- филиал Федерального государственного бюджетного
научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)
- филиал Федерального государственного бюджетного
научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)
Photoluminescence of dome and hut shaped Ge(Si) self-assembled islands embedded in a tensile-strained Si layer / M. V. Shaleev, A. V. Novikov, A. N. Yablonskiy, Y. N. Drozdov, D. N. Lobanov, Z. F. Krasilnik, O. A. Kuznetsov, Applied Physics Letters 91, 021916 (2007);
Terahertz gain on shallow donor transitions in silicon / R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, J. N. Hovenier, T. O. Klaassen, A. F. G. van der Meer, Journal of Applied Physics 102, 093104 (2007);
Low-threshold terahertz Si: As laser / S. G. Pavlov, U. Böttger, and H.-W. Hübers, R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, V. V. Tsyplenkov, and V. N. Shastin, N. V. Abrosimov and H. Riemann, Applied Physics Letters 90, 141109 (2007);
Influence of uniaxial stress on stimulated terahertz emission from phosphor and antimony donors in silicon / R. Kh. Zhukavin, V. V. Tsyplenkov, K. A. Kovalevsky, V. N. Shastin, S. G. Pavlov, U. Böttger, H.-W. Hübers, H. Riemann, N. V. Abrosimov, and N. Nötzel, Applied Physics Letters 90, 051101 (2007);
Magnetophonon Oscillations in the Negative Differential Conductance of Dilute Nitride GaAs1-xNx Submicron Diodes / G. Allison, S. Spasov, Patanè A., L. Eaves, Ignatov A,D. Maude, M. Hopkinson and R. Airey, Physical Review B 75, 1153251 (2007);
Magnetic Field Tuning of Hot Electron Resonant Capture in a Semiconductor Device / S. Spasov, G Allison, Patanè A, Ignatov A, L. Eaves, D. Maude, M. Hopkinson and R. Airey, Applied Physics Letters 91 (14), 1421041 (2007);
Fano resonance study in impurity photocurrent spectra of bulk GaAs and GaAs quantum wells doped by shallow donors / V. Ya. Aleshkin, A. V. Antonov, L. V. Gavrilenko, V. I. Gavrilenko, Physical Review B 75, 125201 (2007);
Terahertz luminescence in strained GaAsN: Be layersunder strong electric fields / A. Shalygin, L. E. Vorob’ev, D. A. Firsov, V. Yu. Panevin, A. N. Sofronov, A. V. Andrianov, A. O. Zakhar’in, A. Yu. Egorov, A. G. Gladyshev, O. V. Bondarenko, D. V. Kozlov, Applied Physics Letters 90, 161128 (2007);
Nonlinear mode mixing in dual-wavelenght semiconductor lasers with tunnel junctions / S. M. Nekorkin, A. A. Biryukov, P. B. Demina, N. N. Semenov, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. I. Gavrilenko, K. V. Maremyanin, S. V. Morozov, A. A. Belyanin, V. V. Kocharovsky, Vl. V. Kocharovsky, Applied Physics Letters 90, 171106 (2007);
