Лазерно-плазменный источник рентгеновского излучения на основе ксенона

Разработан лазерно-плазменный источник рентгеновского излучения на основе ионов ксенона для литографии следующего поколения с длиной волны короче 13.5 нм. Окружение струи Xe концентрическим потоком He позволяет сохранять высокую плотность Xe до области взаимодействия с излучением лазера. Получены высокие значения конверсии энергии лазерного излучения в рентгеновское, излученное в полупространство: 2.1%/нм в области длин волн 5−9 нм и 10.5%/нм на длине волны 10.8 нм.

Авторы

С.А. Гарахин, И.Г., Забродин С. Ю. Зуев, А. Н. Нечай, Н. Н. Салащенко, М. Н. Торопов, Н. Н. Цыбин, Н. И. Чхало — ИФМ РАН

Публикации

1.      N. Chkhalo, and N. Salashchenko, «Next generation nanolithography based on Ru/Be and Rh/Sr multilayer optics," AIP Advances 3, 082130 (2013)

2.      N. I. Chkhalo, et al. Conversion efficiency of a laser-plasma source based on a Xe jet in the vicinity of a wavelength of 11 nm. AIP Advances 8, 105003 (2018)

3.     N. I. Chkhalo, et al. A double-stream Xe: He jet plasma emission in the vicinity of 6.7 nm. Appl. Phys. Lett. 112, 221101 (2018)