Предназначен для исследования наноструктур, нанопрепарирования, локального ионного травления/осаждения и подготовки сверхтонких срезов для исследований методами ПЭМ. Имеется возможность локального ионно-стимулированного осаждения нескольких материалов (Pt, SiO
2,вольфрам и др.).