Аспирантам
Академик РАН
С.В. Гапонов
1937-2024
Меню
EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

Аспирантура

Аспирантам


Информация для абитуриентов. 

Информация о поступлении в предыдущие годы указана в разделе «Архив»

РАСПИСАНИЕ ЗАНЯТИЙ (1 КУРС, 2 КУРС)

  Английский язык История и философия науки 1.3.2 Приборы и методы экспериментальной физики 1.3.8 Физика конденсированного состояния 2.2.2 Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств

Понедельник

 

История науки

НОЦ, Ауд. 2319 15:00

     

Вторник

НОЦ,
9:00

 

Философия науки

18:00, в он-лайн формате

    РФФ, ауд. 513
14:40
Физика конденсированного состояния

Проф. А.В. Самохвалов

 

Среда

      ИФМ, к. 158
14:00
Приборы и методы экспериментальной физики

Проф. В.И. Гавриленко 		  ИФМ, к. 158
14:00
Экспериментальные методы физики твердого тела

Проф. В.И. Гавриленко

Четверг

      ИФМ, к. 158
13:20
Основы полупроводниковой технологии

Проф. А.В. Новиков 		   

Направления подготовки аспирантов в ИФМ РАН

Шифр и наименование группы научных специальностей Шифр и наименование научной специальности Срок обучения
1.3. Физические науки 1.3.2. Приборы и методы экспериментальной физики 4 года
1.3.8. Физика конденсированного состояния 4 года
2.2. Электроника, фотоника, приборостроение и связь 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств 4 года

Документы

Нормативные документы

Локальные нормативные акты


Зав. аспирантурой

Денисова Ирина Владимировна

Тел.: +7 (831) 417−94−94 +118

E-mail: denis@ipmras.ru

Информация для аспирантов

Абитуриентам

Сведения об образовательных программах

Электронные образовательные ресурсы

Электронно-образовательная среда

Аспирант за время обучения в аспирантуре обязан:

  • полностью выполнить индивидуальный план работы аспиранта;
  • сдать кандидатские экзамены по специальной дисциплине, истории и философии науки и иностранному языку;
  • пройти обучение по профильным дисциплинам и сдать соответствующие зачёты;
  • пройти практику по получению профессиональных умений и опыта профессиональной деятельности (исследовательская практика)
  • пройти итоговую аттестацию. Итоговая аттестация по программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре проводится в форме оценки подготовленной аспирантом диссертации на предмет ее соответствия критериям, установленным в соответствии с Федеральным законом «О науке и государственной научно-технической политике

Индивидуальный план аспиранта

Индивидуальный план (2022)

Индивидуальный план является документом, содержащим информацию о деятельности аспиранта на протяжении всего периода обучения в аспирантуре. В индивидуальном плане определяются конкретные объемы и направления деятельности (в т. ч. научной работы) аспиранта и сроки реализации в соответствии с учебным планом.

Разделы индивидуального плана «основные положения», «общий план работы», «рабочий план первого года подготовки» заполняются аспирантом и подписывается научным руководителем и аспирантом. Тема диссертации представляется на ученый совет института вместе с кратким обоснованием.

Выполнение аспирантом утвержденного индивидуального плана контролирует научный руководитель. После аттестации аспирантом заполняется следующий раздел индивидуального плана: рабочий план на следующий год обучения.

После заполнения индивидуальный план сдается в отдел аспирантуры.

Аттестация аспирантов

Аттестация является формой контроля за работой аспирантов. Сроки проведения аттестации установлены Положением об аспирантуре. Аспирант дважды в год проходит промежуточную аттестацию: на заседаниях структурных научных подразделений – промежуточная аттестация: - январь; на заседании аттестационной комиссии – промежуточная аттестация: -июнь.

На аттестации аспирант отчитывается о проделанной работе, кратко представляет результаты выполнения видов работ, предусмотренных на данный период в индивидуальном плане.

Решения аттестационной комиссии об аттестации аспирантов оформляются протоколом заседания комиссии.

Аспирант, не выполняющий в установленные сроки индивидуальный план, отчисляется из аспирантуры Центра.

Кандидатские экзамены

Кандидатские экзамены устанавливаются по иностранному языку, истории и философии науки и специальной дисциплине.

Заявление о прикреплении для сдачи кандидатских экзаменов

Заявления для сдачи экзаменов

Программы-минимум кандидатского экзамена

Итоговая аттестация

Итоговая аттестация по программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре проводится в форме оценки подготовленной аспирантом диссертации на предмет ее соответствия критериям, установленным в соответствии с Федеральным законом «О науке и государственной научно-технической политике».
Оценка диссертации на предмет ее соответствия критериям осуществляется Ученым советом ИФМ РАН в процессе представления аспирантом диссертации на заседании Ученого совета.

Электронные образовательные ресурсы

Журналы по естественнонаучным дисциплинам

  1. International Technology Roadmap for Semiconductors (http://public.itrs.net/)
  2. Journal of Crystal Growth (https://www.journals.elsevier.com/journal-of-crystal-growth)
  3. Journal of Magnetism and Magnetic Materials (https://www.journals.elsevier.com/journal-of-magnetism-and-magnetic-materials)
  4. Physical Review B (PRB) (https://journals.aps.org/prb/)
  5. Physical Review Letters (PRL) (https://journals.aps.org/prl/)
  6. Review of Scientific Instruments (https://aip.scitation.org/journal/rsi)
  7. Reviews of Modern Physics (RMP) (https://journals.aps.org/rmp/)
  8. Semiconductor Science and Technology (http://iopscience.iop.org/journal/0268−1242)
  9. Superconductor Science and Technology (http://iopscience.iop.org/journal/0953−2048)
  10. Surface Science (https://www.journals.elsevier.com/surface-science)
  11. Thin Solid Films (https://www.journals.elsevier.com/thin-solid-films)
  12. Информационный портал о температурных датчиках (http://temperatures.ru)
  13. Успехи физических наук (https://ufn.ru/ru/)
  14. Физика и техника полупроводников (http://journals.ioffe.ru/journals/2)

Специализированные издания

  1. M.J. Donahue and D.G. Porter, «OOMMF User’s Guide», Interagency Report NISTIR 6376, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, http://math.nist.gov/oommf
  2. Слепцов А.И., Алексеев А. А., «Исследование свойств полупроводникового лазера и изучение возможностей его использования в лабораторных и демонстрационных опытах по физике». Вестник Северо-Восточного федерального университета им. М. К. Аммосова Выпуск № 4 / том 5 / 2008. http://cyberleninka.ru/article/n/issledovanie-svoystv-poluprovodnikovogo-lazera-i-izuchenie-vozmozhnostey-ego-ispolzovaniya-v-laboratornyh-i-demonstratsionnyh-opytah#ixzz3aCJAdplN

Журналы по гуманитарным дисциплинам

  1. Special Features — CNN — CNN.com (edition.cnn.com/specials)
  2. Macmillan Dictionary | Free English Dictionary and Thesaurus Online (macmillandictionary.com)
  3. Thoughtco: Physics (physics.about.com)
  4. reuters.com
  5. sciencedaily.com
  6. the-scientist.com
  7. elibrary.ru/defaultx.asp — научная электронная библиотека «Elibrary»
  8. iphras.ru/periodicals.htm — Журналы, учрежденные Институтом философии РАН
  9. vphil.ru/ - Журнал «Вопросы философии»
  10. mon.gov.ru
  11. edu.ru
  12. pedlib.ru
  13. pirao.ru
  14. psi.lib.ru