Оборудование отдела 140
Меню
EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

Оборудование отдела 140



Эпитаксия полупроводниковых гетероструктур на основе In, Ga, Al — As, N

  • установка МОГФЭ Epiquip VP 502-RT.

Диагностика и исследование гетероструктур

Рентгеноструктурный анализ

  • дифрактометр рентгеновский общего назначения ДРОН - 4, модифицированный;
  • дифрактометр рентгеновский Bruker D8 Discover.

Аналитический анализ

  • масс-спектрометр вторичных ионов TOF. SIMS 5;
  • фурье-спектрометр Infralum FT-801.

Зондовая микроскопия

  • микроскоп сканирующий зондовый Solver P4;
  • микроскоп сканирующий зондовый «СММ-2000".

Электрофизические исследования микроструктур

  • автоматизированный комплекс для измерения I-V и C-V характеристик;
  • характериограф 4832;
  • СВЧ зондовая установка PM-5.

Фотоэлектрические исследования

  • фурье-спектрометр Infralum FT-801;
  • монохроматор МДР-41.

Исследование поверхности

  • оптическая измерительная система Talysurf CCI 2000;
  • профилометр модели 130.

Микро- и наноэлектроника

  • установки для напыления (металлов, диэлектриков, сверхпроводников, органических полупроводников);
  • установка для быстрого отжига полупроводниковых структур AcuThermo AW 410 System;
  • установка экспонирования контактной фотолитографии SUSS MJB4;
  • установка плазмохимического травления PlasmaLab 80Plus с источником ICP;
  • установка плазмохимического травления Secon XPL-26.