2010 год
Меню
EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

2010 год


  • Количественный безэталонный анализ концентрации изотопов 28,29,30Si в кремнии методом ВИМС на установке TOF. SIMS-5. / М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Д. А. Пряхин, В. И. Шашкин, П. Г. Сенников, Х.-Й. Поль, Известия Российской Академии наук. Серия физическая 74 (1), 82 (2010);
  • Plasma-enhanced chemical vapor deposition of 99,95% 28Si in form of nano- and polycrystals using silicon tetrafluoride as precursor / P. Sennikov, D. Pryakhin, B. Andreev, L. Gavrilenko, Yu. Drozdov, M. Drozdov, H.-J. Pohl, V. Shashkin, Cryst. Res. Technol. 45 (9), 983 (2010);

Возврат к списку