. Markina and L. A. Smirnova. Synthesis, structure, and properties of organic-inorganic nanocomposites containing poly (titanium oxide). Journal of Materials Chemistry C, 2013, V. 39, N1, p.6375−6385.
  • Irina V. Sedova, Mikhail V. Lebedev, Grigorii V. Klimko, Sergey V. Sorokin, Victor A. Solov’ev, Gennady Cherkashinin, Silvia Nappini, Elena Magnano, Mikhail N. Drozdov, Petr S. Kop’ev, Sergey V. Ivanov. Coherent InAs/CdSe and InAs/ZnTe/CdSe heterovalent interfaces: Electronic and chemical structure. Applied Surface Science 448 (2018) 455–464
  • M.A. Lobaev, A.M. Gorbachev, A.L. Vikharev, V.A. Isaev, D.B. Radishev, S.A. Bogdanov, M.N. Drozdov, P.A. Yunin, J.E. Butler. Investigation of boron incorporation in delta doped diamond layers by secondary ion mass spectrometry. Thin Solid Films 653 (2018) 215–222
  • М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, М.А. Лобаев, П.А. Юнин. Новые кластерные вторичные ионы для количественного анализа концентрации атомов бора в алмазе методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии. Письма в ЖТФ, 2018, т.44, в.7, с.52.
  • М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Новиков, П.А. Юнин, Д.В. Юрасов. Новое ограничение разрешения по глубине при послойном элементном анализе методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии: влияние зондирующего ионного пучка. Письма в ЖТФ, 2018, том 44, вып. 8, С.11.
  • M.N. Drozdov, Y.N. Drozdov, N.I. Chkhalo, V.N. Polkovnikov, P.A. Yunin, M.V. Chirkin, G.P. Gololobov, D.V. Suvorov, D.J. Fu, V. Pelenovich, A. Tolstogouzov. Time-of-flight secondary ion mass spectrometry study on Be/Al-based multilayer interferential structures. Thin Solid Films 661 (2018) 65–70.
  • D.V. Yurasov, A.V. Antonov, M.N. Drozdov, P.A. Yunin, B.A. Andreev, P.A. Bushuykin, N.A. Baydakova, A.V. Novikov. Structural and electrical properties of Ge-on-Si(0 0 1) layers with ultra heavy n-type doping grown by MBE. Journal of Crystal Growth 491 (2018) 26–30
  • D V Yurasov, A V Novikov, N A Baidakova, E E Morozova, P A Yunin, D V Shengurov, A V Antonov, M N Drozdov and Z F Krasilnik. Influence of thermal annealing on the electrical and luminescent properties of heavily Sb-doped Ge/Si(001) layers. Semicond. Sci. Technol. 33 (2018) 124019
  • Yury N. Buzynin, Oleg I. Khrykin, Pavel A. Yunin, Mikhail N. Drozdov, and Andrey Yu. Luk’yanov. InN Layers Grown by MOCVD on a-Plane Al2O3. Phys. Status Solidi A 2018, 1700919(1-4)
  • Alexander Tolstogouzov, Mikhail N. Drozdov, Sergey F. Belykh, Gennady P. Gololobov, Aleksei E. Ieshkin, Paul Mazarov, Dmitriy V. Suvorov, Dejun Fu, Vasiliy Pelenovich, Xiaomei Zeng, Wenbin Zuo. Cluster secondary ion emission of silicon: an influence of the samples' dimensional features. Rapid Communications in Mass Spectrometry. 2018 Nov 8. doi: 10.1002/rcm.8345
  • Охапкин А.И., Юнин П.А., Архипова Е.А., Краев С.А., Королев С.А., Дроздов М.Н., Шашкин В.И. Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку. «Физика и техника полупроводников». 009/2020
  • N. V. Vostokov, M. N. Drozdov, O. I. Khrykin, P. A. Yunin, and V. I. Shashkin. Low-barrier Mott diodes with near-surface polarization-induced d-doping. Appl. Phys. Lett. 116, 013505 (2020); doi: 10.1063/1.5132307
  • Davide F. Grossi, Sebastian Koelling, Pavel A. Yunin, Paul M. Koenraad, Grigory V. Klimko, Sergey V. Sorokin, Mikhail N. Drozdov, Sergey V. Ivanov, Alexey A. Toropov and Andrei Y. Silov “Design and Characterization of a Sharp GaAs/Zn(Mn)Se Heterovalent Interface: A Sub-Nanometer Scale View”. Nanomaterials 2020, 10, 1315; doi:10.3390/nano10071315
  • М.Н. Дроздов, Е.А. Архипова, Ю.Н. Дроздов, С.А. Краев, В.И. Шашкин, А.Е. Парафин, М.А. Лобаев, А.Л. Вихарев, А.М. Горбачев, Д.Б. Радищев, В.А.Исаев, С.А. Богданов. Использование импульсного лазерного отжига для формирования омических контактов Mo/Ti к алмазу. Письма в ЖТФ, 2020, том 46, вып. 11.
  • Анализ углеродсодержащих материалов методом вторично-ионной масс-спектрометрии:  содержание атомов углерода в sp2 и sp3 гибридных состояниях. М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.И. Охапкин, П.А. Юнин, О.А. Стрелецкий, А.Е. Иешкин. Письма в ЖТФ, 2020, том 46, вып. 6
  • А.Б.Толстогузов, М.Н.Дроздов, А.Е.Иешкин, А.А.Татаринцев, А.В.Мяконьких, С.Ф.Белых, Н. Г.Коробейщиков, В.О.Пеленович, Д.Фу. Влияние размерного эффекта на кластерную ионную эмиссию наноструктур кремния. Письма в ЖЭТФ, 2020, том 111, вып. 8, с. 531 – 535
  • M.A. Lobaev, D.B. Radishev, S.A. Bogdanov, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, V.A. Isaev, S.A. Kraev, A.I. Okhapkin, E.A. Arhipova, M.N. Drozdov, V.I. Shashkin. Diamond p–i–n Diode with Nitrogen Containing Intrinsic Region for the Study of Nitrogen-Vacancy Center Electroluminescence. Phys. Status Solidi RRL 2020, 2000347. DOI: 10.1002/pssr.20200034
  • S.A. Bogdanov, S.V. Bolshedvorskii, A.I. Zeleneev, V.V. Soshenko, O.R. Rubinas, D.B. Radishev, M.A. Lobaev, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, M.N. Drozdov, V.N. Sorokin, A.V. Akimov. Optical investigation of as-grown NV centers in heavily nitrogen doped delta layers in CVD diamond. Materials Today Communications 24 (2020) 101019. https://doi.org/10.1016/j.mtcomm.2020.101019
  • M.N. Drozdov, A.E. Ieshkin, O.A. Streletskiy, O. Yu Nishchak, S.F. Belykh, A. Tolstoguzov. TOF-SIMS for carbon hybridization state analysis. Carbon 186 (2022) 83-90.

Контактная информация

Тел.: (831) 417−94−92

Возврат к списку