Новости
Меню
EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

Новости

Итоги IX открытого конкурса научных работ молодых ученых в области нанофизики и нанотехнологий, элементной базы и научного приборостроения для применения в области наноэлектроники

6 и 7 октября 2025 г. в ИФМ РАН проходила устная сессия IX открытого конкурса научных работ молодых ученых, выполненных по направлениям: нанофизика, нанотехнологии, элементная база наноэлектроники, научное приборостроение для нанофизики и наноэлектроники.

В этом году в конкурсе участвовало 15 молодых ученых из ИФМ РАН, ННГУ им. Н.И. Лобачевского и НИИИС им. Ю.Е. Седакова.

В номинации «Работы, выполненные кандидатами наук» Диплом первой степени получил:
- М.А. Кузнецов (ИФМ РАН) за работу "Обменное усиление магнитокалорического эффекта в структуре ферромагнетик/антиферромагнетик".

В номинации «Работы, выполненные молодыми учеными без ученой степени» Конкурсная комиссия присудила Диплом первой степени:
- А.А. Назаров (ИФМ РАН) за работу "Молекулярно-динамическое моделирование развития шероховатости в процессе распыления монокристаллического кремния ионами аргона";

Диплом второй степени присужден:
- Р.А. Шапошников (ИФМ РАН) за работу "Высокоотражающие многослойные рентгеновские зеркала на основе пары материалов Cr/C для «окна прозрачности углерода»";
- К.А. Мажукина за работу "Генерация излучения в непрерывном режиме в лазерах на основе HgCdTe";

Диплом третьей степени присужден:
- Д.С. Клементьев (РФЯЦ-ВНИИЭФ, НИИИС им. Ю.Е. Седакова), за работу "Разработка технологии изготовления планарных оптических микросхем на основе системы SiO2/SiON/SiO2 в топологии Y-разветвителя для создания оптоэлектронных высокоскоростных устройств";
- А.Н. Орлова (ИФМ РАН), за работу "Неоднородные магнитные состояния в структурах ФМ/АФМ";
- А.В. Перетокин (ИФМ РАН), за работу "Наблюдение и возможности управления связанными состояниями в континууме в люминесцентном отклике кремниевых фотонно-кристаллических пластин с наноостровками Ge(Si)";
- С.С. Морозов (ИФМ РАН) за работу "Компактный VLS-спектрограф для исследования спектров источников излучения мягкого рентгеновского диапазона".

По результатам конкурса лучшие работы в обеих номинациях премируются:
Первая премия – 50 000 руб.
Вторая премия – 25 000 руб.
Третья премия – 15 000 руб.

Награждение состоится на Ученом совете 17 октября 2025г. в 11:00.

ПОЗДРАВЛЯЕМ ПОБЕДИТЕЛЕЙ КОНКУРСА И ЖЕЛАЕМ УСПЕХОВ В ДАЛЬНЕЙШЕЙ НАУЧНОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ!

14.10.2025
Новый научный журнал «Mesoscience and Nanotechnology»

Международная команда учёных запустила новый научный журнал «Mesoscience and Nanotechnology». Журнал зарегистрирован в Российской книжной палате (ISSN 3034-6622) и международной базе данных Crossref. Издание публикуется на английском языке в режиме открытого доступа (Open Access), что обеспечивает читателям свободный доступ ко всем материалам, а авторам — бесплатную публикацию статей.

Все поступающие рукописи рецензируются независимой группой из трёх экспертов. По выбору авторов используется схема одностороннего или двойного слепого рецензирования.

Основная тематика журнала: сверхпроводимость, гибридные структуры и устройства на основе сверхпроводников, наноэлектроника и нанотехнологии, физика поверхности и интерфейсных явлений, функциональные материалы, квантовая физика, квантовые материалы, системы с топологически защищенными состояниями, двумерные материалы и устройства, квантовые точки, магнетизм, включая магнитные свойства низкоразмерных систем, сильно-коррелированные системы, сверхрешетки и гетероструктуры, сегнетоэлектричество, тонкие пленки, нейроморфные системы, нанобиотехнологии, экспериментальные методы и др.


Сайт журнала
Первый номер журнала

Редакционная коллегия приглашает авторов к публикации своих исследований!
13.10.2025