2D топологические изоляторы на основе InAs/GaSb

Предложен и реализован новый тип топологических материалов на основе полупроводников А3В5 — трехслойных симметричных квантовых ям InAs/GaSb/InAs, в которых в зависимости от толщины и встроенной деформации слоев могут реализовываться бесщелевое состояние с безмассовыми фермионами Дирака и двумерный топологический изолятор с величиной щели до 60 мэВ, что позволяет наблюдать квантовый транспорт при комнатных температурах.



Зонная схема квантовых ям InAs/GaSb


Фазовая диаграмма состояний квантовых ям InAs/GaSb.

Авторы:

С.С.Криштопенко, А. В. Иконников, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко (ИФМ РАН); В. В. Преображенский (ИФП СО РАН); F. Teppe, W. Knap (L2C, Montpellier, France); E. Tournie (IES, Montpellier, France); M. Potemski, M. Orlita (LNCMI, Grenoble, France)

Публикации:

1.      С.С.Криштопенко, С. Руффенах, Ф. Гонзалез-Посада и др. Письма в ЖЭТФ, 2019.

2.      S. S. Krishtopenko, W. Desrat, K. E. Spirin et al. Phys. Rev. B, 2019.

3.      S.S.Krishtopenko, F.Teppe. Science Advances, 2018.

4.      S.S. Krishtopenko, S. Ruffenach, F. Gonzalez-Posada et al. Phys. Rev. B, 2018.

5.      С.Руффенах, С. С. Криштопенко, Л. С. Бовкун. Письма в ЖЭТФ, 2017.

6.     С.С.Криштопенко, А. В. Иконников, К. В. Маремьянин. ФТП, 2017.