Метод задающей маски для создания планарных сверхпроводящих структур

Разработан метод задающей маски на основе аморфного оксида церия для создания планарных сверхпроводящих структур на основе эпитаксиальных пленок YBa2Cu3O7-d. При осаждении YBa2Cu3O7-d на подложке в локальных окнах маски формируются сверхпроводящие элементы, а на поверхности маски — изолирующие области. Изготовлены сверхпроводящие мостики с Тс ~ 90 К и плотностью критического тока до 4×106 A/cm2 при 77 К, джозефсоновские контакты на бикристаллических подложках с плотностью критического тока до 9×104 A/cm2.

Авторы

А.Е. Парафин, Д. В. Мастеров, С. А. Павлов, П. А. Юнин, Л. С. Ревин, А. Л. Панкратов, А. В. Чигинев, А. М. Клушин, Е. Е. Пестов, Е. В. Скороходов — ИФМ РАН

Публикации

1.      Письма в ЖТФ, т. 42, вып. 11, с. 82−90 (2016)

2.      Supercond. Sci. Technol., 30, 025007 (2017)

3.      ФТТ, т. 59, вып. 11, с. 2113−2116 (2017)

4.      ФТТ, т. 59, вып. 11, с. 2117−2122 (2017)

5.      ФТТ, т. 60, вып. 11, c. 2100−2104 (2018)

6.      Supercond. Sci. Technol., 31, 045002 (2018)

7.      IEEE Transactions On Applied Superconductivity, 28, 1100505 (2018)