Оборудование отдела 140

Эпитаксия полупроводниковых гетероструктур на основе In, Ga, Al — As, N

• установка МОГФЭ Epiquip VP 502-RT.

Диагностика и исследование гетероструктур

Рентгеноструктурный анализ

• дифрактометр рентгеновский общего назначения ДРОН - 4, модифицированный;
• дифрактометр рентгеновский Bruker D8 Discover.

Аналитический анализ

• масс-спектрометр вторичных ионов TOF. SIMS 5;
• фурье-спектрометр Infralum FT-801.

Зондовая микроскопия

• микроскоп сканирующий зондовый Solver P4;
• микроскоп сканирующий зондовый «СММ-2000".

Электрофизические исследования микроструктур

• автоматизированный комплекс для измерения I-V и C-V характеристик;
• характериограф 4832;
• СВЧ зондовая установка PM-5.

Фотоэлектрические исследования

• фурье-спектрометр Infralum FT-801;
• монохроматор МДР-41.

Исследование поверхности

• оптическая измерительная система Talysurf CCI 2000;
• профилометр модели 130.
  

Микро- и наноэлектроника

• установки для напыления (металлов, диэлектриков, сверхпроводников, органических полупроводников);
• установка для быстрого отжига полупроводниковых структур AcuThermo AW 410 System;
• установка экспонирования контактной фотолитографии SUSS MJB4;
• установка плазмохимического травления PlasmaLab 80Plus с источником ICP;
• установка плазмохимического травления Secon XPL-26.