Институт физики микроструктур РАН
- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)
|
Рентгеновская литография
Создан экспериментальный стенд на длину волны 13,5 нм.Впервые в России продемонстрировано разрешение проекционной рентгеновской литографии лучше 100 нм.
Вернуться в научные направления