Семинар по физике полупроводников
Меню
EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

Семинар по физике полупроводников

В настоящее время в институте проводятся 6 семинаров. Если вы не являетесь сотрудником института, хотите посетить какой-то семинар, или выступить, обратитесь к секретарю интересующего вас семинара, либо напишите письмо.

2022–2023

  1. 3 октября 2023
    А.В. Новиков
    Электрическая накачка фотонных кристаллов в структурах с самоформирующимися Ge(Si) наноостровками
  2. 19 сентября 2023
    В.И. Гавриленко
    Перестройка частоты излучения арочных квантово-каскадных лазеров среднего инфракрасного диапазона
  3. 11 июля 2023
    А.О. Рудаков
    Влияние диэлектрической проницаемости квантовой ямы на двумерные плазмон-фононы
  4. 7 июля 2023
    Н.А. Бекин
    Многофононная релаксация триплета 1s(T2) нейтральных доноров магния в кремнии
  5. 5 июля 2023
    Н.В. Востоков
    Микроволновые детекторные диоды Шоттки на основе полностью монокристаллических низкобарьерных гетероструктур Al/AlGaN/GaN
  6. 27 июня 2023
    А.Н. Яблонский
    Спектроскопия ФЛ SiGe микро- и наноструктур с субнаносекундным временным разрешением
  7. 20 июня 2023
    В.Я. Алешкин
    Оптимальные параметры CdHgTe/HgTe структуры для генерации и усиления плазмон-фононов
  8. 13 июня 2023
    А.И. Коптяев
    Петропорфирин VO-EtioP-III: молекулярная и кристаллическая структура, свойства тонких пленок
  9. 6 июня 2023
    А.А. Дубинов
    Концепция некаскадного межподзонного инжекционного лазера на примере гетероструктуры HgCdTe
  10. 16 мая 2023
    А.А. Сушков (НИФТИ ННГУ)
    Создание платформы на основе подложки класса "кремний - на - изоляторе" для эпитаксии слоев A3B5
  11. 11 апреля 2023
    Е.В. Демидов 
    Полупроводниковый спиновый кубит
  12. 4 апреля 2023
    А.В. Новиков
    Формирования кубитов на основе изотопнообогащенных гетероструктур Si28/ Si28Ge72
  13. 28 марта 2023
    Ю.М. Кузнецов, м.н.с. НИФТИ ННГУ
    Особенности синтеза и электрофизические свойства высокотемпературных термоэлектрических материалов на основе нанопорошков Ge-Si и Mn-Si
  14. 27 октября 2022
    К.В. Руденко
    Выбор технологий глубокого травления кремния для структур MEMS и наноэлектроники
  15. 13 сентября 2022
    О.С. Соболева
    Мощные полупроводниковые низковольтные лазер-тиристоры на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs

Семинары за предыдущие годы

2021–2022

  1. 28 июня 2022
    Д.А. Лискин
    Плазмонно-индуцированная фотопроводимость плёнок стабилизированного диоксида циркония с наночастицами золота
  2. 7 июня 2022
    С.В. Морозов
    Стимулированное излучение в среднем и дальнем инфракрасном диапазонах в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
  3. 29 апреля 2022
    А.А. Лебедев
    Графен на SiC: получение, исследование, перспективы практического применения
  4. 19 апреля 2022
    К.В. Барышникова
    Позиционирование одиночных источников излучения в задачах нанофотоники
  5. 29 марта 2022
    В.Н. Шастин
    Стимулированное излучение оптически возбуждаемых доноров V группы в одноосно деформированном кремнии
  6. 2 марта 2022
    А.С. Петров
    Дрейфовые неустойчивости плазменных волн в двумерных электронных системах
  7. 1 марта 2022
    А.И.Студеникин ; К.А.Кузаков ; А.А.Юхимчук ; В.Н.Трофимов
    По материалам Проекта Научного центра физики и математики (г. Саров): Измерение электромагнитных свойств нейтрино от тритиевого источника (анти)нейтрино.
  8. 15 февраля 2022
    А.В. Кудрин
    Ферромагнитные полупроводниковые структуры на основе слоев AIIIBV, легированных атомами Mn и Fe
  9. 8 февраля 2022
    П.А. Бушуйкин
    Оптические и фотоэлектрические свойства нитрида индия
  10. 1 февраля 2022
    П.В. Волков
    Волоконно оптические сенсоры на базе микромеханики
  11. 25 января 2022
    Г.Л. Пахомов
    Изменения морфологии и химического состава двухкомпонентных систем SubPc:C60 при прямом солнечном освещении. (по материалам отчета НЦМУ-2021)
  12. 18 января 2022
    Yuri Kivshar
    Mie-resonant metaphotonics and metasurfaces
  13. 28 декабря 2021
    А.О. Рудаков
    Усиление плазмонов в многоямных гетероструктурах HgTe/CdHgTe
  14. 21 декабря 2021
    Проф. Б.С. Лукьянчук
    Colossal magnetic felds in high refractive index materials at microwave frequencies
  15. 14 декабря 2021
    В.А. Анфертьев
    Применение метода терагерцовой газовой спектроскопии высокого разрешения для анализа состава продуктов термического разложения патологической и здоровой ткани в околоносовых пазухах
  16. 8 декабря 2021
    С.А. Королёв
    Матричное радиовидение миллиметрового диапазона
  17. 7 декабря 2021
    А.А. Копасов
    Особенности джозефсоновского транспорта в искривленных майорановских нанопроводах
  18. 30 ноября 2021
    А.А.Дубинов
    Генерация разностной частоты в области «остаточных лучей» (Al)GaAs в двухчастотных диодных лазерах
  19. 16 ноября 2021
    М.Н. Дроздов
    Метод ВИМС для анализа состояния гибридизации атомов углерода
  20. 9 ноября 2021
    А.Н. Яблонский
    О возможности управления большим числом спиновых кубитов в кремнии с использованием "глобального" магнитного поля
  21. 26 октября 2021
    С.С. Криштопенко
    Релятивистский коллапс уровней Ландау фермионов Кейна в скрещенных электрическом и магнитном полях
  22. 5 октября 2021
    В.Я. Алешкин
    Механизмы рекомбинации в бесщелевой квантовой яме HgTe
  23. 7 сентября 2021
    Л.А. Мочалов
    Плазмохимический синтез современных неорганических полупроводниковых материалов

2020–2021

  1. 9 июля 2021
    М.А. Фадеев
    Исследование магнитопоглощения, спонтанного и стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами Hg(Cd)Te/CdHgTe и InAs/Ga(In)Sb/InAs
  2. 6 июля 2021
    Р.Х. Жукавин
    Перестройка спектра ТГц стимулированного излучения при внутрицентровом возбуждении одноосно-деформированного Si:Bi
  3. 25 мая 2021
    К.Е. Кудрявцев
    Стимулированное излучение ближнего ИК диапазона в слоях InGaN, полученных методом МПЭ ПА
  4. 13 апреля 2021
    В.Я. Алешкин
    Двумерные плазмоны в легированных гетероструктурах с HgTe квантовыми ямами
  5. 2 марта 2021
    З.Ф. Красильник
    Кремниевый кубит на основе манипуляций спинов электронов в напряженных SiGe/Si/SiGe гетероструктурах
  6. 24 февраля 2021
    Шаненко Аркадий Аркадьевич
    Multiband Material with a Quasi-1D Band as a Robust High-Temperature Superconductor
  7. 26 января 2021
    А.В.Новиков
    SiGe гетероструктуры, выращенные на различных подложках: релаксация упругих напряжений, люминесценция и селективное легирование
  8. 22 декабря 2020
    А.Р. Хисамеева
    Исследование двумерных плазменных возбуждений в системе с сильно анизотропным электронным спектром
  9. 27 октября 2020
    И.С. Махов
    Примесная люминесценция терагерцового диапазона в квантовых ямах GaAs/AlGaAs при межзонном оптическом возбуждении
  10. 13 октября 2020
    Д.В. Юрасов
    Информационное сообщение о международной конференции IEEE Photonics Conference 2020
  11. 15 сентября 2020
    Д.В. Козлов
    Идентификация примесно – дефектных центров в объемных КРТ пленках и гетероструктурах на основе КРТ с квантовыми ямами по особенностям в спектрах фотопроводимости и фотолюминесценции

2019–2020

  1. 25 февраля 2020
    К.Е.Кудрявцев
    Гетероструктуры с КЯ Hg(Cd)Te/CdHgTe для диодных лазеров диапазона 3-5 мкм
  2. 18 февраля 2020
    Д.В. Хомицкий
    Некоторые задачи для квантовых точек в топологических изоляторах
  3. 21 января 2020
    П.Г. Сенников
    Кремниевая платформа для квантового компьютера
  4. 17 декабря 2019
    Д.В. Козлов
    Исследование вакансий ртути в эпитаксиальных пленках и гетероструктурах с квантовыми ямами на основе твердых растворов HgCdTe
  5. 10 декабря 2019
    А.К.Федотов
    Европейская дорожная карта и перспективы применения графена в электронике
  6. 31 октября 2019
    А.О.Ларин
    Оптические свойства кремниевых структур, активированных ионами эрбия
  7. 29 октября 2019
    А.К.Самусев
    Experimental studies of guided and leaky waves supported by metasurfaces and excited bu nanoantennas
  8. 29 октября 2019
    А.А.Богданов
    BIC in photonic system
  9. 22 октября 2019
    И.В.Андреев
    Высокочастотная проводимость и коллективные эффекты в двумерных электронных системах
  10. 1 октября 2019
    В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов, М.В. Степихова
    Информационное сообщение о XIV Российской конференции по физике полупроводников (Новосибирск, 9-13 сентября 2019)
  11. 24 сентября 2019
    Д.В.Юрасов
    Информационное сообщение о XVI International Conference on Group IV Photonics (GFP-2019) Сингапур, 27-30 августа 2019

2018–2019

  1. 20 июня 2019
    Н.А.Байдакова
    Процессы поглощения и излучения света в структурах с Ge(Si) самоформирующимися наноостровками, выращенными на различных подложках
  2. 14 мая 2019
    Н.А.Бекин
    Двухфононная релаксация акцепторов бора в алмазе
  3. 7 мая 2019
    Е.Е.Орлова
    Аналитическая модель усиления в напряженном германии
  4. 26 февраля 2019
    В.Я.Алешкин
    Пороговые энергии оже-рекомбинации в квантовых ямах HgTe с шириной запрещенной зоны 30-70 мэВ
  5. 19 февраля 2019
    В.Е.Дегтярёв
    Численное моделирование энергетических и спиновых характеристик квантово-размерных гетероструктур различной геометрии на основе полупроводников AIIIBV
  6. 18 декабря 2018
    В.Я.Алешкин
    Отрицательная поляризуемость 2D электронов в HgTe квантовых ямах
  7. 4 декабря 2018
    М.А.Калитеевский
    Метало-диэлектрические резонаторы с органической активной областью. Описание эффекта Парселла с помощью S-квантования
  8. 27 сентября 2018
    Сергей Фатиков, проф.
    Industrial Robotics at Nanoscale: Key Research Issues
  9. 4 сентября 2018
    А.М.Кадыков
    Фотоотклик и стимулированное излучение в структурах на основе соединений HgCdTe в среднем и дальнем ИК диапазонах

2017–2018

  1. 3 июля 2018
    Д.В.Юрасов
    Сообщение по статье, направленной в сборник трудов конференции ISTDM/ICSI-2018: Influence of thermal annealing on the electrical and luminescent properties of heavy Sb-doped Ge/Si(001) layers
  2. 3 июля 2018
    М.В.Степихова
    Light emission from self-assembled Ge(Si)/SOI nanoislands embedded in photonic crystal slabs of various period with and without cavities
  3. 8 июня 2018
    Д.В.Юрасов
    Сообщение по прошедшей конференции 1st Joint ISTDM / ICSI 2018 Conference (May 27-31, Potsdam Germany)
  4. 5 июня 2018
    В.Я.Алешкин
    Особенности излучательной рекомбинации в квантовых ямах гетероструктур HgTe/СdHgTe
  5. 10 апреля 2018
    С.А.Королев
    Микроволновая микроскопия полупроводниковых структур
  6. 6 февраля 2018
    М.С.Жолудев
    Метод огибающих функций
  7. 27 октября 2017
    М.И.Петров
    Оптические свойства систем на основе резонансных неметаллические наноструктур
  8. 26 сентября 2017
    Д.В.Козлов
    Примесные центры в CdHgTe
  9. 19 сентября 2017
    Г.В.Будкин
    Фотогальванические эффекты и нелинейный транспорт в квантовых ямах и топологических изоляторах
  10. 12 сентября 2017
    Р.Х.Жукавин
    Динамика низкотемпературной внутрицентровой релаксации в n-Ge

2016–2017

  1. 6 июня 2017
    А.В.Новиков
    The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures (ICSI-10) The University of Warwick, Coventry, UK 14 -19 May 2017
  2. 16 мая 2017
    Д.А.Грачев
    Формирование, структурные и оптические свойства тонкопленочных гетерогенных систем с массивами нановключений германия в диэлектрике
  3. 11 апреля 2017
    Г.Г.Исупова
    Резонансы проводимости открытой системы с квантовой точкой, сформированной в двумерном электронном газе со спин-орбитальным взаимодействием
  4. 26 января 2017
    П.А.Бушуйкин, М.А.Фадеев, Л.С.Бовкун, А.М.Кадыков
    Промежуточная аттестация аспирантов очной формы обучения по итогам полугодия
  5. 22 декабря 2016
    С.А.Тарасенко
    Дрожание электронов в полупроводниковых структурах со спин-орбитальным взаимодействием
  6. 13 декабря 2016
    А.А.Конаков
    Спиновое смешивание и электронные переходы в структурах на основе кремния и двумерных топологических изоляторов
  7. 25 октября 2016
    А.В.Трифонов
    Когерентная и некогерентная динамика экситонов в гетероструктурах с квантовыми ямами
  8. 4 октября 2016
    чл.-корр. РАН А.В.Двуреченский
    Наноструктуры на основе кремния
  9. 27 сентября 2016
    Л.С.Бовкун
    Магнитооптические исследования гетероструктур CdHgTe p-типа проводимости
  10. 20 сентября 2016
    А.М.Кадыков
    Магнитооптические исследования структур на основе соединений HgCdTe
  11. 8 сентября 2016
    А.А.Игнатов
    Широкополосное детектирование интенсивного субмиллиметрового (терагерцового) излучения полупроводниковыми сверхрешетками Есаки-Тсу

2015–2016

  1. 24 мая 2016
    А.В.Новиков
    Информационное сообщение о E-MRS Spring Meeting 2016, Лилль, Франция, 2-6 мая 2016 (Германиевая стрейнтроника, спинтроника, плазмоника и др.)
  2. 12 апреля 2016
    М.В.Дорохин
    Спин-зависимые явления и циркулярно-поляризованная люминесценция в гибридных структурах ферромагнетик/полупроводник А3В5
  3. 10 марта 2016
    В.И.Гавриленко
    Циклотронный резонанс в бесщелевых квантовых ямах InAs/GaSb/InAs
  4. 3 марта 2016
    В.Я.Алешкин
    Влияние спин-орбитального взаимодействия на вероятность межподзонных переходов электронов в квантовых ямах гетеросистемы GaAs/AlGaAs
  5. 9 февраля 2016
    А.А.Дубинов
    Диодный спазер на основе n+ - Ge
  6. 26 января 2016
    П.А.Бушуйкин
    Спектры и кинетика фотовозбуждения InN
  7. 21 января 2016
    Куликов К.В.
    Сверхпроводящие структуры с майорановскими фермионами
  8. 12 января 2016
    С.С.Криштопенко
    Электронные состояния в двойных квантовых ямах HgTe/CdHgTe
  9. 22 декабря 2015
    В.Я.Алешкин
    Каскадный захват электронов на заряженные доноры в GaAs и InP
  10. 24 ноября 2015
    В.В.Румянцев
    Экспериментальное обнаружение стимулированного излучения в волноводных гетероструктурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe на длинах волн вплоть до 9.5 мкм
  11. 3 ноября 2015
    М.А.Хорошева
    Взаимодействия дислокаций с примесями и дефектами в кремнии и их влияние на электронные свойства кремния
  12. 20 октября 2015
    Д.В.Юрасов
    Сегрегация Sb и формирование селективно легированных слоев n-типа в матрице Ge
  13. 6 октября 2015
    А.И.Бобров
    Исследование полей деформаций и упругих напряжений в массивах вертикально упорядоченных Ge(Si)-наноостровков

2014–2015

  1. 16 июня 2015
    И.А.Кокурин
    Эффекты спин-орбитального взаимодействия в ультратонких полупроводниковых наноструктурах
  2. 9 июня 2015
    В.Я.Алешкин
    Временная динамика примесной фотопроводимости в GaAs квантовых ямах
  3. 9 июня 2015
    В.Я.Алешкин
    Фотолюминесценция на длине волны 1.8 мкм из квантовых «штрихов», выращенных на метаморфном буфере GaAsSb
  4. 2 июня 2015
    З.Ф.Красильник
    Обзор докладов на конференции "Transport and photonics in group IV-based nanodevices" в составе E-MRS, Франция, Лилль, 11-15 мая 2015 г.
  5. 12 мая 2015
    Д.Н.Лобанов
    Особенности роста InN методом МПЭ с плазменной активацией азота при различных соотношениях потоков элементов III и V групп
  6. 31 марта 2015
    Д.В.Козлов
    Состояния двухзарядных акцепторов в узкозонных КРТ - структурах
  7. 31 марта 2015
    А.Л.Протасеня
    Современные источники лазерного излучения и спектральная техника производства ЗАО «СоларЛС», г. Минск, Беларусь. Лазерные системы с перестройкой длины волны в УФ, видимом и ИК-диапазонах
  8. 17 марта 2015
    Nils Dessman
    Pump-probe study of shallow impurity states in germanium and silicon crystals
  9. 19 февраля 2015
    В.Ю.Тимошенко
    Кремниевые нанокристаллы для оптоэлектроники и биомедицины
  10. 27 января 2015
    А.А.Дубинов
    Лазер на основе GeSn с оптической накачкой
  11. 19 декабря 2014
    Д.М.Ермолаев
    Исследование детектирования терагерцового излучения короткопериодическими массивами полевых транзисторов на основе наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
  12. 17 декабря 2014
    В.Я.Алешкин
    Каскадный захват электронов на доноры в GaAs квантовых ямах
  13. 16 декабря 2014
    А.В.Новиков
    Использование подложек «напряженный кремний на изоляторе» с тонким слоем окисла (UTBB sSOI) для формирования светоизлучающих SiGe гетероструктур
  14. 9 декабря 2014
    В.В.Травкин
    Получение и тестирование тонкоплёночных органических фотовольтаических ячеек
  15. 18 ноября 2014
    С.В.Иванов
    Оптоэлектроника на основе широкозонных полупроводниковых гетероструктур А3N и А2В6, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии
  16. 28 октября 2014
    А.А.Дубинов
    Стимулированное излучение из структур на основе GaAs, выращенных на Ge/Si подложках
  17. 9 октября 2014
    В.В.Румянцев
    Длинноволновая фотопроводимость и фотолюминесценция узкозонных эпитаксиальных пленок и структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe
  18. 7 октября 2014
    А.А.Дубинов
    Лазер А3В5 на германиевой подложке
  19. 9 сентября 2014
    З.Ф.Красильник
    Кремниевая фотоника (по материалам 11TH International Conference on Group IV Photonics)

2013–2014

  1. 1 июля 2014
    В.В.Румянцев
    Длинноволновая фотопроводимость и фотолюминесценция узкозонных эпитаксиальных пленок и структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe
  2. 10 июня 2014
    В.Б.Шмагин
    Поглощение Урбаха и флуктуации зонного потенциала в эпитаксиальных слоях Si:Er
  3. 27 мая 2014
    А.Е.Черняков
    Особенности развития деградации внешней квантовой эффективности мощных синих светодиодов на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур
  4. 20 мая 2014
    С.С.Криштопенко
    Двойные квантовые ямы HgTe/CdHgTe
  5. 13 мая 2014
    В.А.Тимофеев
    Морфология и структура поверхности на начальных стадиях роста пленок GeSi и GeSiSn на Si(100)
  6. 24 марта 2014
    Prof. Noritaka USAMI
    Multiscale Si-based materials for photovoltaic applications
  7. 11 февраля 2014
    М.Н.Дроздов
    Новый подход к диагностике наноостровков в гетероструктурах GexSi1-x/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии
  8. 24 декабря 2013
    А.А.Ластовкин
    Исследование спектров излучения импульсных квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона и их применение для спектроскопии гетероструктур на основе HgTe/CdTe с квантовыми ямами
  9. 13 декабря 2013
    М.Е.Шеина
    Особенности формирования наноразмерных металлических частиц методом имплантации в стабилизированном диоксиде циркония и исследование его оптических и электронных свойств
  10. 5 ноября 2013
    М.А.Силаев
    Квантовая группировка фотонов в спектре флуоресценции связанных кубитов
  11. 22 октября 2013
    К.Е.Кудрявцев
    Особенности возбуждения, температурного гашения и безызлучательной релаксации Er-содержащих излучающих центров с линейчатой структурой спектра в кремниевых эпитаксиальных структурах
  12. 11 октября 2013
    М.С.Жолудев
    Терагерцовая спектроскопия квантовых ям HgCdTe/CdHgTe
  13. 1 октября 2013
    В.А. Бурдов
    Процессы релаксации и энергообмена в массивах кремниевых нанокристаллов
  14. 24 сентября 2013
    Д.О.Филатов
    Туннельная атомно-силовая микроскопия твердотельных наноструктур

2012–2013

  1. 2 июля 2013
    Н.А.Байдакова
    Процессы поглощения и излучения света в низкоразмерных GeSi гетероструктурах, сформированных на Si, Ge подложках и релаксированных SiGe буферах
  2. 20 июня 2013
    В.В.Цыпленков
    Населенности состояний донора висмута в одноосно-деформированном кремнии при оптическом возбуждении
  3. 20 июня 2013
    В.Я.Алешкин
    Влияние ближнего поля на спектр поглощения примесей в кристаллах и одноатомных газов
  4. 18 июня 2013
    М.С.Жолудев
    Терагерцовая спектроскопия двумерных систем: резонансные состояния мелких примесей; циклотронный резонанс и фотопроводимость в узкозонных гетероструктурах CdxHg1-xTe/CdyHg1-yTe
  5. 11 июня 2013
    Д.И.Курицын
    Установка для измерения оптических откликов полупроводниковых гетероструктур с фемтосекундным временным разрешением
  6. 21 мая 2013
    А.Н.Резник
    Микроволновая ближнепольная диагностика полупроводниковых пленок
  7. 14 мая 2013
    Д.Н.Лобанов
    Установка STE 3N3 для молекулярно-пучковой эпитаксии соединений А3N
  8. 23 апреля 2013
    Т.Н.Смыслова
    Особенности взаимодействия молекулярных пучков с поверхностью кремния в условиях выращивания слоев методом вакуумной химической эпитаксии
  9. 16 апреля 2013
    С.С.Криштопенко
    Циклотронный и спиновый резонанс в ультраквантовом пределе
  10. 9 апреля 2013
    С.В.Морозов
    Длинноволновая фотолюминесценция в узкозонных объемных структурах HgCdTe и квантовых ямах Hg1-xCdxTe/Cd1-yHgyTe
  11. 5 марта 2013
    А.А.Дубинов
    Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной структуре на основе GaAs
  12. 5 марта 2013
    А.А.Дубинов
    Лазер зеленого диапазона длин волн на основе AlGaIn
  13. 26 февраля 2013
    Т.С.Шамирзаев
    Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной
  14. 19 февраля 2013
    А.Б.Мучников
    Исследование влияния параметров и условий поддержания плазмы СВЧ разряда на характеристики монокристаллических алмазных пленок, осаждаемых из газовой фазы
  15. 12 февраля 2013
    В.Я.Алешкин
    Влияние ближнего поля на спектр поглощения примесей в кристаллах и молекул в газах
  16. 29 января 2013
    А.Соколов
    Фемтосекудные лазеры взаимодействующие с молекулами: Физика и приложения
  17. 25 декабря 2012
    В.В.Румянцев
    Релаксация примесной фотопроводимости в p-Si:B с различными уровнем легирования и степенью компенсации в сильных электрических полях
  18. 7 декабря 2012
    П.Г.Серафимович
    Расчет и использование фотонно-кристаллических резонаторов
  19. 20 ноября 2012
    В.Я.Алешкин
    Сообщение о III российском симпозиуме "Полупроводниковые лазеры: физика и технология
  20. 23 октября 2012
    Д.И.Бурдейный
    Электронные и оптические свойства резонансных состояний мелких примесей в полупроводниках и полупроводниковых гетероструктурах А3B5
  21. 16 октября 2012
    К.П.Гайкович
    Синтезированный псевдоимпульс в ближнепольной диагностике, томографии и голографии подповерхностных неоднородностей
  22. 15 октября 2012
    Д.А.Савинов
    Вихревые состояния в тонких пленках анизотропных сверхпроводников и гибридных структурах сверхпроводник/ферромагнетик
  23. 9 октября 2012
    Н.А.Бекин
    Квантово-каскадный лазер на примесно-зонных переходах в полупроводниковых сверхрешетках: возможность и перспективы
  24. 2 октября 2012
    С.А.Денисов
    Молекулярно-пучковая эпитаксия из сублимационного источника слоев кремния и гетероструктур SiGe/Si на сапфире
  25. 25 сентября 2012
    Д.В.Юрасов
    Особенности образования наноостровков в многослойных SiGe гетероструктурах и методика селективного легированпия SiGe структур сегрегирующими примесями
  26. 18 сентября 2012
    С.С.Криштопенко
    Сообщение о 20-ой Межд. конф. "High Magnetic Fields in Semiconductor Physics", Chamonix Mont-Blanc, France, 22-27 July, 2012 и 31-ой Межд. конф. по физике полупроводников, Zurich, Switzerland, July 29th - August 3rd, 2012
  27. 18 сентября 2012
    А.В.Иконников
    Сообщение о Межд. конф. "Superlattices, Nanostructures and Nanodevices", Dresden, Germany, July 22-27, 2012
  28. 11 сентября 2012
    Р.Х.Жукавин
    Сообщение о 31-ой Межд. конф. по физике полупроводников, Zurich, Switzerland, July 29th - August 3rd, 2012
  29. 11 сентября 2012
    В.В.Румянцев
    Сообщение о 16-ой Межд. конф. «Solid Films and Surfaces», July 1-6, 2012, Genoa, Italy

2011–2012

  1. 5 июля 2012
    Е.А.Караштин
    Оптические свойства ферромагнитных наноструктур с неколлинеарным распределением намагниченности
  2. 26 июня 2012
    Д.И.Бурдейный
    Влияние резонансных примесных состояний и особенностей электрон-фононного взаимодействия на электронные и оптические свойства полупроводников и полупроводниковых гетероструктур
  3. 21 июня 2012
    А.А.Дубинов
    Модовая структура в дальнем поле излучения многоямного лазера с выходом излучения через подложку
  4. 19 июня 2012
    Н.О.Кривулин
    Закономерности формирования наноразмерных кристаллических слоев кремния на сапфире
  5. 29 мая 2012
    А.А.Дубинов
    Структурные и оптические свойства гетероструктур на основе GaAs с Ge и Ge/InGaAs квантовыми ямами
  6. 23 мая 2012
    Н.В.Востоков
    Чувствительные элементы на основе структур металл-полупроводник-металл с симметричной ВАХ для регистрации СВЧ-ТГЦ сигналов
  7. 18 мая 2012
    Е.А.Вопилкин
    Туннельно-эмиссионные акселерометры на основе микроэлектромеханических систем
  8. 16 мая 2012
    Д.Н.Жмерик
    Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией оптоэлектронных гетероструктур на основе широкозонных соединений (AlGaIn)N
  9. 15 мая 2012
    В.Р.Барышев
    Генерация пространственно-когерентного излучения в лазерах с двумерной распределенной обратной связью
  10. 24 апреля 2012
    К.Е.Кудрявцев
    Оже-девозбуждение ионов эрбия в эпитаксиальных структурах Si:Er/Si с различными типами излучающих центров
  11. 10 апреля 2012
    Д.И.Бурдейный
    Резонансное кулоновское рассеяние на мелких донорах в квантовых ямах AlGaAs / n-GaAs / AlGaAs
  12. 4 апреля 2012
    В.П.Кочерешко
    Трионы в квантовых ямах
  13. 3 апреля 2012
    В.П.Кочерешко
    Эффекты ориентации химических связей на полупроводниковом интерфейсе
  14. 6 марта 2012
    Н.А.Байдакова
    Метод спектроскопии возбуждения фотолюминесценции, модифицированный для исследования процессов излучения и поглощения света в структурах с Ge(Si)/Si(001) самоформирующимися наноостровками
  15. 28 февраля 2012
    А.В.Савельев
    Микролазер с одной квантовой точкой
  16. 14 февраля 2012
    М.В.Шалеев
    Переход от двумерного к трехмерному росту пленки Ge при ее осаждении на релаксированные SiGe/Si(001) буферные слои
  17. 14 февраля 2012
    А.А.Дубинов
    Прямозонная сверхрешетка из непрямозонных Si и Ge
  18. 7 февраля 2012
    В.Я.Алёшкин
    Фототранзистор с плавающим затвором: новый чувствительный фотоприемник среднего и дальнего ИК диапазонов (по работам S.Komiyama)
  19. 27 декабря 2011
    С.В.Морозов
    Особенности релаксации примесной фотопроводимости в объемном кремнии, легированном бором
  20. 13 декабря 2011
    К.А.Ковалевский
    Стимулированное излучение доноров V-группы в деформированном кремнии
  21. 6 декабря 2011
    В.Я.Алешкин
    Спектральные особенности примесной фотопроводимости n-GaAs при энергиях кратных энергии оптического фонона
  22. 15 ноября 2011
    Ю.Ю.Романова
    Усиление высокочастотных гармоник в полупроводниковых СР
  23. 1 ноября 2011
    А.В.Иконников
    Циклотронный резонанс в гетероструктурах на основе HgTe/CdTe в квантующих магнитных полях
  24. 25 октября 2011
    В.В.Кириенко
    Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge
  25. 18 октября 2011
    Л.К.Орлов
    Особенности и механизмы роста пленок кубического карбида кремния на кремнии
  26. 11 октября 2011
    Л.В.Гавриленко
    Ближнепольный механизм переноса энергии в структуре с квантовыми ямами
  27. 4 октября 2011
    А.Н.Терещенко
    Дислокационная люминесценция в кремнии с различным примесным составом
  28. 4 октября 2011
    В.И.Гавриленко
    Спектры и кинетика релаксации фотопроводимости в узкозонных твердых растворах HgCdTe (x < 0.2)
  29. 27 сентября 2011
    Г.М.Чулкова
    Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ИК излучения на их основе
  30. 13 сентября 2011
    С.С.Криштопенко
    Эффекты электрон-электронного взаимодействия в спиновом резонансе 2D электронов в узкозонных гетероструктурах
  31. 13 сентября 2011
    Л.В.Гавриленко
    Ближнепольный механизм переноса энергии в структуре с квантовыми ямами
  32. 6 сентября 2011
    А.С.Пузанов
    Перенос электронов в транзисторных структурах в сильных резконеоднородных электрических полях при воздействии потока квантов высоких энергий
  33. 6 сентября 2011
    А.И.Белов
    Синтез и модификация свойств светоизлучающих кремниевых и кремний-углеродных нанокластеров в оксидных слоях с применением ионной имплантации

2010–2011

  1. 5 июля 2011
    С.С.Криштопенко
    Спиновые и коллективные эффекты в гетероструктурах InAs/AlSb с квантовыми ямами
  2. 1 июля 2011
    Д.В.Юрасов
    Особенности образования наноостровков в многослойных SiGe гетероструктурах и методика селективного легирования кремниевых структур сегрегирующими примесями
  3. 29 июня 2011
    М.С.Жолудев
    Циклотронный резонанс и межзонное магнитопоглощение в гетероструктурах HgTe/CdHgTe с квантовыми ямами
  4. 28 июня 2011
    А.Н.Яблонский
    Фотолюминесценция, спектры возбуждения и кинетика излучательной релаксации в эпитаксиальных кремниевых структурах, легированных эрбием
  5. 21 июня 2011
    А.Р.Ковш
    Динамические, шумовые и спектральные характеристики лазеров на квантовых точках
  6. 14 июня 2011
    С.В.Морозов
    Исследование спектров и кинетики фотолюминесценции гетероструктур с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs в области длин волн 1.2-1.3 мкм.
  7. 7 июня 2011
    Д.А.Антонов
    Исследование электрофизических свойств и электрополевая модификация наноразмерных оксидных слоёв методом комбинированной СТМ/АСМ.
  8. 10 мая 2011
    Л.В.Красильникова
    Cтруктуры Si/Si1-xGex:Er/Si для кремниевой нанофотоники
  9. 26 апреля 2011
    С.В.Оболенский
    Естественные неоднородности в распределении туннельного тока по площади обратносмещенного кремниевого p-n перехода
  10. 19 апреля 2011
    А.Н.Резник
    Ближнепольная микроволновая профилометрия концентрации свободных носителей в полупроводниках
  11. 6 апреля 2011
    В.А.Козлов, В.А.Вербус
    Туннельный ток через неоднородные гетеробарьеры со сферически симметричными включениями
  12. 5 апреля 2011
    Е.Е.Орлова
    Преобразование излучения проволочных лазеров
  13. 29 марта 2011
    А.В.Корнаухов
    Тунельно-рекомбинационные процессы в p+/n-Si:Si/n+ структурах при пробое обратно смещенного p+/n-перехода и их влияние на эрбиевую электролюминесценцию
  14. 8 февраля 2011
    Р.Х.Жукавин
    Влияние спин-орбитального взаимодействия на стимулированное излучение доноров в кремнии.
  15. 1 февраля 2011
    Д.И.Бурдейный
    Резонансное кулоновское рассеяние на мелких донорах в GaAs и InP.
  16. 28 декабря 2010
    В.Я.Алешкин
    Прямозонные квантовые ямы Ge и Ge/InGaAs в GaAs
  17. 26 октября 2010
    Е.И.Шмелев
    Уточнение механизмов фликкерных и естественных шумов в полупроводниковых приборах на основе GaAs
  18. 19 октября 2010
    В.В.Цыпленков
    Излучение фононов и неравновесные состояния доноров V группы в кремнии
  19. 12 октября 2010
    Д.М.Гапонова
    Спектрокинетические исследования Штарк-эффекта в одиночных и двойных квантовых ямах (Al)GaAs/GaAs
  20. 5 октября 2010
    Л.А.Истомин
    Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах InGaAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией.
  21. 28 сентября 2010
    В.Я.Алешкин
    Одновременная генерация TE1 и TE2 мод с разными длинами волн в полупроводниковом лазере с туннельным переходом.

2009–2010

  1. 2 июля 2010
    С.С.Криштопенко
    Эффекты электрон-электронного взаимодействия в спектрах циклотронного резонанса двумерных носителей.
  2. 29 июня 2010
    М.Л.Орлов
    Электронный транспорт, эмиссия и детектирование терагерцового излучения в транзисторных гетероструктурах с коротким двумерным каналом.
  3. 24 июня 2010
    М.С.Жолудев
    Поляризационная зависимость резонансов Фано в спектрах примесной фотопроводимости квантовых ям, легированных мелкими донорами.
  4. 22 июня 2010
    В.И.Гавриленко
    Циклотронный резонанс и межзонная терагерцовая фотопроводимость в гетероструктурах Hg_{1-y}Cd_yTe/Hg_{1-x}Cd_xTe с квантовыми ямами.
  5. 1 июня 2010
    А.В.Новиков
    Различия в формировании смачивающего слоя и Ge(Si)/Si(001) самоформирующихся наноостровков в одно- и многослойных структурах
  6. 18 мая 2010
    Н.Е.Демидова
    Транспорт тока, ЭПР и люминесценция в пористом кремнии.
  7. 6 мая 2010
    Prof. Dr. Mauro Pereira
    Nonequilibrium Many Body Theory for TERA-MIR Materials and Devices.
  8. 2 марта 2010
    В.И.Гавриленко
    Спиновое расщепление в квантовых ямах HgTe/CdHgTe(013) с инвертированной зонной структурой.
  9. 2 февраля 2010
    М.П.Бубнов
    Фото-(термо-)механический эффект в молекулярных кристаллах семихиноновых комплексов переходных металлов.
  10. 12 января 2010
    Д.И.Бурдейный
    Расчёт параметров резонанса Фано в спектре примесной фотопроводимости полупроводников, легированных водородоподобными донорами.
  11. 22 декабря 2009
    С.Г.Павлов
    Лазеры терагерцового диапазона частот на примесных центрах в кремнии и германии.
  12. 8 декабря 2009
    Е.Е.Орлова
    NATO Advanced Research Workshop on Terahertz and Mid Infrared Radiation: Basic Research and Applications "TERA - MIR 2009".
  13. 1 декабря 2009
    В.В.Постников
    Об установке "Катунь" и о легировании кремния в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии.
  14. 10 ноября 2009
    М.В. Степихова, К.Е. Кудрявцев
    Сообщение о международной конференции «Impurity Based Electroluminescent Devices and Materials» (IBEDM 2009), 30 сентября - 3 октября 2009 г., Тосса де Мар, Испания
  15. 3 ноября 2009
    Д.С.Ионов
    Оптические химические сенсоры на основе наночастиц, нановолноводов и фотонных структур.
  16. 27 октября 2009
    А.В.Новиков
    Сообщение о 1st International Workshop on Si based nano-electronics and -photonics (SiNEP-09), 20-23 сентября 2009г. Виго, Испания
  17. 27 октября 2009
    Н.В.Юрасова
    Растянутый германий для кремниевой оптоэлектроники.
  18. 13 октября 2009
    К.В.Маремьянин
    Широкоапертурный детектор терагерцового излучения на основе транзисторной структуры GaAs/InGaAs со щелевым решеточным затвором большой площа
  19. 13 октября 2009
    А.В.Кудрин
    Гальваномагнитные свойства слоев магнитных полупроводников InMnAs, GaMnAs и полуметаллических соединений MnAs, MnP.
  20. 6 октября 2009
    М.С.Каган
    Режимы генерации в полупроводниках с ОДП.

2008–2009

  1. 30 июня 2009
    С.В.Морозов
    Релаксация примесной фотопроводимости в терагерцовом диапазоне в гетероструктурах с квантовыми ямами
  2. 9 июня 2009
    К.Е.Спирин
    Особенности остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами.
  3. 2 июня 2009
    С.В.Морозов
    Спектры и кинетика фотолюминесценции гетероструктур GaAsSb/GaAs.
  4. 20 мая 2009
    В.Г.Лысенко
    Когерентная спектроскопия полупроводниковых микроструктур
  5. 19 мая 2009
    М.В.Круглова
    Фотоэлектрические свойства гетероструктур
  6. 14 апреля 2009
    А.Л.Коротков
    Болометрический интерферометр миллиметрового диапазона для исследования поляризации реликтового излучения.
  7. 31 марта 2009
    К.П.Гайкович
    Обратная задача ближнепольного рассеяния: совершенная линза в субволновой томографии.
  8. 24 марта 2009
    В.И.Шашкин
    Нелинейные транспортные эффекты в селективно легированных гетероэпитаксиальных микроструктурах
  9. 10 марта 2009
    Д.Е.Николичев
    Исследование состава самоорганизованных нанокластеров GeSi/Si методом сканирующей оже-микроскопии
  10. 3 марта 2009
    В.А.Кукушкин
    Безынверсное усиление дальнего ИК и ТГц излучения на квантовых точках с возможностью значительной перестройки рабочей частоты.
  11. 17 февраля 2009
    А.А.Дубинов
    Внутрирезонаторная генерация разностной частоты терагерцового диапазона в двухчастотном InGaAsP/InP лазере с InGaAs квантовыми ямами.
  12. 3 февраля 2009
    В.В. Цыпленков
    Влияние одноосной деформации на релаксацию возбужденных состояний мелких доноров в кремнии при взаимодействии с междолинными
  13. 2 декабря 2008
    Л.В. Гавриленко
    Резонансы Фано в спектре примесной фотопроводимости объемного GaAs и напряженной гетероструктуры InGaAs/GaAsP, легированных мелкими акцепт
  14. 25 ноября 2008
    Тонких А.А.
    Опыт эксплуатации и технические возможности МПЭ промышленного типа в Санкт-Петербургском ФТ НОЦ РАН.
  15. 18 ноября 2008
    А.В. Клюев
    Источники низкочастотных шумов в квантово-размерных светоизлучающих структурах и диодах Шоттки с дельта-легированием.
  16. 11 ноября 2008
    Д.В. Фатеев
    Плазменые волны и детектирование терагерцового излучения в решетках полевых транзисторов с двумерными электронными каналами.
  17. 1 ноября 2008
    А.Н. Яблонский
    Перестраиваемый источник терагерцового излучения на основе генерации разностной частоты в кристалле GaP.
  18. 21 октября 2008
    В.Я. Алешкин
    1. О возможности создания терагерцового лазера на графене. 2. Одновременная генерация TE0 и TE1 мод с разными частотами в одноч
  19. 7 октября 2008
    Л.В. Красильникова
    Оптически активные центры иона Er3+ в гетероструктурах Si/Si1-xGex: Er.
  20. 23 сентября 2008
    Е.А. Вопилкин
    Анизотропный пьезоэффект в микроэлектромеханических системах на основе эпитаксиальных гетероструктур AlGaAs/AlAs.
  21. 16 сентября 2008
    Д.Ю. Ремизов
    Ударное возбуждение ионов эрбия в кремниевых светодиодных структурах, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитакси
  22. 9 сентября 2008
    В.А. Беляков
    Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями. 










Возврат к списку