Электронно-ионный (двухлучевой) растровый электронный микроскоп NEON 40 EsB
Меню
EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

Электронно-ионный (двухлучевой) растровый электронный микроскоп NEON 40 EsB



Предназначен для исследования наноструктур, нанопрепарирования, локального ионного травления/осаждения и подготовки сверхтонких срезов для исследований методами ПЭМ. Имеется возможность локального ионно-стимулированного осаждения нескольких материалов (Pt, SiO2,вольфрам и др.).

Возврат к списку