- филиал Федерального государственного бюджетного
научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)
- филиал Федерального государственного бюджетного
научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)
В настоящее время в институте проводятся 6 семинаров. Если вы не являетесь сотрудником института, хотите посетить какой-то семинар, или выступить, обратитесь к секретарю интересующего вас семинара, либо напишите письмо.
2022–2024
16 апреля 2024 П.В. Волков Методы регистрации сигналов с волоконно-оптических датчиков с использованием низкокогерентной интерферометрии
9 апреля 2024 М.С. Жолудев Гетероструктуры с селективным туннелированием для лазеров и детекторов на основе CdHgTe
2 апреля 2024 А.А. Дубинов Возможность закрытия "терагерцовой дыры" квантово-каскадных лазеров
26 марта 2024 В.Я. Алешкин Рассеяние электронов на оптических фононах в легированных GaAs квантовых ямах
19 марта 2024 Д.В. Хомицкий Влияние соотношения вкладов Рашбы и Дрессельхауза и параметров туннелирования в двойной квантовой точке со спин-орбитальным взаимодействием на спиновую динамику в условиях электрического дипольного резонанса
5 марта 2024 Р. Х Жукавин ТГц люминесценция в условиях межзонного возбуждения кремния, легированного мелкими донорами
16 января 2024 А.А. Разова Микродисковые лазеры на основе гетероструктур с квантовыми ямами Hg(Cd)Te/CdHgTe
19 декабря 2023 М.А. Фадеев Генерация стимулированного излучения в гетероструктурах HgCdTe на длинах волн λ > 20 мкм при непрерывной накачке
12 декабря 2023 К.Е. Кудрявцев Беспороговая (резонансная) оже-рекомбинация в КЯ HgTe/CdHgTe
28 октября 2023 В.Я. Алешкин Внутризонное рассеяние электронов на оптических фононах в квантовых ямах гетероструктур HgTe/CdHgTe
3 октября 2023 А.В. Новиков Электрическая накачка фотонных кристаллов в структурах с самоформирующимися Ge(Si) наноостровками
19 сентября 2023 В.И. Гавриленко Перестройка частоты излучения арочных квантово-каскадных лазеров среднего инфракрасного диапазона
11 июля 2023 А.О. Рудаков Влияние диэлектрической проницаемости квантовой ямы на двумерные плазмон-фононы
7 июля 2023 Н.А. Бекин Многофононная релаксация триплета 1s(T2) нейтральных доноров магния в кремнии
5 июля 2023 Н.В. Востоков Микроволновые детекторные диоды Шоттки на основе полностью монокристаллических низкобарьерных гетероструктур Al/AlGaN/GaN
27 июня 2023 А.Н. Яблонский Спектроскопия ФЛ SiGe микро- и наноструктур с субнаносекундным временным разрешением
20 июня 2023 В.Я. Алешкин Оптимальные параметры CdHgTe/HgTe структуры для генерации и усиления плазмон-фононов
13 июня 2023 А.И. Коптяев Петропорфирин VO-EtioP-III: молекулярная и кристаллическая структура, свойства тонких пленок
6 июня 2023 А.А. Дубинов Концепция некаскадного межподзонного инжекционного лазера на примере гетероструктуры HgCdTe
16 мая 2023 А.А. Сушков (НИФТИ ННГУ) Создание платформы на основе подложки класса "кремний - на - изоляторе" для эпитаксии слоев A3B5
11 апреля 2023 Е.В. Демидов Полупроводниковый спиновый кубит
4 апреля 2023 А.В. Новиков Формирования кубитов на основе изотопнообогащенных гетероструктур Si28/ Si28Ge72
28 марта 2023 Ю.М. Кузнецов, м.н.с. НИФТИ ННГУ Особенности синтеза и электрофизические свойства высокотемпературных термоэлектрических материалов на основе нанопорошков Ge-Si и Mn-Si
27 октября 2022 К.В. Руденко Выбор технологий глубокого травления кремния для структур MEMS и наноэлектроники
13 сентября 2022 О.С. Соболева Мощные полупроводниковые низковольтные лазер-тиристоры на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
Семинары за предыдущие годы
2021–2022
28 июня 2022
Д.А. Лискин Плазмонно-индуцированная фотопроводимость плёнок стабилизированного диоксида циркония с наночастицами золота
7 июня 2022
С.В. Морозов Стимулированное излучение в среднем и дальнем инфракрасном диапазонах в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
29 апреля 2022
А.А. Лебедев Графен на SiC: получение, исследование, перспективы практического применения
19 апреля 2022
К.В. Барышникова Позиционирование одиночных источников излучения в задачах нанофотоники
29 марта 2022
В.Н. Шастин Стимулированное излучение оптически возбуждаемых доноров V группы в одноосно деформированном кремнии
2 марта 2022
А.С. Петров Дрейфовые неустойчивости плазменных волн в двумерных электронных системах
1 марта 2022
А.И.Студеникин ; К.А.Кузаков ; А.А.Юхимчук ; В.Н.Трофимов По материалам Проекта Научного центра физики и
математики (г. Саров): Измерение электромагнитных свойств нейтрино от
тритиевого источника (анти)нейтрино.
15 февраля 2022
А.В. Кудрин Ферромагнитные полупроводниковые структуры на основе слоев AIIIBV, легированных атомами Mn и Fe
8 февраля 2022
П.А. Бушуйкин Оптические и фотоэлектрические свойства нитрида индия
1 февраля 2022
П.В. Волков Волоконно оптические сенсоры на базе микромеханики
25 января 2022
Г.Л. Пахомов Изменения морфологии и химического состава
двухкомпонентных систем SubPc:C60 при прямом солнечном освещении. (по
материалам отчета НЦМУ-2021)
18 января 2022
Yuri Kivshar Mie-resonant metaphotonics and metasurfaces
28 декабря 2021
А.О. Рудаков Усиление плазмонов в многоямных гетероструктурах HgTe/CdHgTe
21 декабря 2021
Проф. Б.С. Лукьянчук Colossal magnetic felds in high refractive index materials at microwave frequencies
14 декабря 2021
В.А. Анфертьев Применение метода терагерцовой газовой
спектроскопии высокого разрешения для анализа состава продуктов
термического разложения патологической и здоровой ткани в околоносовых
пазухах
8 декабря 2021
С.А. Королёв Матричное радиовидение миллиметрового диапазона
7 декабря 2021
А.А. Копасов Особенности джозефсоновского транспорта в искривленных майорановских нанопроводах
30 ноября 2021
А.А.Дубинов Генерация разностной частоты в области «остаточных лучей» (Al)GaAs в двухчастотных диодных лазерах
16 ноября 2021
М.Н. Дроздов Метод ВИМС для анализа состояния гибридизации атомов углерода
9 ноября 2021
А.Н. Яблонский О возможности управления большим числом спиновых кубитов в кремнии с использованием "глобального" магнитного поля
26 октября 2021
С.С. Криштопенко Релятивистский коллапс уровней Ландау фермионов Кейна в скрещенных электрическом и магнитном полях
5 октября 2021
В.Я. Алешкин Механизмы рекомбинации в бесщелевой квантовой яме HgTe
7 сентября 2021
Л.А. Мочалов Плазмохимический синтез современных неорганических полупроводниковых материалов
2020–2021
9 июля 2021
М.А. Фадеев Исследование магнитопоглощения, спонтанного и
стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами
Hg(Cd)Te/CdHgTe и InAs/Ga(In)Sb/InAs
6 июля 2021
Р.Х. Жукавин Перестройка спектра ТГц стимулированного излучения при внутрицентровом возбуждении одноосно-деформированного Si:Bi
25 мая 2021
К.Е. Кудрявцев Стимулированное излучение ближнего ИК диапазона в слоях InGaN, полученных методом МПЭ ПА
13 апреля 2021
В.Я. Алешкин Двумерные плазмоны в легированных гетероструктурах с HgTe квантовыми ямами
2 марта 2021
З.Ф. Красильник Кремниевый кубит на основе манипуляций спинов электронов в напряженных SiGe/Si/SiGe гетероструктурах
24 февраля 2021
Шаненко Аркадий Аркадьевич Multiband Material with a Quasi-1D Band as a Robust High-Temperature Superconductor
26 января 2021
А.В.Новиков SiGe гетероструктуры, выращенные на различных подложках: релаксация упругих напряжений, люминесценция и селективное легирование
22 декабря 2020
А.Р. Хисамеева Исследование двумерных плазменных возбуждений в системе с сильно анизотропным электронным спектром
27 октября 2020
И.С. Махов Примесная люминесценция терагерцового диапазона в квантовых ямах GaAs/AlGaAs при межзонном оптическом возбуждении
13 октября 2020
Д.В. Юрасов Информационное сообщение о международной конференции IEEE Photonics Conference 2020
15 сентября 2020
Д.В. Козлов Идентификация примесно – дефектных центров в
объемных КРТ пленках и гетероструктурах на основе КРТ с квантовыми ямами
по особенностям в спектрах фотопроводимости и фотолюминесценции
2019–2020
25 февраля 2020
К.Е.Кудрявцев Гетероструктуры с КЯ Hg(Cd)Te/CdHgTe для диодных лазеров диапазона 3-5 мкм
18 февраля 2020
Д.В. Хомицкий Некоторые задачи для квантовых точек в топологических изоляторах
21 января 2020
П.Г. Сенников Кремниевая платформа для квантового компьютера
17 декабря 2019
Д.В. Козлов Исследование вакансий ртути в эпитаксиальных пленках и гетероструктурах с квантовыми ямами на основе твердых растворов HgCdTe
10 декабря 2019
А.К.Федотов Европейская дорожная карта и перспективы применения графена в электронике
31 октября 2019
А.О.Ларин Оптические свойства кремниевых структур, активированных ионами эрбия
29 октября 2019
А.К.Самусев Experimental studies of guided and leaky waves supported by metasurfaces and excited bu nanoantennas
29 октября 2019
А.А.Богданов BIC in photonic system
22 октября 2019
И.В.Андреев Высокочастотная проводимость и коллективные эффекты в двумерных электронных системах
1 октября 2019
В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов, М.В. Степихова Информационное сообщение о XIV Российской конференции по физике полупроводников (Новосибирск, 9-13 сентября 2019)
24 сентября 2019
Д.В.Юрасов Информационное сообщение о XVI International Conference on Group IV Photonics (GFP-2019) Сингапур, 27-30 августа 2019
2018–2019
20 июня 2019
Н.А.Байдакова Процессы поглощения и излучения света в
структурах с Ge(Si) самоформирующимися наноостровками, выращенными на
различных подложках
14 мая 2019
Н.А.Бекин Двухфононная релаксация акцепторов бора в алмазе
7 мая 2019
Е.Е.Орлова Аналитическая модель усиления в напряженном германии
26 февраля 2019
В.Я.Алешкин Пороговые энергии оже-рекомбинации в квантовых ямах HgTe с шириной запрещенной зоны 30-70 мэВ
19 февраля 2019
В.Е.Дегтярёв Численное моделирование энергетических и спиновых
характеристик квантово-размерных гетероструктур различной геометрии на
основе полупроводников AIIIBV
18 декабря 2018
В.Я.Алешкин Отрицательная поляризуемость 2D электронов в HgTe квантовых ямах
4 декабря 2018
М.А.Калитеевский Метало-диэлектрические резонаторы с органической активной областью. Описание эффекта Парселла с помощью S-квантования
27 сентября 2018
Сергей Фатиков, проф. Industrial Robotics at Nanoscale: Key Research Issues
4 сентября 2018
А.М.Кадыков Фотоотклик и стимулированное излучение в структурах на основе соединений HgCdTe в среднем и дальнем ИК диапазонах
2017–2018
3 июля 2018
Д.В.Юрасов Сообщение по статье, направленной в сборник
трудов конференции ISTDM/ICSI-2018: Influence of thermal annealing on
the electrical and luminescent properties of heavy Sb-doped Ge/Si(001)
layers
3 июля 2018
М.В.Степихова Light emission from self-assembled Ge(Si)/SOI
nanoislands embedded in photonic crystal slabs of various period with
and without cavities
8 июня 2018
Д.В.Юрасов Сообщение по прошедшей конференции 1st Joint ISTDM / ICSI 2018 Conference (May 27-31, Potsdam Germany)
5 июня 2018
В.Я.Алешкин Особенности излучательной рекомбинации в квантовых ямах гетероструктур HgTe/СdHgTe
10 апреля 2018
С.А.Королев Микроволновая микроскопия полупроводниковых структур
6 февраля 2018
М.С.Жолудев Метод огибающих функций
27 октября 2017
М.И.Петров Оптические свойства систем на основе резонансных неметаллические наноструктур
26 сентября 2017
Д.В.Козлов Примесные центры в CdHgTe
19 сентября 2017
Г.В.Будкин Фотогальванические эффекты и нелинейный транспорт в квантовых ямах и топологических изоляторах
12 сентября 2017
Р.Х.Жукавин Динамика низкотемпературной внутрицентровой релаксации в n-Ge
2016–2017
6 июня 2017
А.В.Новиков The 10th International Conference on Silicon
Epitaxy and heterostructures (ICSI-10) The University of Warwick,
Coventry, UK 14 -19 May 2017
16 мая 2017
Д.А.Грачев Формирование, структурные и оптические свойства
тонкопленочных гетерогенных систем с массивами нановключений германия в
диэлектрике
11 апреля 2017
Г.Г.Исупова Резонансы проводимости открытой системы с
квантовой точкой, сформированной в двумерном электронном газе со
спин-орбитальным взаимодействием
26 января 2017
П.А.Бушуйкин, М.А.Фадеев, Л.С.Бовкун, А.М.Кадыков Промежуточная аттестация аспирантов очной формы обучения по итогам полугодия
22 декабря 2016
С.А.Тарасенко Дрожание электронов в полупроводниковых структурах со спин-орбитальным взаимодействием
13 декабря 2016
А.А.Конаков Спиновое смешивание и электронные переходы в структурах на основе кремния и двумерных топологических изоляторов
25 октября 2016
А.В.Трифонов Когерентная и некогерентная динамика экситонов в гетероструктурах с квантовыми ямами
4 октября 2016
чл.-корр. РАН А.В.Двуреченский Наноструктуры на основе кремния
27 сентября 2016
Л.С.Бовкун Магнитооптические исследования гетероструктур CdHgTe p-типа проводимости
20 сентября 2016
А.М.Кадыков Магнитооптические исследования структур на основе соединений HgCdTe
24 мая 2016
А.В.Новиков Информационное сообщение о E-MRS Spring Meeting
2016, Лилль, Франция, 2-6 мая 2016 (Германиевая стрейнтроника,
спинтроника, плазмоника и др.)
12 апреля 2016
М.В.Дорохин Спин-зависимые явления и циркулярно-поляризованная люминесценция в гибридных структурах ферромагнетик/полупроводник А3В5
10 марта 2016
В.И.Гавриленко Циклотронный резонанс в бесщелевых квантовых ямах InAs/GaSb/InAs
3 марта 2016
В.Я.Алешкин Влияние спин-орбитального взаимодействия на
вероятность межподзонных переходов электронов в квантовых ямах
гетеросистемы GaAs/AlGaAs
9 февраля 2016
А.А.Дубинов Диодный спазер на основе n+ - Ge
26 января 2016
П.А.Бушуйкин Спектры и кинетика фотовозбуждения InN
21 января 2016
Куликов К.В. Сверхпроводящие структуры с майорановскими фермионами
12 января 2016
С.С.Криштопенко Электронные состояния в двойных квантовых ямах HgTe/CdHgTe
22 декабря 2015
В.Я.Алешкин Каскадный захват электронов на заряженные доноры в GaAs и InP
24 ноября 2015
В.В.Румянцев Экспериментальное обнаружение стимулированного
излучения в волноводных гетероструктурах с квантовыми ямами
HgCdTe/CdHgTe на длинах волн вплоть до 9.5 мкм
3 ноября 2015
М.А.Хорошева Взаимодействия дислокаций с примесями и дефектами в кремнии и их влияние на электронные свойства кремния
20 октября 2015
Д.В.Юрасов Сегрегация Sb и формирование селективно легированных слоев n-типа в матрице Ge
6 октября 2015
А.И.Бобров Исследование полей деформаций и упругих напряжений в массивах вертикально упорядоченных Ge(Si)-наноостровков
2014–2015
16 июня 2015
И.А.Кокурин Эффекты спин-орбитального взаимодействия в ультратонких полупроводниковых наноструктурах
9 июня 2015
В.Я.Алешкин Временная динамика примесной фотопроводимости в GaAs квантовых ямах
9 июня 2015
В.Я.Алешкин Фотолюминесценция на длине волны 1.8 мкм из квантовых «штрихов», выращенных на метаморфном буфере GaAsSb
2 июня 2015
З.Ф.Красильник Обзор докладов на конференции "Transport and
photonics in group IV-based nanodevices" в составе E-MRS, Франция,
Лилль, 11-15 мая 2015 г.
12 мая 2015
Д.Н.Лобанов Особенности роста InN методом МПЭ с плазменной активацией азота при различных соотношениях потоков элементов III и V групп
31 марта 2015
Д.В.Козлов Состояния двухзарядных акцепторов в узкозонных КРТ - структурах
31 марта 2015
А.Л.Протасеня Современные источники лазерного излучения и
спектральная техника производства ЗАО «СоларЛС», г. Минск, Беларусь.
Лазерные системы с перестройкой длины волны в УФ, видимом и
ИК-диапазонах
17 марта 2015
Nils Dessman Pump-probe study of shallow impurity states in germanium and silicon crystals
19 февраля 2015
В.Ю.Тимошенко Кремниевые нанокристаллы для оптоэлектроники и биомедицины
27 января 2015
А.А.Дубинов Лазер на основе GeSn с оптической накачкой
19 декабря 2014
Д.М.Ермолаев Исследование детектирования терагерцового
излучения короткопериодическими массивами полевых транзисторов на
основе наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
17 декабря 2014
В.Я.Алешкин Каскадный захват электронов на доноры в GaAs квантовых ямах
16 декабря 2014
А.В.Новиков Использование подложек «напряженный кремний на
изоляторе» с тонким слоем окисла (UTBB sSOI) для формирования
светоизлучающих SiGe гетероструктур
9 декабря 2014
В.В.Травкин Получение и тестирование тонкоплёночных органических фотовольтаических ячеек
18 ноября 2014
С.В.Иванов Оптоэлектроника на основе широкозонных
полупроводниковых гетероструктур А3N и А2В6, выращиваемых методом
молекулярно-пучковой эпитаксии
28 октября 2014
А.А.Дубинов Стимулированное излучение из структур на основе GaAs, выращенных на Ge/Si подложках
9 октября 2014
В.В.Румянцев Длинноволновая фотопроводимость и
фотолюминесценция узкозонных эпитаксиальных пленок и структур с
квантовыми ямами на основе HgCdTe
7 октября 2014
А.А.Дубинов Лазер А3В5 на германиевой подложке
9 сентября 2014
З.Ф.Красильник Кремниевая фотоника (по материалам 11TH International Conference on Group IV Photonics)
2013–2014
1 июля 2014
В.В.Румянцев Длинноволновая фотопроводимость и
фотолюминесценция узкозонных эпитаксиальных пленок и структур с
квантовыми ямами на основе HgCdTe
10 июня 2014
В.Б.Шмагин Поглощение Урбаха и флуктуации зонного потенциала в эпитаксиальных слоях Si:Er
27 мая 2014
А.Е.Черняков Особенности развития деградации внешней квантовой
эффективности мощных синих светодиодов на основе квантоворазмерных
InGaN/GaN структур
20 мая 2014
С.С.Криштопенко Двойные квантовые ямы HgTe/CdHgTe
13 мая 2014
В.А.Тимофеев Морфология и структура поверхности на начальных стадиях роста пленок GeSi и GeSiSn на Si(100)
24 марта 2014
Prof. Noritaka USAMI Multiscale Si-based materials for photovoltaic applications
11 февраля 2014
М.Н.Дроздов Новый подход к диагностике наноостровков в гетероструктурах GexSi1-x/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии
24 декабря 2013
А.А.Ластовкин Исследование спектров излучения импульсных
квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона и их применение для
спектроскопии гетероструктур на основе HgTe/CdTe с квантовыми ямами
13 декабря 2013
М.Е.Шеина Особенности формирования наноразмерных
металлических частиц методом имплантации в стабилизированном диоксиде
циркония и исследование его оптических и электронных свойств
5 ноября 2013
М.А.Силаев Квантовая группировка фотонов в спектре флуоресценции связанных кубитов
22 октября 2013
К.Е.Кудрявцев Особенности возбуждения, температурного гашения и
безызлучательной релаксации Er-содержащих излучающих центров с
линейчатой структурой спектра в кремниевых эпитаксиальных структурах
11 октября 2013
М.С.Жолудев Терагерцовая спектроскопия квантовых ям HgCdTe/CdHgTe
1 октября 2013
В.А. Бурдов Процессы релаксации и энергообмена в массивах кремниевых нанокристаллов
24 сентября 2013
Д.О.Филатов Туннельная атомно-силовая микроскопия твердотельных наноструктур
2012–2013
2 июля 2013
Н.А.Байдакова Процессы поглощения и излучения света в
низкоразмерных GeSi гетероструктурах, сформированных на Si, Ge подложках
и релаксированных SiGe буферах
20 июня 2013
В.В.Цыпленков Населенности состояний донора висмута в одноосно-деформированном кремнии при оптическом возбуждении
20 июня 2013
В.Я.Алешкин Влияние ближнего поля на спектр поглощения примесей в кристаллах и одноатомных газов
18 июня 2013
М.С.Жолудев Терагерцовая спектроскопия двумерных систем:
резонансные состояния мелких примесей; циклотронный резонанс и
фотопроводимость в узкозонных гетероструктурах CdxHg1-xTe/CdyHg1-yTe
11 июня 2013
Д.И.Курицын Установка для измерения оптических откликов полупроводниковых гетероструктур с фемтосекундным временным разрешением
21 мая 2013
А.Н.Резник Микроволновая ближнепольная диагностика полупроводниковых пленок
14 мая 2013
Д.Н.Лобанов Установка STE 3N3 для молекулярно-пучковой эпитаксии соединений А3N
23 апреля 2013
Т.Н.Смыслова Особенности взаимодействия молекулярных пучков с
поверхностью кремния в условиях выращивания слоев методом вакуумной
химической эпитаксии
16 апреля 2013
С.С.Криштопенко Циклотронный и спиновый резонанс в ультраквантовом пределе
9 апреля 2013
С.В.Морозов Длинноволновая фотолюминесценция в узкозонных объемных структурах HgCdTe и квантовых ямах Hg1-xCdxTe/Cd1-yHgyTe
5 марта 2013
А.А.Дубинов Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной структуре на основе GaAs
5 марта 2013
А.А.Дубинов Лазер зеленого диапазона длин волн на основе AlGaIn
26 февраля 2013
Т.С.Шамирзаев Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной
19 февраля 2013
А.Б.Мучников Исследование влияния параметров и условий
поддержания плазмы СВЧ разряда на характеристики монокристаллических
алмазных пленок, осаждаемых из газовой фазы
12 февраля 2013
В.Я.Алешкин Влияние ближнего поля на спектр поглощения примесей в кристаллах и молекул в газах
29 января 2013
А.Соколов Фемтосекудные лазеры взаимодействующие с молекулами: Физика и приложения
25 декабря 2012
В.В.Румянцев Релаксация примесной фотопроводимости в p-Si:B с
различными уровнем легирования и степенью компенсации в сильных
электрических полях
7 декабря 2012
П.Г.Серафимович Расчет и использование фотонно-кристаллических резонаторов
20 ноября 2012
В.Я.Алешкин Сообщение о III российском симпозиуме "Полупроводниковые лазеры: физика и технология
23 октября 2012
Д.И.Бурдейный Электронные и оптические свойства резонансных
состояний мелких примесей в полупроводниках и полупроводниковых
гетероструктурах А3B5
16 октября 2012
К.П.Гайкович Синтезированный псевдоимпульс в ближнепольной диагностике, томографии и голографии подповерхностных неоднородностей
15 октября 2012
Д.А.Савинов Вихревые состояния в тонких пленках анизотропных сверхпроводников и гибридных структурах сверхпроводник/ферромагнетик
9 октября 2012
Н.А.Бекин Квантово-каскадный лазер на примесно-зонных переходах в полупроводниковых сверхрешетках: возможность и перспективы
2 октября 2012
С.А.Денисов Молекулярно-пучковая эпитаксия из сублимационного источника слоев кремния и гетероструктур SiGe/Si на сапфире
25 сентября 2012
Д.В.Юрасов Особенности образования наноостровков в
многослойных SiGe гетероструктурах и методика селективного легированпия
SiGe структур сегрегирующими примесями
18 сентября 2012
С.С.Криштопенко Сообщение о 20-ой Межд. конф. "High Magnetic
Fields in Semiconductor Physics", Chamonix Mont-Blanc, France, 22-27
July, 2012 и 31-ой Межд. конф. по физике полупроводников, Zurich,
Switzerland, July 29th - August 3rd, 2012
18 сентября 2012
А.В.Иконников Сообщение о Межд. конф. "Superlattices, Nanostructures and Nanodevices", Dresden, Germany, July 22-27, 2012
11 сентября 2012
Р.Х.Жукавин Сообщение о 31-ой Межд. конф. по физике полупроводников, Zurich, Switzerland, July 29th - August 3rd, 2012
11 сентября 2012
В.В.Румянцев Сообщение о 16-ой Межд. конф. «Solid Films and Surfaces», July 1-6, 2012, Genoa, Italy
2011–2012
5 июля 2012
Е.А.Караштин Оптические свойства ферромагнитных наноструктур с неколлинеарным распределением намагниченности
26 июня 2012
Д.И.Бурдейный Влияние резонансных примесных состояний и
особенностей электрон-фононного взаимодействия на электронные и
оптические свойства полупроводников и полупроводниковых гетероструктур
21 июня 2012
А.А.Дубинов Модовая структура в дальнем поле излучения многоямного лазера с выходом излучения через подложку
19 июня 2012
Н.О.Кривулин Закономерности формирования наноразмерных кристаллических слоев кремния на сапфире
29 мая 2012
А.А.Дубинов Структурные и оптические свойства гетероструктур на основе GaAs с Ge и Ge/InGaAs квантовыми ямами
23 мая 2012
Н.В.Востоков Чувствительные элементы на основе структур металл-полупроводник-металл с симметричной ВАХ для регистрации СВЧ-ТГЦ сигналов
18 мая 2012
Е.А.Вопилкин Туннельно-эмиссионные акселерометры на основе микроэлектромеханических систем
16 мая 2012
Д.Н.Жмерик Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной
активацией оптоэлектронных гетероструктур на основе широкозонных
соединений (AlGaIn)N
15 мая 2012
В.Р.Барышев Генерация пространственно-когерентного излучения в лазерах с двумерной распределенной обратной связью
24 апреля 2012
К.Е.Кудрявцев Оже-девозбуждение ионов эрбия в эпитаксиальных структурах Si:Er/Si с различными типами излучающих центров
10 апреля 2012
Д.И.Бурдейный Резонансное кулоновское рассеяние на мелких донорах в квантовых ямах AlGaAs / n-GaAs / AlGaAs
4 апреля 2012
В.П.Кочерешко Трионы в квантовых ямах
3 апреля 2012
В.П.Кочерешко Эффекты ориентации химических связей на полупроводниковом интерфейсе
6 марта 2012
Н.А.Байдакова Метод спектроскопии возбуждения
фотолюминесценции, модифицированный для исследования процессов
излучения и поглощения света в структурах с Ge(Si)/Si(001)
самоформирующимися наноостровками
14 февраля 2012
М.В.Шалеев Переход от двумерного к трехмерному росту пленки Ge при ее осаждении на релаксированные SiGe/Si(001) буферные слои
14 февраля 2012
А.А.Дубинов Прямозонная сверхрешетка из непрямозонных Si и Ge
7 февраля 2012
В.Я.Алёшкин Фототранзистор с плавающим затвором: новый
чувствительный фотоприемник среднего и дальнего ИК диапазонов (по
работам S.Komiyama)
27 декабря 2011
С.В.Морозов Особенности релаксации примесной фотопроводимости в объемном кремнии, легированном бором
13 декабря 2011
К.А.Ковалевский Стимулированное излучение доноров V-группы в деформированном кремнии
6 декабря 2011
В.Я.Алешкин Спектральные особенности примесной фотопроводимости n-GaAs при энергиях кратных энергии оптического фонона
15 ноября 2011
Ю.Ю.Романова Усиление высокочастотных гармоник в полупроводниковых СР
1 ноября 2011
А.В.Иконников Циклотронный резонанс в гетероструктурах на основе HgTe/CdTe в квантующих магнитных полях
25 октября 2011
В.В.Кириенко Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge
18 октября 2011
Л.К.Орлов Особенности и механизмы роста пленок кубического карбида кремния на кремнии
11 октября 2011
Л.В.Гавриленко Ближнепольный механизм переноса энергии в структуре с квантовыми ямами
4 октября 2011
А.Н.Терещенко Дислокационная люминесценция в кремнии с различным примесным составом
4 октября 2011
В.И.Гавриленко Спектры и кинетика релаксации фотопроводимости в узкозонных твердых растворах HgCdTe (x < 0.2)
27 сентября 2011
Г.М.Чулкова Энергетическая релаксация в примесных металлах,
двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN
и детекторы субмиллиметрового и ИК излучения на их основе
13 сентября 2011
С.С.Криштопенко
Эффекты электрон-электронного взаимодействия в спиновом резонансе 2D электронов в узкозонных гетероструктурах
13 сентября 2011
Л.В.Гавриленко Ближнепольный механизм переноса энергии в структуре с квантовыми ямами
6 сентября 2011
А.С.Пузанов Перенос электронов в транзисторных структурах в
сильных резконеоднородных электрических полях при воздействии потока
квантов высоких энергий
6 сентября 2011
А.И.Белов Синтез и модификация свойств светоизлучающих
кремниевых и кремний-углеродных нанокластеров в оксидных слоях с
применением ионной имплантации
2010–2011
5 июля 2011
С.С.Криштопенко Спиновые и коллективные эффекты в гетероструктурах InAs/AlSb с квантовыми ямами
1 июля 2011
Д.В.Юрасов Особенности образования наноостровков в
многослойных SiGe гетероструктурах и методика селективного легирования
кремниевых структур сегрегирующими примесями
29 июня 2011
М.С.Жолудев Циклотронный резонанс и межзонное магнитопоглощение в гетероструктурах HgTe/CdHgTe с квантовыми ямами
28 июня 2011
А.Н.Яблонский Фотолюминесценция, спектры возбуждения и кинетика
излучательной релаксации в эпитаксиальных кремниевых структурах,
легированных эрбием
21 июня 2011
А.Р.Ковш Динамические, шумовые и спектральные характеристики лазеров на квантовых точках
14 июня 2011
С.В.Морозов Исследование спектров и кинетики
фотолюминесценции гетероструктур с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs в
области длин волн 1.2-1.3 мкм.
7 июня 2011
Д.А.Антонов Исследование электрофизических свойств и
электрополевая модификация наноразмерных оксидных слоёв методом
комбинированной СТМ/АСМ.
10 мая 2011
Л.В.Красильникова Cтруктуры Si/Si1-xGex:Er/Si для кремниевой нанофотоники
26 апреля 2011
С.В.Оболенский Естественные неоднородности в распределении туннельного тока по площади обратносмещенного кремниевого p-n перехода
19 апреля 2011
А.Н.Резник Ближнепольная микроволновая профилометрия концентрации свободных носителей в полупроводниках
6 апреля 2011
В.А.Козлов, В.А.Вербус Туннельный ток через неоднородные гетеробарьеры со сферически симметричными включениями
5 апреля 2011
Е.Е.Орлова Преобразование излучения проволочных лазеров
29 марта 2011
А.В.Корнаухов Тунельно-рекомбинационные процессы в
p+/n-Si:Si/n+ структурах при пробое обратно смещенного p+/n-перехода и
их влияние на эрбиевую электролюминесценцию
8 февраля 2011
Р.Х.Жукавин Влияние спин-орбитального взаимодействия на стимулированное излучение доноров в кремнии.
1 февраля 2011
Д.И.Бурдейный Резонансное кулоновское рассеяние на мелких донорах в GaAs и InP.
28 декабря 2010
В.Я.Алешкин Прямозонные квантовые ямы Ge и Ge/InGaAs в GaAs
26 октября 2010
Е.И.Шмелев Уточнение механизмов фликкерных и естественных шумов в полупроводниковых приборах на основе GaAs
19 октября 2010
В.В.Цыпленков Излучение фононов и неравновесные состояния доноров V группы в кремнии
5 октября 2010
Л.А.Истомин Фотоэлектрические явления и эффект поля в
квантово-размерных гетеронаноструктурах InGaAs/GaAs, выращенных
газофазной эпитаксией.
2 июля 2010
С.С.Криштопенко Эффекты электрон-электронного взаимодействия в спектрах циклотронного резонанса двумерных носителей.
29 июня 2010
М.Л.Орлов Электронный транспорт, эмиссия и детектирование
терагерцового излучения в транзисторных гетероструктурах с коротким
двумерным каналом.
24 июня 2010
М.С.Жолудев Поляризационная зависимость резонансов Фано в спектрах примесной фотопроводимости квантовых ям, легированных мелкими донорами.
22 июня 2010
В.И.Гавриленко Циклотронный резонанс и межзонная терагерцовая
фотопроводимость в гетероструктурах Hg_{1-y}Cd_yTe/Hg_{1-x}Cd_xTe с
квантовыми ямами.
1 июня 2010
А.В.Новиков Различия в формировании смачивающего слоя и Ge(Si)/Si(001) самоформирующихся наноостровков в одно- и многослойных структурах
18 мая 2010
Н.Е.Демидова Транспорт тока, ЭПР и люминесценция в пористом кремнии.
6 мая 2010
Prof. Dr. Mauro Pereira Nonequilibrium Many Body Theory for TERA-MIR Materials and Devices.
2 марта 2010
В.И.Гавриленко Спиновое расщепление в квантовых ямах HgTe/CdHgTe(013) с инвертированной зонной структурой.
2 февраля 2010
М.П.Бубнов Фото-(термо-)механический эффект в молекулярных кристаллах семихиноновых комплексов переходных металлов.
12 января 2010
Д.И.Бурдейный Расчёт параметров резонанса Фано в спектре примесной фотопроводимости полупроводников, легированных водородоподобными донорами.
22 декабря 2009
С.Г.Павлов Лазеры терагерцового диапазона частот на примесных центрах в кремнии и германии.
8 декабря 2009
Е.Е.Орлова NATO Advanced Research Workshop on Terahertz and Mid Infrared Radiation: Basic Research and Applications "TERA - MIR 2009".
1 декабря 2009
В.В.Постников Об установке "Катунь" и о легировании кремния в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии.
10 ноября 2009
М.В. Степихова, К.Е. Кудрявцев Сообщение о международной конференции «Impurity
Based Electroluminescent Devices and Materials» (IBEDM 2009), 30
сентября - 3 октября 2009 г., Тосса де Мар, Испания
3 ноября 2009
Д.С.Ионов Оптические химические сенсоры на основе наночастиц, нановолноводов и фотонных структур.
27 октября 2009
А.В.Новиков Сообщение о 1st International Workshop on Si
based nano-electronics and -photonics (SiNEP-09), 20-23 сентября 2009г.
Виго, Испания
27 октября 2009
Н.В.Юрасова Растянутый германий для кремниевой оптоэлектроники.
13 октября 2009
К.В.Маремьянин Широкоапертурный детектор терагерцового излучения
на основе транзисторной структуры GaAs/InGaAs со щелевым решеточным
затвором большой площа
13 октября 2009
А.В.Кудрин Гальваномагнитные свойства слоев магнитных полупроводников InMnAs, GaMnAs и полуметаллических соединений MnAs, MnP.
6 октября 2009
М.С.Каган Режимы генерации в полупроводниках с ОДП.
2008–2009
30 июня 2009
С.В.Морозов Релаксация примесной фотопроводимости в терагерцовом диапазоне в гетероструктурах с квантовыми ямами
9 июня 2009
К.Е.Спирин Особенности остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами.
2 июня 2009
С.В.Морозов Спектры и кинетика фотолюминесценции гетероструктур GaAsSb/GaAs.
20 мая 2009
В.Г.Лысенко Когерентная спектроскопия полупроводниковых микроструктур
19 мая 2009
М.В.Круглова Фотоэлектрические свойства гетероструктур
14 апреля 2009
А.Л.Коротков Болометрический интерферометр миллиметрового диапазона для исследования поляризации реликтового излучения.
31 марта 2009
К.П.Гайкович Обратная задача ближнепольного рассеяния: совершенная линза в субволновой томографии.
24 марта 2009
В.И.Шашкин Нелинейные транспортные эффекты в селективно легированных гетероэпитаксиальных микроструктурах
10 марта 2009
Д.Е.Николичев Исследование состава самоорганизованных нанокластеров GeSi/Si методом сканирующей оже-микроскопии
3 марта 2009
В.А.Кукушкин Безынверсное усиление дальнего ИК и ТГц излучения на квантовых точках с возможностью значительной перестройки рабочей частоты.
17 февраля 2009
А.А.Дубинов Внутрирезонаторная генерация разностной частоты
терагерцового диапазона в двухчастотном InGaAsP/InP лазере с InGaAs
квантовыми ямами.
3 февраля 2009
В.В. Цыпленков Влияние одноосной деформации на релаксацию возбужденных состояний мелких доноров в кремнии при взаимодействии с междолинными
2 декабря 2008
Л.В. Гавриленко Резонансы Фано в спектре примесной
фотопроводимости объемного GaAs и напряженной гетероструктуры
InGaAs/GaAsP, легированных мелкими акцепт
25 ноября 2008
Тонких А.А. Опыт эксплуатации и технические возможности МПЭ промышленного типа в Санкт-Петербургском ФТ НОЦ РАН.
18 ноября 2008
А.В. Клюев Источники низкочастотных шумов в квантово-размерных светоизлучающих структурах и диодах Шоттки с дельта-легированием.
11 ноября 2008
Д.В. Фатеев Плазменые волны и детектирование терагерцового излучения в решетках полевых транзисторов с двумерными электронными каналами.
1 ноября 2008
А.Н. Яблонский Перестраиваемый источник терагерцового излучения на основе генерации разностной частоты в кристалле GaP.
21 октября 2008
В.Я. Алешкин 1. О возможности создания терагерцового лазера на графене. 2. Одновременная генерация TE0 и TE1 мод с разными частотами в одноч
7 октября 2008
Л.В. Красильникова Оптически активные центры иона Er3+ в гетероструктурах Si/Si1-xGex: Er.
23 сентября 2008
Е.А. Вопилкин Анизотропный пьезоэффект в микроэлектромеханических системах на основе эпитаксиальных гетероструктур AlGaAs/AlAs.
16 сентября 2008
Д.Ю. Ремизов Ударное возбуждение ионов эрбия в кремниевых
светодиодных структурах, полученных методом сублимационной
молекулярно-лучевой эпитакси
9 сентября 2008
В.А. Беляков Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями.
напишите письмо.